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기판상에 소스 및 드레인 영역을 포함하는 액티브 층을 형성하는 단계;
상기 액티브 층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트전극상에 층간 절연층을 형성하는 단계;
상기 층간 절연층상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극 층상에 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 제 1 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 포토레지스트 패턴 및 층간절연층 상에 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 제 2 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 적용하여 소스 및 드레인영역을 노출시키는 제 1 및 제 2 콘택트 홀을 형성하는 단계;
상기 제 1 포토레지스트 패턴 및 제 2 포토레지스트 패턴을 동시에 제거하는 단계;
상기 드레인영역 및 제 1 전극과 각각 연결되는 드레인전극과 상기 소스 영역과 연결되는 소스 전극을 형성하는 단계;
상기 소스 및 드레인 전극과 절연 층을 개재한 채, 상기 제 1 전극과 연결되는 유기발광 층을 형성하는 단계;
상기 유기발광 층과 연결되는 제 2 전극 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 1 전극을 형성하는 단계는
상기 층간 절연층상에 도전성의 제 1 전극층을 도포하는 단계;
상기 제 1 전극 층상에 제 1 포토레지스트를 도포하는 단계;
상기 제 1 포토레지스트를 노광 및 현상하여 유기전계발광소자의 제 1 전극을 정의하는 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 제 1 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 적용하고 상기 제 1 전극 층을 식각하여 제 1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는
상기 제 1 포토레지스트 패턴 상에 제 2 포토레지스트를 도포하는 단계;
상기 제 2 포토레지스트를 노광 및 현상하여 상기 제 1 컨택홀 영역 및 제 2 컨택홀 영역을 구비하는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 영역을 포함하는 액티브 층 및 상기 액티브 층상에 형성되는 게이트 전극을 형성하는 단계는
기판상에 액티브 층 패턴을 형성하는 단계;
상기 액티브 층상에 게이트 절연 층을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연 층상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극을 마스크로 적용하여 상기 액티브 층에 불순물 이온을 주입함으로써 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 액티브 층 패턴을 형성하는 단계에서
커패시터의 제 1 전극이 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자 제조방법
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6
제 5항에 있어서, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계에서
상기 게이트 절연층상에 상기 커패시터의 제 1 전극과 대응되는 커패시터의 제 2 전극이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 소스 전극이 형성되는 단계에서
상기 소스전극은 상기 커패시터의 제 2 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자 제조방법
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