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금속 지지막을 사용한 수직 디바이스 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015035391
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 사파이어 기판과 같은 절연 기판 상에 GaN LED와 같은 반도체 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다. 반도체 층들은 통상적인 기술을 이용하여 절연 기판 상에 형성된다. 개별 디바이스들의 경계를 구획하는 트렌치들이 반도체 층들을 관통하여 절연 기판 안으로 형성되며, 이는 유도결합 플라스마 반응성 이온 에칭에 의해 수행되는 것이 바람직하다. 제1 지지구조물이 반도체 층들에 부착된다. 다음으로, 단단한 기판이 제거되며, 이는 레이저 리프트오프에 의해 수행되는 것이 바람직하다. 바람직하게는 전도성인 제2 지지구조물로 단단한 기판을 대체하고 제1 지지구조물은 제거된다. 이어서, 개별 디바이스들이 다이싱되며, 이는 제2 지지구조물을 통한 에칭에 의하는 것이 바람직하다. 보호 포토레지스트 층이 반도체 층들을 제1 지지구조물의 부착으로부터 보호할 수 있다. (가능하면 반사성인) 전도성 저면 접촉부가 제2 지지구조물과 반도체 층들 사이에 삽입될 수 있다. LED, GaN, 사파이어기판, 다이싱
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020047016180 (2004.10.09)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0880631-0000 (2009.01.20)
공개번호/일자 10-2005-0013989 (2005.02.05) 문서열기
공고번호/일자 (20090130) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/US2003/009504 (2003.03.31)
국제공개번호/일자 WO2003088320 (2003.10.23)
우선권정보 미국  |   10/118,317   |   2002.04.09
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.23)
심사청구항수 35

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유명철 대한민국 미국 캘리포니아 ****

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허법 제203조의 규정에 의한 서면
Document under Article 203 of Patent Act		 2004.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0458962-91
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2004-5189710-09
3 우선권주장증명서류제출서
Submission of Priority Certificate		 2004.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5199190-35
4 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2005.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-5128488-27
5 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0763529-80
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0598686-94
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0005177-13
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0005176-67
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0252790-54
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0494964-64
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0494963-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
13 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0572593-83
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 표면과, 상기 제 1 표면과 반대면인 제 2 표면을 갖는 도전성 부착 구조물;상기 제 1 표면 상에 위치하는 도전성 후막 지지부; 상기 제 2 표면 상에 위치하며, 상부 전기 접촉부를 가지는 반도체 디바이스; 및상기 제 2 표면 및 상기 반도체 디바이스 사이에 배치되며, 상기 도전성 부착 구조물과 반도체 디바이스 사이에서 전기 접촉부로 작용하는 반사성 접촉 구조물을 포함하고,상기 도전성 후막 지지부 및 상기 상부 전기 접촉부 사이에 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지(topology) 디바이스
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 반사성 접촉 구조물은 알루미늄 층 및/또는 티타늄 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 디바이스
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 반도체 디바이스는 상기 제 2 표면에 인접한 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 디바이스
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 도전성 부착 구조물은 Cr 부착층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 디바이스
7 7
제 1 항에 있어서,상기 도전성 부착 구조물은 Au 부착층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 디바이스
8 8
제 1 항에 있어서,상기 후막 지지부는 1 내지 100 마이크론 두께인 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 디바이스
9 9
제 1 항에 있어서,상기 후막 지지부는 Cu 또는 Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 디바이스
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 디바이스는, GaN 계열 디바이스인 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 디바이스
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 디바이스는, 발광 소자 구조인 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 디바이스
