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광을 반사시키는 반사판이 형성되고, 적어도 하나 이상의 제너 다이오드가 구비되며, 상면에 소정의 움푹 들어간 영역을 갖는 반도체 기판;상기 움푹 들어간 영역에 실장된 반도체 발광소자;상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성된 몰딩재; 및상기 반도체 기판의 저면에 부착되고 상기 반도체 발광소자의 열을 방출하기 위한 방열판을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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제1항에 있어서, 상기 몰딩재는 상기 반도체 기판의 적어도 움푹 들어간 영역이 포함되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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광을 반사시키는 반사판이 형성되고, 적어도 하나 이상의 제너 다이오드가 구비되며, 상면에 소정의 움푹 들어간 영역을 갖는 반도체 기판;상기 움푹 들어간 영역에 실장된 반도체 발광소자;적어도 상기 반도체 기판을 감싸도록 형성된 몰딩재; 및상기 반도체 기판의 저면에 부착되고 상기 반도체 발광소자의 열을 방출하기 위한 방열판을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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제3항에 있어서, 상기 몰딩재 형성시, 형성될 몰딩재의 테두리를 가이드하기 위해 상기 반도체 기판의 둘레를 따라 상기 방열판 상에 형성된 지지대를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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제4항에 있어서, 상기 지지대는 상기 몰딩재 형성 후 제거될 수 있는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 반사판은 상기 반도체 기판의 적어도 움푹 들어간 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 반사판은 상기 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 반도체 기판의 적어도 움푹 들어간 영역에는 상기 반도체 발광소자와 상기 반도체 기판 간의 전기적 쇼트를 방지하기 위한 절연층이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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제8항에 있어서, 상기 절연층은 상기 반도체 기판 상에 형성된 반사판의 저면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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10
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 제너 다이오드는 상기 반도체 기판의 도핑에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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11
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 몰딩재 하부의 움푹 들어간 영역에 형광체가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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제11항에 있어서, 상기 형광체는 상기 반도체 발광소자로부터 방출된 광을 백색광으로 파장 변환할 수 있는 형광재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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13
제1항 또는 제3항에 있어서, 방열 성능을 강화하기 위해 상기 움푹 들어간 영역에 상응되는 상기 반도체 기판의 저면에 열전도 부재가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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14
제13항에 있어서, 상기 열전도 부재는 상기 반도체 기판의 저면으로부터 소정 깊이 식각된 후, 그 식각된 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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15
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 반도체 기판과 상기 방열판은 유테틱 본딩에 의해 부착되는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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16
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 반도체 발광소자는 pn 구조 및 npn 구조 중 하나의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 반도체 발광소자는 상기 움푹 들어간 영역에 플립칩 본딩되는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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17
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 반도체 발광소자는 상기 움푹 들어간 영역에 플립칩 본딩되는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 패키지
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