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발광 장치 와 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015036953
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 발광 장치는 제1 전극과 제2전극을 구비하는 발광 소자와, 주면에 캐비티가 형성되며 상기 발광 소자가 상기 캐비티 내부에 장착되고 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 반도체 부재를 포함하며, 상기 반도체 부재가 외부로부터 공급되는 전압을 안정하 시키는 전원조정 다이오드로 구성되어, 외부로부터 유입되는 정전기나 서지 전압으로부터 발광소자가 보호되는 것은 물론이고, 장치 전체의 크기가 현저히 줄어들고 그 구조가 매우 단순해지며, 장치로부터 발생되는 열이 효과적으로 외부로 방출될 수 있다. 또한, 상기 캐비티 내부에 반사부가 구비됨에 따라 발광소자의 광을 효율적으로 집속시킬 수 있게된다.발광 소자, 반도체 기판, 전압조정 다이오드
Int. CL H01L 33/48 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020050030841 (2005.04.13)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0631521-0000 (2006.09.27)
공개번호/일자 10-2006-0045682 (2006.05.17) 문서열기
공고번호/일자 (20061011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020040026432   |   2004.04.17
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.04.13)
심사청구항수 56

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송기창 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 김근호 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0192869-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.04.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.05.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0033852-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0296604-21
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0505881-52
6 의견서
Written Opinion		 2006.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0505878-14
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0505376-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극과 제2전극을 구비하는 발광 소자와;주면에 캐비티가 형성되며 상기 발광 소자가 상기 캐비티 내부에 장착되고 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 반도체 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 반도체 부재는 그 주면에 상기 제1및 2전극과 각각 전기적으로 연결되는 적어도 두개의 반도체 영역들이 구비되는 전압조정 다이오드인 것을 특징으로 하는 발광 장치
3 3
제2항에 있어서,상기 반도체 영역들은상기 제1전극과 전기적으로 연결되는 상기 주면 일부에 도핑된 p 타입 반도체 확산영역과;상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 상기 p 타입 반도체 확산영역을 제외한 상기 반도체 부재의 나머지 n 타입 반도체 영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
4 4
제2항에 있어서,상기 반도체 영역들은상기 제1전극과 전기적으로 연결되는 상기 주면 일부에 도핑된 제 1 p타입 반도체 확산영역과;상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 상기 주면 일부에 도핑된 제2 p 타입 반도체 확산영역과;상기 제 1및 제2 p 타입 반도체 확산영역들을 제외한 상기 반도체 부재의 나머지 n 타입 반도체 영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
5 5
제2항에 있어서,상기 반도체 영역들은상기 제1전극과 전기적으로 연결되는 상기 주면 일부에 도핑된 p 타입 반도체 확산영역과;상기 p 타입 반도체 확산영역의 일부분에 도핑되어 형성되어 상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 n 타입 반도체 확산영역을 포함하여 구성되는 발광 장치
6 6
제2항에 있어서,상기 반도체 영역들은 상기 캐비티의 저면에 구비되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
7 7
제2항에 있어서,상기 반도체 영역들은 상기 캐비티의 측벽에 연장되는 상기 주면의 상부에 구비되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
8 8
제2항에 있어서,상기 주면 전체에는 상기 제1및 2전극과 상기 반도체 영역들이 각각 전기적으로 연결되게 접촉홀들이 형성된 절연층이 구비되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