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 디바이스는,p-형 반도체층과;상기 p-형 반도체층 상에 위치하는 활성층과;상기 활성층 상에 위치하는 n-형 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 디바이스
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 활성층은 AlInGaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 발광 디바이스
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 디바이스는,n-형 반도체층과;상기 n-형 반도체층 상에 위치하는 활성층과;상기 활성층 상에 위치하는 p-형 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 디바이스
15 15
제 14 항에 있어서,상기 p-형 반도체층과 상기 상부 전기 접촉부 사이에는 p 투명 접촉부를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 디바이스
16 16
도전성 후막 지지부;상기 도전성 후막 지지부 상에 위치하며, 반사성의 제 1 접촉부;상기 제 1 접촉부 상에 위치하는 다층 구조의 반도체층; 및상기 반도체층 상에 위치하는 제 2 접촉부를 포함하고,상기 도전성 후막 지지부 및 상기 제 2 접촉부 사이에 전류가 흐를 수 있고, 상기 제 1 접촉부는 상기 다층 구조의 반도체층에서 발생된 빛을 반사시키는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지(topology) 발광 다이오드
17 17
제 16 항에 있어서,상기 도전성 후막 지지부와 상기 제 1 접촉부 사이에는 도전성 부착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 발광 다이오드
18 18
삭제
19 19
제 16 항에 있어서,상기 제 1 접촉부는 Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 발광 다이오드
20 20
제 17 항에 있어서,상기 도전성 부착층은 Au 및/또는 Cr을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 발광 다이오드
21 21
제 16 항에 있어서, 상기 다층구조의 반도체층은, 제 1 도전형 GaN 반도체층;상기 제 1 도전형 GaN 반도체층 상에 위치하는 활성층; 및상기 활성층 상에 위치하는 제 2 도전형 GaN 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 발광 다이오드
22 22
제 16 항에 있어서,상기 후막 지지부는 Cu 또는 Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 토폴로지 발광 다이오드
23 23
절연 기판 상에 복수의 반도체층을 에피택셜 성장시키는 단계;상기 반도체층 상에 제 1 접촉부를 형성하는 단계;제 1 접촉부가 형성된 반도체층 상에 제 1지지 구조물을 부착하는 단계;상기 반도체층으로부터 상기 절연 기판을 제거하는 단계;상기 절연 기판이 제거된 반도체층에 도전성 제 2지지 구조물을 부착하는 단계; 및상기 제 1지지 구조물을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 디바이스 생산 방법
24 24
제 23 항에 있어서, 상기 반도체층을 에피택셜 성장시키는 단계 이후에는,상기 반도체층 또는 절연 기판을 식각하여 복수의 개별 반도체 디바이스들을 구획하는 트렌치(trench)를 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 디바이스 생산 방법
25 25
제 24 항에 있어서,상기 트렌치들에 맞추어서 상기 도전성 제 2지지 구조물을 에칭하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
26 26
제 25 항에 있어서,상기 개별 반도체 디바이스들을 분리하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
27 27
제 26 항에 있어서,상기 개별 반도체 디바이스들을 분리하는 단계는 상기 트렌치들에 스트레스를 가함으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
28 28
제 26 항에 있어서,상기 개별 반도체 디바이스들을 분리하는 단계는 톱질을 함으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
29 29
제 23 항에 있어서,상기 절연 기판 상에 복수의 반도체 층들을 에피택셜 성장시키는 단계는 사파이어 기판 상에 GaN 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
30 30
제 24 항에 있어서,상기 트렌치들은 유도 결합 플라스마 반응성 이온 에칭(ICP RIE)을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
31 31
제 23 항에 있어서,상기 제 1 접촉부가 형성된 반도체층 상에 제 1지지 구조물을 부착하는 단계는, 포토 레지스트 층을 이용하여 부착하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
32 32
제 23 항에 있어서, 상기 에피택셜 반도체 층들로부터 절연 기판을 제거하는 단계는 레이저 리프트 오프(laser lift off)를 사용하여 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
33 33
제 32 항에 있어서, 레이저 리프트 오프는, 상기 절연 기판에 진공 척(vacuum chuck)을 부착하는 단계; 적어도 하나의 에피택셜 반도체 층을 가열하기 위해 상기 진공 척 및 절연 기판을 통해 레이저 광을 조사하는 단계; 및 상기 절연 기판이 상기 에피택셜 반도체 층들로부터 분리될 때까지 레이저 조사 동안에 상기 에피택셜 반도체 층들로부터 상기 절연기판을 분리하려는 바이어스 힘을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
34 34
제 23 항에 있어서,상기 제 2지지 구조물을 부착하는 단계는, 상기 에피택셜 반도체 층들 상에 상기 제 2지지 구조물을 부착하기 위한 부착 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
35 35
제 34 항에 있어서,상기 제 2지지 구조물을 부착하는 단계는 상기 부착 구조물 상에 도전성 제 2지지 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
36 36
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37 37
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38 38
제 34 항에 있어서,상기 도전성 제 2지지 구조물을 형성하는 단계는 1 내지 100 마이크론 두께인 도전성 제 2지지 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
39 39
제 38 항에 있어서, 도전성 제 2 지지구조물을 형성하는 단계는 Cu 도전성 제 2지지 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
40 40
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41 41
