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기판 상부에 질화갈륨 박막을 형성하는 단계와;상기 질화갈륨 박막을 선택적으로 식각하여, 상호 이격된 복수개의 씨드(Seed)층을 형성하는 단계와;상기 씨드층 상부에 질화갈륨층을 형성하는 단계와;상기 질화갈륨층 상부에 n-GaN 전극층, n-AlGaN 조성 변화층, n-AlGaN 클래드층, n-GaN 웨이브 가이드층, InGaN 양자우물 활성층, p-AlGaN 전자범람 방지층, p-GaN 웨이브 가이드층, p-AlGaN 클래드층과 p-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;상기 p-GaN 전극층에서 p-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하는 단계와;상기 p-AlGaN 클래드층에서 n-AlGaN 조성 변화층까지 일부를 메사식각하여, 상기 n-GaN 전극층을 노출시키는 단계와;상기 리지 구조 상부 및 n-GaN 전극층의 일부 영역을 노출시키고, 상기 p-AlGaN 클래드층 상부, 메사 식각된 측벽, 리지 구조 측벽과 상기 n-GaN 전극층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;상기 노출된 리지 구조를 감싸는 p-전극을 형성하고, 상기 노출된 n-GaN 전극층을 감싸는 n-전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 n-GaN 전극층 상부에서 처음 성장된 n-AlGaN 조성 변화층의 성장 시작 Al 조성은, 상기 n-AlGaN 클래드층에 접촉되는 n-AlGaN 조성 변화층의 성장 마감 Al 조성보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
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기판 상부에 질화갈륨 박막을 형성하는 단계와;상기 질화갈륨 박막을 선택적으로 식각하여, 상호 이격된 복수개의 씨드(Seed)층을 형성하는 단계와;상기 씨드층 상부에 질화갈륨층을 형성하는 단계와;상기 질화갈륨층 상부에 n-GaN 전극층, InGaN 크래킹 방지층, In과 Al 조성변화층, n-AlGaN 클래드층, n-GaN 웨이브 가이드층, InGaN 양자우물 활성층, p-AlGaN 전자범람 방지층, p-GaN 웨이브 가이드층, p-AlGaN 클래드층과 p-GaN 전극층을 순차적으로 적층하는 단계와;상기 p-GaN 전극층에서 p-AlGaN 클래드층의 일부까지 식각하여 리지 구조를 형성하는 단계와;상기 p-AlGaN 클래드층에서 In과 Al 조성변화층까지 일부를 메사식각하여, 상기 n-GaN 전극층을 노출시키는 단계와;상기 리지 구조 상부 및 n-GaN 전극층의 일부 영역을 노출시키고, 상기 p-AlGaN 클래드층 상부, 메사 식각된 측벽, 리지 구조 측벽과 상기 n-GaN 전극층 상부에 산화막을 형성하는 단계와;상기 노출된 리지 구조를 감싸는 p-전극을 형성하고, 상기 노출된 n-GaN 전극층을 감싸는 n-전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 In과 Al 조성변화층은, 상기 InGaN 크래킹 방지층에 접근하면 In의 조성이 높아지는 n-InGaN 조성 변화층과 n-AlGaN 클래드층에 접근하면 Al의 조성이 높아지는 n-AlGaN 조성 변화층으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 n-InGaN 조성 변화층과 n-AlGaN 조성 변화층이 접촉되는 영역에서,상기 n-InGaN 조성 변화층과 n-AlGaN 조성 변화층 사이에 n-GaN층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 n-InGaN 조성 변화층은, 상기 InGaN 크래킹 방지층 상부에서 성장이 시작되는 n-InGaN 조성 변화층의 In 조성은 성장이 마감되는 n-InGaN 조성 변화층의 In 조성보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 n-AlGaN 조성 변화층은, 성장이 시작되는 n-AlGaN 조성 변화층의 Al 조성은 성장이 마감되는 n-AlGaN 조성 변화층의 Al 조성보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 In 과 Al 조성변화층의 두께는 0
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