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기판 상부에 P-GaN 전극층, P-AlGaN 클래드층, P-GaN 웨이브 가이드층, P-AlGaN 전자 범람 방지층, InGaN 양자 우물층, N-GaN 웨이브 가이드층, N-AlGaN 클래드층과 N-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;
상기 N-GaN 전극층에서 상기 N-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하는 단계와;
상기 N-AlGaN 클래드층에서 상기 P-GaN 전극층의 일부까지 메사(Mesa) 식각하는 단계와;
상기 리지 구조 상부 및 메사 식각된 P-GaN 전극층의 일부 영역을 노출시키고, 상기 P-AlGaN 클래드층 상부, 메사 식각된 측벽과 상기 P-GaN 전극층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;
상기 노출된 리지 구조를 감싸는 N-전극을 형성하고, 상기 노출된 P-GaN 전극층을 감싸는 P-전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 레이저 다이오드의 제조 방법
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기판 상부에 P-GaN/AlGaN 초격자(Supper lattice)층, P-GaN 전극층, P-AlGaN 클래드층, P-GaN 웨이브 가이드층, P-AlGaN 전자 범람 방지층, InGaN 양자 우물층, N-GaN 웨이브 가이드층, N-AlGaN 클래드층과 N-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;
상기 N-GaN 전극층에서 상기 N-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하고, 상기 N-AlGaN 클래드층에서 상기 P-GaN 전극층의 일부까지 메사(Mesa) 식각하는 단계와;
상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역 외측의 가장자리 영역을 식각하여, 상기 P-GaN/AlGaN 초격자층을 노출시키는 단계와;
상기 리지 구조 상부 및 상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역 상부를 노출시키고, 상기 P-GaN/AlGaN 초격자층 상부, 메사 식각된 측벽, 상기 상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역 측벽, 상기 리지 구조 측벽과 상기 N-AlGaN 클래드층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;
상기 리지 구조를 감싸는 N전극 및 상기 메사 식각된 영역에 있는 P-GaN 전극층의 중앙영역 상부에 P전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 레이저 다이오드의 제조 방법
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P-형 전도성 기판 상부에 P-GaN 전극층, P-AlGaN 클래드층, P-GaN 웨이브 가이드층, P-AlGaN 전자 범람 방지층, InGaN 양자 우물층, N-GaN 웨이브 가이드층, N-AlGaN 클래드층과 N-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;
상기 N-GaN 전극층에서 상기 N-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하는 단계와;
상기 리지 구조를 감싸고, 상기 N-AlGaN 클래드층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;
상기 리지 구조 상부의 산화막을 제거하고, 상기 리지 구조를 감싸는 N-전극을 형성하는 단계와;
상기 P-형 전도성 기판의 하부를 연마하여 일부를 제거하는 단계와;
상기 연마된 P-형 전도성 기판 하부에 P-전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 레이저 다이오드의 제조 방법
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N-형 전도성 기판 상부에 터널 정션(Tunnel junction)층, P-GaN층, P-AlGaN 클래드층, P-GaN 웨이브 가이드층, P-AlGaN 전자 범람 방지층, InGaN 양자 우물층, N-GaN 웨이브 가이드층, N-AlGaN 클래드층과 N-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;
상기 N-GaN 전극층에서 상기 N-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하는 단계와;
상기 리지 구조를 감싸고, 상기 N-AlGaN 클래드층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;
상기 리지 구조 상부의 산화막을 제거하고, 상기 리지 구조를 감싸는 제 1 전극을 형성하고, 상기 N-형 전도성 기판의 하부를 연마하여 일부를 제거하는 단계와;
상기 연마된 N-형 전도성 기판 하부에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 레이저 다이오드의 제조 방법
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