제 23 항에 있어서,상기 도전성 제 2지지 구조물을 형성하는 단계는, 상기 제 2지지 구조물 및 상기 에피택셜 반도체 층들 사이에 배치되는 반사성 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 생산 방법
42 42
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01502284 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01502284 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02592664 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP02592664 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 EP02648236 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
6 EP02648236 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
7 JP05723146 JP 일본 FAMILY
8 JP05859053 JP 일본 FAMILY
9 JP17522875 JP 일본 FAMILY
10 JP23109118 JP 일본 FAMILY
11 JP26168078 JP 일본 FAMILY
12 US07294521 US 미국 FAMILY
13 US07772020 US 미국 FAMILY
14 US08022386 US 미국 FAMILY
15 US08106417 US 미국 FAMILY
16 US08294172 US 미국 FAMILY
17 US08368115 US 미국 FAMILY
18 US08564016 US 미국 FAMILY
19 US08669587 US 미국 FAMILY
20 US09000477 US 미국 FAMILY
21 US09209360 US 미국 FAMILY
22 US09478709 US 미국 FAMILY
23 US20030189212 US 미국 FAMILY
24 US20060094207 US 미국 FAMILY
25 US20060097277 US 미국 FAMILY
26 US20070018173 US 미국 FAMILY
27 US20080064132 US 미국 FAMILY
28 US20090072264 US 미국 FAMILY
29 US20130134465 US 미국 FAMILY
30 US20130299779 US 미국 FAMILY
31 US20140231822 US 미국 FAMILY
32 US20150155438 US 미국 FAMILY
33 US20160072017 US 미국 FAMILY
34 WO2003088320 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
35 WO2003088320 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AU2003233447 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 AU2003233447 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 AU2003233447 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
4 AU2003233447 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
5 EP1502284 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 EP1502284 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
7 EP1502284 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
8 EP2592664 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
9 EP2592664 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
10 EP2648236 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
11 EP2648236 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
12 EP3518296 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
13 JP2005522875 JP 일본 DOCDBFAMILY
14 JP2005522875 JP 일본 DOCDBFAMILY
15 JP2005522875 JP 일본 DOCDBFAMILY
16 JP2011109118 JP 일본 DOCDBFAMILY
17 JP2014168078 JP 일본 DOCDBFAMILY
18 JP5723146 JP 일본 DOCDBFAMILY
19 JP5859053 JP 일본 DOCDBFAMILY
20 US10147847 US 미국 DOCDBFAMILY
21 US10453998 US 미국 DOCDBFAMILY
22 US10644200 US 미국 DOCDBFAMILY
23 US2003189212 US 미국 DOCDBFAMILY
24 US2006094207 US 미국 DOCDBFAMILY
25 US2006097277 US 미국 DOCDBFAMILY
26 US2007018173 US 미국 DOCDBFAMILY
27 US2008064132 US 미국 DOCDBFAMILY
28 US2009072264 US 미국 DOCDBFAMILY
29 US2013134465 US 미국 DOCDBFAMILY
30 US2013299779 US 미국 DOCDBFAMILY
31 US2014231822 US 미국 DOCDBFAMILY
32 US2015155438 US 미국 DOCDBFAMILY
33 US2016072017 US 미국 DOCDBFAMILY
34 US2017018682 US 미국 DOCDBFAMILY
35 US2018076356 US 미국 DOCDBFAMILY
36 US2019051796 US 미국 DOCDBFAMILY
37 US2020006598 US 미국 DOCDBFAMILY
38 US7294521 US 미국 DOCDBFAMILY
39 US7772020 US 미국 DOCDBFAMILY
40 US8022386 US 미국 DOCDBFAMILY
41 US8106417 US 미국 DOCDBFAMILY
42 US8294172 US 미국 DOCDBFAMILY
43 US8368115 US 미국 DOCDBFAMILY
44 US8564016 US 미국 DOCDBFAMILY
45 US8669587 US 미국 DOCDBFAMILY
46 US9000477 US 미국 DOCDBFAMILY
47 US9209360 US 미국 DOCDBFAMILY
48 US9478709 US 미국 DOCDBFAMILY
49 US9847455 US 미국 DOCDBFAMILY
50 WO03088320 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
51 WO03088320 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
52 WO03088320 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
53 WO03088320 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.