9 9
제8항에 있어서,상기 접촉홀들은 상기 캐비티의 측벽에 연장되는 상기 주면의 상부에 구비된 상기 절연층에 형성되고, 그 접촉홀을 통해 상기 제1및 2전극과 전기적으로 연결되는 상기 반도체 영역들이 드러나는 것을 특징으로 하는 발광 장치
10 10
제8항에 있어서,상기 접촉홀들은 상기 캐비티의 저면에 구비된 절연층에 형성되고, 그 접촉홀을 통해 상기 제1및 2전극과 전기적으로 연결되는 상기 반도체 영역들이 드러나는 것을 특징으로 하는 발광 장치
11 11
제8항에 있어서,상기 절연층위에는 상기 제1및 2전극과 상기 반도체 영역들을 각각 전기적으로 연결시킴과 아울러 외부 요소와 전기적으로 연결되는 한쌍의 연결 전극이 구비되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
12 12
제8항에 있어서,상기 절연층은 AIN, ZnO, BeO, 실리콘 산화물 그리고 실리콘 질화물 중 어느 하나로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 발광 장치
13 13
제11항에 있어서,상기 한쌍의 연결 전극은 각각 상기 캐비티의 저면으로부터 그 측벽을 따라 상기 주면의 상부까지 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
14 14
제11항에 있어서,상기 제1및 2전극과 한쌍의 연결 전극이 그들 사이에 위치한 장착부들을 통해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
15 15
제14항에 있어서,상기 장착부는 금속으로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 발광 장치
16 16
제1항에 있어서,상기 캐비티의 깊이는 상기 캐비티 내부에 장착된 발광 소자의 높이 보다 깊은 것을 특징으로 하는 발광 장치
17 17
제1항에 있어서,반사부가 상기 캐비티 측벽을 따라 구비되어 상기 발광 소자로부터 나오는 빛을 집속시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치
18 18
제 2항에 있어서,상기 전압조정다이오드와 상기 발광 소자는 전기적으로 병렬 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
19 19
제2항에 있어서,상기 전압조정다이오드와 상기 발광 소자는 전기적으로 서로 반대극끼리 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
20 20
제1항에 있어서,상기 반도체 부재는 실리콘 재질로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 발광 장치
21 21
제1항에 있어서,방열부재가 상기 반도체 부재의 주면의 반대면에 부착되어 상기 발광 소자로부터 발새되는 열을 외부로의 전달하는 것을 특징으로 하는 발광 장치
22 22
제21항에 있어서,상기 방열부재는 구리와 철 같은 금속으로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 발광 장치
23 23
제1항에 있어서,상기 발광 소자는 발광 다이오드(LED)인 것을 특징으로 하는 발광 장치
24 24
제1항에 있어서,상기 발광 소자는 레이져 다이오드(LD)인 것을 특징으로 하는 발광 장치
25 25
제1전극과 제2전극을 구비한 발광 소자와;주면에 캐비티가 형성되며 상기 발광 소자가 상기 캐비티 내부에 장착되고 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 반도체 부재를 포함하며,상기 반도체 부재는 그 주면에 상기 제1및 2전극과 각각 전기적으로 연결되는 적어도 두개의 반도체 영역들이 상기 캐비티의 측벽에 연장되는 상기 주면의 상부에 구비되는 전압조정 다이오드인 것을 특징으로 하는 발광 장치
26 26
제25항에 있어서,상기 반도체 영역들은상기 제1전극과 전기적으로 연결되는 상기 주면 일부에 도핑된 p 타입 반도체 확산영역과;상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 상기 p 타입 반도체 확산영역을 제외한 상기 반도체 부재의 나머지 n 타입 반도체 영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
27 27
제25항에 있어서,상기 반도체 영역들은상기 제1전극과 전기적으로 연결되는 상기 주면 일부에 도핑된 제 1 p타입 반도체 확산영역과;상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 상기 주면 일부에 도핑된 제2 p 타입 반도체 확산영역과;상기 제 1및 제2 p 타입 반도체 확산영역들을 제외한 상기 반도체 부재의 나머지 n 타입 반도체 영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
28 28
제25항에 있어서,상기 반도체 영역들은상기 제1전극과 전기적으로 연결되는 상기 주면 일부에 도핑된 p 타입 반도체 확산영역과;상기 p 타입 반도체 확산영역의 일부분에 도핑되어 형성되어 상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 n 타입 반도체 확산영역을 포함하여 구성되는 발광 장치
29 29
제25항에 있어서,반사부가 상기 캐비티 측벽을 따라 구비되어 상기 발광 소자로부터 나오는 빛을 집속시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치
30 30
제1전극과 제2전극을 구비한 발광 소자와;주면에 캐비티가 형성되며 상기 발광 소자가 상기 캐비티 내부에 장착되고 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 반도체 부재를 포함하며,상기 반도체 부재는 그 주면에 상기 제1및 2전극과 각각 전기적으로 연결되는 적어도 두개의 반도체 영역들이 상기 캐비티의 저면에 구비되는 전압조정 다이오드인 것을 특징으로 하는 발광 장치
