| 1 |
1
기판; 상기 기판 위에 성장되는 버퍼층; 화합물반도체로 이루어져 실리콘 도핑되고 상기 버퍼층 상에 성장되어 n측 전극과 결합되는 n+형 반도체층; 화합물반도체로 이루어지고, 상기 n+형 반도체층이 성장된 후 대기중에 노출되어 재성장되며, 실리콘 도핑되어 점결함이 생성되는 n-형 반도체층; 상기 n-형 반도체층 상에 성장되고, 광을 발생시키는 활성층; 및 화합물반도체로 이루어져 상기 활성층 상에 성장되는 p형 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 n-형 반도체층은 상기 n+형 반도체층보다 적은 양의 실리콘으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 n+형 반도체층 및 상기 버퍼층 사이에 인듐 도핑된 반도체층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 n-형 반도체층 및 상기 활성층 사이에 인듐 도핑된 반도체층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 p형 반도체층은 n형 반도체층을 상면에 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 n+형 반도체층은인듐이 추가로 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 n-형 반도체층은인듐이 추가로 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 AlInN/GaN 적층 구조, InxGa1-xN/GaN 적층 구조, AlxInyGa1-x-yN/GaN의 적층 구조 중에서 어느 하나의 적층 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
|
| 9 |
9
기판층 상에 버퍼층이 성장되는 단계;상기 버퍼층 상에 실리콘 도핑되는 n+형 반도체층이 성장되는 단계;상기 n+형 반도체층이 성장되면 상온의 대기에 노출되어 점결함이 생성되고, 상기 n+형 반도체층보다 적은 양의 실리콘으로 도핑되어 상기 n+형 반도체층 상에 n-형 반도체층이 재성장되는 단계;상기 n-형 반도체층 상에 활성층이 성장되는 단계; 및상기 활성층 상에 p측 전극과 결합되는 p형 반도체층이 성장되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 n-형 반도체층이 재성장되는 단계는 온도가 상승되는 과정에서 암모니아 가스보다 수소 가스가 먼저 주입되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서, 상기 n-형 반도체층이 재성장되는 단계는 상기 n+형 반도체층의 성장 속도보다 빠르게 성장되는 단계인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법
|
| 12 |
12
제9항에 있어서, 상기 n+형 반도체층이 성장되는 단계는 상기 n+형 반도체층이 인듐 및 실리콘으로 함께 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법
|
| 13 |
13
제9항에 있어서, 상기 n-형 반도체층이 성장되는 단계는 상기 n-형 반도체층이 인듐 및 실리콘으로 함께 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조 방법
|
