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박막 트랜지스터 및 이를 구비한 액정표시장치

  • 기술번호 : KST2015037087
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요약 제한된 면적에 형성된 박막 트랜지스터(TFT)의 턴온 전류와 이동도와 S-팩터를 증가시키고, 고해상도 화소에서 개구 손실을 막고, ASID(a-Si Drivier)와 같은 대형 TFT가 차지하는 면적을 줄이기에 알맞은 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 액정표시장치를 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 박막 트랜지스터는 기판상에 일정 폭과 길이를 갖고 패턴된 하부 게이트전극과; 상기 하부 게이트전극을 포함한 상기 기판 상에 형성된 게이트 절연막과; 상기 하부 게이트전극 상측의 상기 게이트 절연막위에 일정 모양으로 패턴 형성된 액티브층과; 상기 하부 게이트전극의 일/타측 상부에 각각 오버랩 되도록 상기 액티브층 및 이에 인접한 상기 게이트 절연막상에 형성된 소오스전극 및 드레인전극과; 상기 하부 게이트전극의 일영역에 콘택홀을 갖는 보호막과; 상기 콘택홀을 통해 상기 하부 게이트전극과 연결되며, 상기 소오스/드레인전극과 오버랩되지 않도록 상기 소오스/드레인전극 사이의 상기 보호막상에 형성된 상부 게이트전극을 포함함을 특징으로 한다. 상부 게이트전극, 채널, TFT
Int. CL G02F 1/1368 (2006.01)
CPC G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01)
출원번호/일자 1020050032368 (2005.04.19)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1107697-0000 (2012.01.12)
공개번호/일자 10-2006-0110143 (2006.10.24) 문서열기
공고번호/일자 (20120125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.15)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 추교섭 대한민국 경기 수원시 장안구
2 손충용 대한민국 충북 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0203044-24
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0160877-59
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0019081-47
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0399750-89
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0725332-75
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0725331-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
11 등록결정서
Decision to grant
2011.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0613688-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
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번호 청구항
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기판상에 일정 폭과 길이를 갖고 패턴된 하부 게이트전극과; 상기 하부 게이트전극을 포함한 상기 기판상에 형성된 게이트 절연막과; 상기 하부 게이트전극 상측의 상기 게이트 절연막위에 일정 모양으로 패턴 형성된 액티브층과; 복수개의 돌출부를 갖고 상기 하부 게이트전극 상부의 상기 액티브층 상의 상기 게이트 절연막상에 형성된 소오스전극과; 복수개의 돌출부를 갖고 상기 소오스전극의 사이의 상기 하부 게이트전극 상부의 상기 액티브층 상의 상기 게이트 절연막상에 형성된 드레인전극과; 상기 하부 게이트전극의 일영역에 콘택홀을 갖는 보호막과; 상기 콘택홀을 통해 상기 하부 게이트전극과 연결되며, 상기 소오스,드레인전극과 오버랩되지 않도록 그 사이의 상기 보호막상에 형성된 상부 게이트 전극을 포함함을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 5 항에 있어서, 상기 드레인전극은 상기 소오스전극과 일정 간격 이격되어 있음을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 5 항에 있어서, 상기 액티브층과 상기 소오스전극의 사이 및 상기 액티브층과 상기 드레인전극의 사이에는 n+ a-Si으로 구성된 오믹 콘택층이 더 구비되어 있음을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 5 항에 있어서, 상기 상부 게이트전극은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO) 또는 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO)과 같은 투명 도전막으로 구성되어 있음을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제 5 항에 있어서, 상기 상부 게이트전극은 불투명 도전막으로 구성되어 있는 것을 더 포함함을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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