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플립칩 본딩용 발광 다이오드

기술번호 : KST2015035748
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 플립칩 본딩용 발광 다이오드에 관한 것으로, P타입 반도체층 상부에 CTEL(Current Transport Enhanced Layer)를 형성하여 전류 흐름을 원활하게 할 수 있고, 열처리 공정에도 접합상태를 유지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 상기 CTEL 상부에 투명 전도 산화막과 반사막을 순차적으로 적층하여, 소자 제조 공정의 열처리 및 소자 동작 중에 발생되는 열에 의해 금속막들 사이에서 야기되는 확산 현상을 제거하여, 높은 광출력을 유지할 수 있는 효과가 있다. 발광다이오드, 광출력, 반사, 투명, 산화막, 열처리
Int. CL	H01L 33/14 (2014.01)
CPC	H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01)
출원번호/일자	1020050005560 (2005.01.20)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-0619420-0000 (2006.08.25)
공개번호/일자	10-2006-0084754 (2006.07.25) 문서열기
공고번호/일자	(20060911) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2005.01.20)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	장준호	대한민국	경기도 안양시 동안구
2	하준석	대한민국	서울특별시 서초구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	정종옥	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2	조현동	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3	진천웅	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구
2	엘지이노텍 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2005.01.20	수리 (Accepted)	1-1-2005-0034030-76
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2006.04.17	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2006.05.16	수리 (Accepted)	9-1-2006-0033218-72
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.05.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0302999-26
5	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2006.07.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0531991-20
6	대리인해임신고서 Report on Dismissal of Agent	2006.07.25	수리 (Accepted)	1-1-2006-0530165-66
7	의견서 Written Opinion	2006.07.25	수리 (Accepted)	1-1-2006-0531962-17
8	등록결정서 Decision to grant	2006.08.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0480678-16
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상부에 N-GaN층, 활성층과 P-GaN층이 순차적으로 적층되어 있고; 상기 P-GaN층에서 N-GaN층의 일부까지 메사(Mesa) 식각되어 있고; 상기 P-GaN층 상부에 GaN을 포함하며, 캐리어 이동을 향상시켜 전류 흐름을 원활하게 하기 위해 상기 P-GaN층의 일함수보다 작고, 투명 전도 산화막의 일함수보다 큰 일함수를 갖는 CTEL(Current Transport Enhanced Layer)와; 상기 CTEL 상부에 형성된 투명 전도 산화막(Transparent Conduction Oxide, TCO)과; 상기 투명 전도 산화막 상부에 형성된 반사막을 포함하여 이루어진 플립칩 본딩용 발광 다이오드
2	2 삭제
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 투명 전도 산화막의 일함수는 4
4	4 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 CTEL은, InGaN층 또는 InGaN층과 GaN층이 교대로 적층된 막인 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩용 발광 다이오드
5	5 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 CTEL의 두께는 1 ~ 50㎚인 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩용 발광 다이오드
6	6 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 투명 전도 산화막은, ITO, IZO, ZnO와 AZO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩용 발광 다이오드
7	7 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 반사막은,Ag, AgPdCu, Al, Au, Cu, Ni와 Rh 중 어느 하나 또는 이들 중 적어도 둘 이상의 합금이 포함된 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩용 발광 다이오드
8	8 기판 상부에 N타입 반도체층, 활성층과 P타입 반도체층이 순차적으로 적층되어 있는 구조물을 포함하여 구비하여서 상기 활성층에서 광이 기판을 통과하여 방출되는 플립칩 본딩용 발광 다이오드에 있어서, 상기 P타입 반도체층 상부에 상기 P타입 반도체층의 물질을 포함하고 있으며, 캐리어 이동을 향상시켜 전류 흐름을 원활하게 하기 위해 상기 P타입 반도체층의 일함수보다 작고, 투명 전도 산화막의 일함수보다 큰 일함수를 갖는 CTEL(Current Transport Enhanced Layer)와; 상기 CTEL 상부에 형성된 투명 전도 산화막(Transparent Conduction Oxide, TCO)과; 상기 투명 전도 산화막 상부에 형성된 반사막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩용 발광 다이오드
9	9 삭제
10	10 제 8 항에 있어서, 상기 투명 전도 산화막은, ITO, IZO, ZnO와 AZO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩용 발광 다이오드
11	11 제 8 항에 있어서, 상기 반사막은,Ag, AgPdCu, Al, Au, Cu, Ni와 Rh 중 어느 하나 또는 이들 중 적어도 둘 이상의 합금이 포함된 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩용 발광 다이오드
12	11 제 8 항에 있어서, 상기 반사막은,Ag, AgPdCu, Al, Au, Cu, Ni와 Rh 중 어느 하나 또는 이들 중 적어도 둘 이상의 합금이 포함된 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩용 발광 다이오드

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0619420-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20050120 출원 번호 : 1020050005560 공고 연월일 : 20060911 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060822 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 플립칩 본딩용 발광 다이오드 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...
2	(의무자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...
2	(권리자) 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	567,000 원	2006년 08월 24일	납입
제 4 년분	금 액	238,000 원	2009년 06월 19일	납입
제 5 년분	금 액	238,000 원	2010년 06월 30일	납입
제 6 년분	금 액	238,000 원	2011년 06월 20일	납입
제 7 년분	금 액	442,000 원	2012년 07월 27일	납입
제 8 년분	금 액	442,000 원	2013년 06월 24일	납입
제 9 년분	금 액	442,000 원	2014년 06월 24일	납입
제 10 년분	금 액	735,000 원	2015년 06월 24일	납입
제 11 년분	금 액	735,000 원	2016년 06월 24일	납입
제 12 년분	금 액	735,000 원	2017년 06월 14일	납입
제 13 년분	금 액	855,000 원	2018년 06월 14일	납입
제 14 년분	금 액	855,000 원	2019년 06월 14일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2005.01.20	수리 (Accepted)	1-1-2005-0034030-76
2	선행기술조사의뢰서	2006.04.17	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2006.05.16	수리 (Accepted)	9-1-2006-0033218-72
4	의견제출통지서	2006.05.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0302999-26
5	명세서등보정서	2006.07.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0531991-20
6	대리인해임신고서	2006.07.25	수리 (Accepted)	1-1-2006-0530165-66
7	의견서	2006.07.25	수리 (Accepted)	1-1-2006-0531962-17
8	등록결정서	2006.08.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0480678-16
9	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
10	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
11	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
12	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
13	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015035748
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	플립칩 본딩용 발광 다이오드
기술개요	본 발명은 플립칩 본딩용 발광 다이오드에 관한 것으로, P타입 반도체층 상부에 CTEL(Current Transport Enhanced Layer)를 형성하여 전류 흐름을 원활하게 할 수 있고, 열처리 공정에도 접합상태를 유지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 상기 CTEL 상부에 투명 전도 산화막과 반사막을 순차적으로 적층하여, 소자 제조 공정의 열처리 및 소자 동작 중에 발생되는 열에 의해 금속막들 사이에서 야기되는 확산 현상을 제거하여, 높은 광출력을 유지할 수 있는 효과가 있다. 발광다이오드, 광출력, 반사, 투명, 산화막, 열처리
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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