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반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법

  • 기술번호 : KST2015036112
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법에 관한 것으로, 일면에 질화물 반도체층이 적층되어 복수의 반도체 레이저 다이오드 구조가 형성되어 있는 기판을 상기 반도체 레이저 다이오드의 거울면을 형성하려는 방향과 평행한 방향 및 수직한 방향으로 절단하는 스크라이빙 공정을 추가적으로 수행하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 사파이어 기판과 GaN계 에피층의 격자 상수 및 열팽창 계수의 차이로 인해 발생하는 응력을 감소시켜 양질의 거울면을 형성함으로 인해 반도체 레이저 다이오드의 문턱전류 및 수율을 향상시키는 효과가 있다. 스크라이빙(scribing), 응력, 거울면, 크랙(crack), 반도체 레이저 다이오드
Int. CL H01S 5/028 (2006.01)
CPC H01S 5/0281(2013.01) H01S 5/0281(2013.01) H01S 5/0281(2013.01)
출원번호/일자 1020050013807 (2005.02.18)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1019790-0000 (2011.02.25)
공개번호/일자 10-2006-0092719 (2006.08.23) 문서열기
공고번호/일자 (20110304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 여환국 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창남 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, *층 (서초동, 명지빌딩)(나이스국제특허법률사무소)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3 장재용 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **-*, *층(역삼동, 대명빌딩)(휴피아국제특허법률사무소)
4 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
5 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0088099-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0647639-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065379-25
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0103982-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일면에 질화물 반도체층이 적층되어 복수의 반도체 레이저 다이오드 구조가 형성되어 있는 기판을 상기 반도체 레이저 다이오드의 공진폭보다 큰 폭을 갖도록 상기 반도체 레이저 다이오드의 거울면을 형성하려는 방향과 평행한 방향으로 절단하는 제1스크라이빙 단계; 상기 제1스크라이빙을 한 기판을 상기 반도체 레이저 다이오드의 칩 간격보다 큰 폭을 갖도록 상기 반도체 레이저 다이오드의 거울면을 형성하려는 방향과 수직한 방향으로 절단하는 제2스크라이빙 단계; 및 상기 제2스크라이빙을 한 기판을 상기 반도체 레이저 다이오드의 공진폭과 동일한 폭이 되도록 상기 반도체 레이저 다이오드의 거울면을 형성하려는 방향과 평행한 방향으로 절단하는 제3스크라이빙 단계로 이루어지는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1스크라이빙 단계의 스크라이빙 폭(L1)과 상기 반도체 레이저 다이오드의 공진폭(LC)사이에는 LC 〈 L1 〈 2 LC 의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2스크라이빙 단계의 스크라이빙 폭(L2)은 3 ~ 10 ㎜ 인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.