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수직 구조를 갖는 다이오드 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015035533
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드는 도전층, 도전층 위에 있는 n-GaN층(105), n-GaN층 위에 있는 활성층(160), 활성층 위에 있는 p-GaN(140)층, 및 p-GaN층 위에 있는 p-전극을 포함한다. 도전층이 n-전극이다. 발광, 다이오드
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020047006203 (2004.04.26)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0921456-0000 (2009.10.06)
공개번호/일자 10-2005-0038581 (2005.04.27) 문서열기
공고번호/일자 (20091013) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/US2002/033358 (2002.10.21)
국제공개번호/일자 WO2003038874 (2003.05.08)
우선권정보 미국  |   09/983,994   |   2001.10.26
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.23)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유명철 대한민국 미국캘리포니아***

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허법 제203조의 규정에 의한 서면
Document under Article 203 of Patent Act		 2004.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2004-0172686-64
2 보정통지서
Request for Amendment		 2004.05.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0030435-18
3 우선권주장증명서류제출서
Submission of Priority Certificate		 2004.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-5082097-87
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-5084216-71
5 우선권주장증명서류제출서
Submission of Priority Certificate		 2004.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-5087945-51
6 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2005.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-5128488-27
7 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0763526-43
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0561683-02
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0900563-93
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0900564-38
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0225102-40
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.06.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0027508-22
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0377488-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0647979-93
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0647978-47
17 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2009.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0031788-24
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.03.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0166877-75
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0166878-10
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
21 등록결정서
Decision to grant		 2009.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0306311-43
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도전층; 상기 도전층 상에 위치하는 n-형 버퍼층; 상기 n-형 버퍼층 상에 위치하는 n-형 반도체층; 상기 n-형 반도체층 상에 있는 활성층; 상기 활성층 상에 있는 p-형 반도체층; 및 상기 p-형 반도체층 상에 있는 p-전극을 포함하고, 상기 도전층은 n-전극이고, 상기 활성층으로부터의 광을 반사시키는 반사층으로 작용하며, 상기 도전층과 n-형 버퍼층은 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 도전층은 알루미늄으로 제조되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 도전층은, 알루미늄, 금, 티타늄, 및 크롬으로 이루어진 그룹에서 선택된 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 도전층은 n-형 반도체층과 동일한 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 p-전극 및 p-형 반도체층 사이에 p-투명 접촉부를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 p-투명 접촉부는 산화인듐주석(indium-tin-oxide)을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 p-전극 상에 금속 패드를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 금속 패드의 두께는 5000Å 또는 그 이상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
14 14
제 12 항에 있어서, 상기 금속 패드는 Au를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
제 1 항에 있어서, 상기 p-전극은 Ni, Pd, Pt, 및 Au 중 적어도 어느 하나 또는 그 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
18 18
삭제
19 19
제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 AlInGaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
20 20
제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 양자우물층(quantum well layer) 및 이중헤테로구조(double hetero structure) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
21 21
제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 다중 양자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
22 22
제 1 항에 있어서, 상기 p-형 반도체층 및 활성층 사이에 클래드층(cladding layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
23 23
제 22 항에 있어서, 상기 클래드층은 p-형 AlGaN층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
24 24
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25 25
삭제
26 26
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27 27
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28 28
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29 29
삭제
30 30
삭제
31 31
기판 상에 n-형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n-형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 p-형 반도체층을 형성하는 단계; 레이저를 이용하여 상기 n-형 반도체층에서 기판을 분리시키는 단계; 상기 n-형 반도체층 상에 n-전극을 형성하는 단계; 상기 p-형 반도체층 상에 p-전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 n-전극은 반사층 역할을 하여 활성층으로부터의 광을 반사시키는 다이오드 제조방법
32 32
제 31 항에 있어서, 상기 p-전극이 기판을 분리시키는 단계 전에 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드 제조방법
33 33
제 31 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이오드 제조방법
34 34
삭제
35 35
삭제
36 36
삭제
37 37
제 31 항에 있어서, 상기 p-전극 및 p-형 반도체층 사이에 투명 도전층을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 다이오드 제조방법
38 38
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39 39
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40 40
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41 41
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42 42
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43 43
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44 44
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45 45
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46 46
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47 47
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48 48
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49 49
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50 50
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51 51
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52 52
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01451853 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02528112 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02528112 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP03121857 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 EP03121857 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
6 EP03121857 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
7 JP17532673 JP 일본 FAMILY
8 JP21302589 JP 일본 FAMILY
9 JP25102243 JP 일본 FAMILY
10 JP27046647 JP 일본 FAMILY
11 US07148520 US 미국 FAMILY
12 US07371597 US 미국 FAMILY
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16 US07915632 US 미국 FAMILY
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19 US08592846 US 미국 FAMILY
20 US09000468 US 미국 FAMILY
21 US09620677 US 미국 FAMILY
22 US20030080344 US 미국 FAMILY
23 US20060091420 US 미국 FAMILY
24 US20070057273 US 미국 FAMILY
25 US20100109020 US 미국 FAMILY
26 US20100314607 US 미국 FAMILY
27 US20110049470 US 미국 FAMILY
28 US20110303933 US 미국 FAMILY
29 US20130308671 US 미국 FAMILY
30 US20150179886 US 미국 FAMILY
31 WO2003038874 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP1451853 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP1451853 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP2528112 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2528112 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP3121857 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 EP3121857 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
7 EP3121857 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
8 JP2005532673 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 JP2005532673 JP 일본 DOCDBFAMILY
10 JP2005532673 JP 일본 DOCDBFAMILY
11 JP2009302589 JP 일본 DOCDBFAMILY
12 JP2013102243 JP 일본 DOCDBFAMILY
13 JP2015046647 JP 일본 DOCDBFAMILY
14 US10032959 US 미국 DOCDBFAMILY
15 US10326055 US 미국 DOCDBFAMILY
16 US2003080344 US 미국 DOCDBFAMILY
17 US2006091420 US 미국 DOCDBFAMILY
18 US2007057273 US 미국 DOCDBFAMILY
19 US2010109020 US 미국 DOCDBFAMILY
20 US2010314607 US 미국 DOCDBFAMILY
21 US2011049470 US 미국 DOCDBFAMILY
22 US2011303933 US 미국 DOCDBFAMILY
23 US2013308671 US 미국 DOCDBFAMILY
24 US2015179886 US 미국 DOCDBFAMILY
25 US2017365742 US 미국 DOCDBFAMILY
26 US2018331259 US 미국 DOCDBFAMILY
27 US7148520 US 미국 DOCDBFAMILY
28 US7371597 US 미국 DOCDBFAMILY
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30 US7863638 US 미국 DOCDBFAMILY
31 US7915632 US 미국 DOCDBFAMILY
32 US8008681 US 미국 DOCDBFAMILY
33 US8592846 US 미국 DOCDBFAMILY
34 US9000468 US 미국 DOCDBFAMILY
35 US9620677 US 미국 DOCDBFAMILY
36 WO03038874 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
37 WO03038874 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
38 WO03038874 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
39 WO03038874 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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