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반사층을 갖는 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015035532
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 발광다이오드 제조방법은 투명한 기판(100A)과 상기 투명한 기판(100A)상에 GaN 버퍼층(120)을 형성하는 단계를 포함한다. n-GaN층(140)이 상기 버퍼층(120)상에 형성된다. 활성층(160)이 상기 n-GaN층(140) 상에 형성된다. p-GaN층(180)이 상기 활성층(160) 상에 형성된다. p전극(240)이 p-GaN층(180)상에 형성되고 n전극(250)이 n-GaN층(140) 상에 형성된다. 반사층(200)이 상기 투명한 기판(100A)의 제 2 면상에 형성된다. 스크라이브 선(미도시)이 상기 기판상의 다이오드들을 분리하기 위해 상기 기판(100A)상에 형성된다. 또한, AlGaN의 클래딩층(미도시)이 p-GaN층과 활성층 사이에 있다. 발광다이오드(LED), 광전소자, 반사층
Int. CL H01L 33/10 (2014.01) H01L 33/02 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020047005880 (2004.04.21)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0902894-0000 (2009.06.08)
공개번호/일자 10-2004-0063128 (2004.07.12) 문서열기
공고번호/일자 (20090616) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/US2002/033357 (2002.10.21)
국제공개번호/일자 WO2003036691 (2003.05.01)
우선권정보 미국  |   09/982,980   |   2001.10.22
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.23)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유명철 대한민국 미국캘리포니아***

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허법 제203조의 규정에 의한 서면
Document under Article 203 of Patent Act		 2004.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-0163551-09
2 보정통지서
Request for Amendment		 2004.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0028313-54
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0227071-74
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-5084217-16
5 우선권주장증명서류제출서
Submission of Priority Certificate		 2004.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-5118418-28
6 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2005.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-5128488-27
7 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0763525-08
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0561684-47
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0905929-61
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0905931-53
11 보정요구서
Request for Amendment		 2008.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0229162-62
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0371974-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0505896-52
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0811177-41
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.11.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0811176-06
17 등록결정서
Decision to grant		 2009.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0135109-60
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 면과, 상기 제 1 면과 반대면인 제 2 면을 가지며, 상기 제 2 면은 기계적 연마 및 유도결합 플라즈마 반응 이온빔 에칭 중 적어도 어느 하나에 의하여 평균 표면 거칠기가 1 nm 내지 15 nm로 연마되고, 사파이어(Al2O3), ZnO, GaN, SiC, 및 AlN 중 어느 하나를 포함하는 투명 기판; 상기 투명 기판의 제 1 면 상에 위치하는 n-GaN층; 상기 n-GaN층 상에 위치하는 활성층; 상기 활성층 상에 위치하는 p-GaN층; 상기 p-GaN층 상에 위치하는 투명 도전층; 상기 투명 도전층 상에 위치하는 p전극; 상기 n-GaN층 상에 위치하는 n전극; 및 상기 연마된 투명 기판의 제 2 면 상에 위치하는 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 투명 기판의 제 2 면은, 래핑된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 투명 기판과 상기 n-GaN층 사이에는, 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 투명 기판의 두께는, 120 ㎛ 내지 350 ㎛인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 p-GaN층 상에는 클래드층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 클래드층은, p-AlGaN층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 투명 도전층은, Ni, Au, 및 ITO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 p전극은, Ni, Au, Pd, Ni, 및 Pt 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 n전극은, Ti, Al, Cr, 및 Au 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 반사층은, Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
14 14
삭제
15 15
투명 기판의 제 1 면 상에 n-GaN층, 활성층, p-GaN층을 포함하는 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 p-GaN층 상에 p접점을 형성하는 단계; 상기 n-GaN층 상에 n접점을 형성하는 단계; 상기 투명 기판의 제 1 면과 반대면인 제 2 면을 기계적 연마 및 유도결합 플라즈마 반응 이온빔 에칭 중 적어도 어느 하나의 방법으로 연마하여 표면 거칠기를 감소시키는 단계; 상기 표면 거칠기가 감소된 투명 기판의 제 2 면 상에 반사층을 형성하는 단계; 상기 개개 소자의 구분 영역 상의 반도체층을 에칭하는 단계; 및 상기 투명 기판의 개개 소자의 구분 영역에 스크라이브 선을 형성하여 상기 반도체층과 기판을 포함하는 구조를 개개의 발광 다이오드로 분리하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
16 16
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17 17
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18 18
제 15 항에 있어서, 상기 투명 기판을 래핑하여 얇게 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
19 19
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20 20
제 15 항에 있어서, 상기 스크라이브 선은, 상기 투명 기판의 제 2 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
21 21
제 15 항에 있어서, 상기 스크라이브 선은, 상기 투명 기판의 제 1 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
22 22
제 15 항에 있어서, 상기 스크라이브 선은, 상기 기판의 표면상에 결각을 형성하는 기판을 갖는 발광다이오드 제조방법
23 23
제 22 항에 있어서, 상기 결각은 삼각형 모양인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
24 24
제 15 항에 있어서, 상기 스크라이브 선은 유도결합 플라즈마(ICP) 반응 이온빔 엣칭(RIE)에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
25 25
제 15 항에 있어서, 상기 p-GaN층과 p-접점 사이에 투명 도전층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
26 26
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1 EP01459357 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02197022 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02197022 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP04516749 JP 일본 FAMILY
5 JP18507654 JP 일본 FAMILY
6 US06949395 US 미국 FAMILY
7 US07682854 US 미국 FAMILY
8 US07785908 US 미국 FAMILY
9 US08236585 US 미국 FAMILY
10 US08759129 US 미국 FAMILY
11 US09406837 US 미국 FAMILY
12 US20030077847 US 미국 FAMILY
13 US20060006400 US 미국 FAMILY
14 US20070172973 US 미국 FAMILY
15 US20100285621 US 미국 FAMILY
16 US20120322176 US 미국 FAMILY
17 US20140273322 US 미국 FAMILY
18 WO2003036691 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
19 WO2003036691 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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6 JP2006507654 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP2006507654 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 JP4516749 JP 일본 DOCDBFAMILY
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10 US2006006400 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US2007172973 US 미국 DOCDBFAMILY
12 US2010285621 US 미국 DOCDBFAMILY
13 US2012322176 US 미국 DOCDBFAMILY
14 US2014273322 US 미국 DOCDBFAMILY
15 US6949395 US 미국 DOCDBFAMILY
16 US7682854 US 미국 DOCDBFAMILY
17 US7785908 US 미국 DOCDBFAMILY
18 US8236585 US 미국 DOCDBFAMILY
19 US8759129 US 미국 DOCDBFAMILY
20 US9406837 US 미국 DOCDBFAMILY
21 WO03036691 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
22 WO03036691 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
23 WO03036691 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
24 WO03036691 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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