31 31
제30항에 있어서,상기 반도체 영역들은상기 제1전극과 전기적으로 연결되는 상기 주면 일부에 도핑된 p 타입 반도체 확산영역과;상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 상기 p 타입 반도체 확산영역을 제외한 상기 반도체 부재의 나머지 n 타입 반도체 영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
32 32
제30항에 있어서,상기 반도체 영역들은상기 제1전극과 전기적으로 연결되는 상기 주면 일부에 도핑된 제 1 p타입 반도체 확산영역과;상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 상기 주면 일부에 도핑된 제2 p 타입 반도체 확산영역과;상기 제 1및 제2 p 타입 반도체 확산영역들을 제외한 상기 반도체 부재의 나머지 n 타입 반도체 영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
33 33
제30항에 있어서,상기 반도체 영역들은상기 제1전극과 전기적으로 연결되는 상기 주면 일부에 도핑된 p 타입 반도체 확산영역과;상기 p 타입 반도체 확산영역의 일부분에 도핑되어 형성되어 상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 n 타입 반도체 확산영역을 포함하여 구성되는 발광 장치
34 34
제30항에 있어서,반사부가 상기 캐비티 측벽을 따라 구비되어 상기 발광 소자로부터 나오는 빛을 집속시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치
35 35
제1 전극과 제2전극을 구비하는 발광 소자와, 주면에 캐비티가 형성되며 상기 발광 소자가 상기 캐비티 내부에 장착되고 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 반도체 부재를 포함하며, 상기 반도체 부재는 그 주면에 상기 제1및 2전극과 각각 전기적으로 연결되는 적어도 두개의 반도체 영역들이 구비되는 전압조정 다이오드인 발광 장치와;상기 발광 장치가 장착되며 상기 제1및 2전극과 상기 반도체 영역들과 전기적으로 연결되는 한쌍의 리드 프레임을 구비한 스템부와;상기 발광 장치를 밀폐시키도록 상기 스템부를 복개하는 캡부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치
36 36
제35항에 있어서,반사부가 상기 캐비티 측벽을 따라 구비되어 상기 발광 소자로부터 나오는 빛을 집속시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치
37 37
제35항에 있어서,방열부재가 상기 반도체 부재의 주면의 반대면에 부착되어 상기 발광 소자로부터 발새되는 열을 외부로의 전달하는 것을 특징으로 하는 발광 장치
38 38
반도체 기판의 주면에 캐비티를 형성하는 단계와;상기 주면에 적어도 하나의 불순물 확산영역을 형성시켜 복수개의 반도체 영역을 형성시키는 단계와;상기 주면 전체에 절연층을 형성하고 그 일부에 접촉홀을 패터닝하여 상기 복수개의 반도체 영역들중 두영역을 노출시키는 단계와;상기 노출된 두개의 반도체 영역들과 이후 장착될 발광소자를 전기적으로 연결함과 아울러 외부 요소와의 전기적 연결을 위해 상기 접촉홀들을 메우도록 상기 캐비티 저면으로부터 그 측벽을 따라 그 측벽에 이어지는 상지 주면의 상부까지 연장형성되는 한쌍의 연결 전극을 형성하는 단계와;한쌍의 연결 전극에 상기 발광소자를 연결하여 상기 발광 소자를 상기 캐비티 내부에 위치 시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
39 39
제38항에 있어서,상기 복수개의 반도체 영역을 형성하는 단계에서 하나의 p 타입 불순물 확산영역을 상기 캐비티의 측벽에 이어지는 상기 주면의 상부에 형성되는 시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
40 40
제39항에 있어서,상기 두개의 반도체 영역들을 노출시키는 단계에서 상기 p 타입 불순물 확산영역과 n 타입의 상기 반도체 기판의 일부가 상기 주면 상부에 노출되게 상기 절연층의 접촉홀을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
41 41
제38항에 있어서,상기 복수개의 반도체 영역을 형성하는 단계에서 제1 p 타입 불순물 확산영역과 제2 p타입 불순물 확산영역을 상기 캐비티의 측벽에 이어지는 상기 주면의 상부에 각각 형성되는 시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
42 42
제41항에 있어서,상기 두개의 반도체 영역들을 노출시키는 단계에서 상기 제1 p 타입 불순물 확산영역과 제2 p타입 불순물 확산영역이 상기 주면 상부에 각각 노출되게 상기 절연층의 접촉홀을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
43 43
제38항에 있어서,상기 복수개의 반도체 영역을 형성하는 단계에서 p 타입 불순물 확산영역과 상기 p 타입 불순물 확산영역의 일부영역에 도핑되는 n 타입 불순물 확산영역을 상기 캐비티의 측벽에 이어지는 상기 주면의 상부에 각각 형성되는 시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
44 44
제43항에 있어서,상기 두개의 반도체 영역들을 노출시키는 단계에서 상기 p 타입 불순물 확산영역과 n타입 불순물 확산영역이 상기 주면 상부에 각각 노출되게 상기 절연층의 접촉홀을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
45 45
제38항에 있어서,상기 복수개의 반도체 영역을 형성하는 단계에서 하나의 p 타입 불순물 확산영역을 상기 캐비티의 저면에 형성되는 시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
46 46
제45항에 있어서,상기 두개의 반도체 영역들을 노출시키는 단계에서 상기 p 타입 불순물 확산영역과 n 타입의 상기 반도체 기판의 일부가 상기 캐비티 저면에 노출되게 상기 절연층의 접촉홀을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
47 47
제38항에 있어서,상기 복수개의 반도체 영역을 형성하는 단계에서 제1 p 타입 불순물 확산영역과 제2 p타입 불순물 확산영역을 상기 캐비티의 저면에 각각 형성되는 시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
48 48
제47항에 있어서,상기 두개의 반도체 영역들을 노출시키는 단계에서 상기 제1 p 타입 불순물 확산영역과 제2 p타입 불순물 확산영역이 상기 캐비티의 저면에 각각 노출되게 상기 절연층의 접촉홀을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
49 49
제38항에 있어서,상기 복수개의 반도체 영역을 형성하는 단계에서 p 타입 불순물 확산영역과 상기 p 타입 불순물 확산영역의 일부영역에 도핑되는 n 타입 불순물 확산영역을 상기 캐비티의 측벽에 이어지는 상기 주면의 상부에 각각 형성되는 시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
50 50
제48항에 있어서,상기 두개의 반도체 영역들을 노출시키는 단계에서 상기 p 타입 불순물 확산영역과 p타입 불순물 확산영역이 상기 캐비티 저면에 각각 노출되게 상기 절연층의 접촉홀을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
51 51
제38항에 있어서,상기 캐비티는 벌크 마이크로머시닝 기술을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
52 52
제38항에 있어서,상기 캐비티는 상기 캐비티 내부에 위치되는 상기 발광 소자의 높이보다 그 깊이가 더 깊도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
53 53
제38항에 있어서,상기 캐비티 내부의 한쌍의 연결 전극에 발광소자를 연결하는 단계에서 상기 발광소자는 플립칩 본딩 방식으로 접합되는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
54 54
제38항에 있어서,상기 한쌍의 연결 전극을 형성하는 단계이후에 상기 발광 소자의 접합을 위해 상기 캐비티 저면에 형성된 상기 연결 전극들 일부에 장착부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
55 55
제38항에 있어서,상기 연결 전극들이 형성된 상기 캐비티의 측벽에 반사부를 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
56 56
제38항에 있어서,상기 발광 소자를 연결하는 단계 이후에, 상기 반도체 기판의 주면의 반대면에 방열부재를 부착하는 단계를 더 포함 하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제작방법
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순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01587151 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01587151 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP17311364 JP 일본 FAMILY
4 US07408203 US 미국 FAMILY
5 US08008677 US 미국 FAMILY
6 US08263996 US 미국 FAMILY
7 US20050230692 US 미국 FAMILY
8 US20080290820 US 미국 FAMILY
9 US20110278637 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN100370632 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1684281 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP1587151 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP1587151 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 JP2005311364 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2005230692 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US2008290820 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US2011278637 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US7408203 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US8008677 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US8263996 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.