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갈륨나이트라이드계 광소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015037921
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈륨나이트라이드계 광소자 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 갈륨나이트라이드계 광소자는 기판, 기판 상에 형성된 p형 갈륨나이트라이드층, p형 갈륨나이트라이드층 상에 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 p형 오믹 전극 및 p형 갈륨나이트라이드층과 p형 오믹 전극의 계면에 형성된 게터(getter) 금속 물질을 포함하며, 본 발명의 일 실시예에 따른 갈륨나이트라이드계 광소자의 제조 방법은 기판 상에 p형 갈륨나이트라이드층을 형성하는 단계, p형 갈륨나이트라이드층 상에 게터(getter) 금속 물질을 형성하는 단계, 게터 금속 물질이 형성된 상기 p형 갈륨나이트라이드층 상에 ITO(Indium Tin Oxide) 전극막을 형성하는 단계 및 ITO 전극막을 열처리하여 p형 오믹 전극을 형성하는 단계를 포함한다.갈륨나이트라이드계 광소자, 오믹 접촉, 게터 금속
Int. CL H01L 33/02 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020050052766 (2005.06.18)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1154848-0000 (2012.06.04)
공개번호/일자 10-2006-0132424 (2006.12.21) 문서열기
공고번호/일자 (20120618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.18)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태형 대한민국 경기도 군포시 산본천로 **, 을지아파트 *
2 주민호 대한민국 서울특별시 광진구
3 박규호 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 장준호 대한민국 경기도 안양시 동안구
5 하준석 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)
2 이수웅 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)(특허법인로얄)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0323767-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0784799-30
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0216225-39
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0354771-03
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0354772-48
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0633975-78
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0917190-81
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0917189-34
12 등록결정서
Decision to grant
2012.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0195732-73
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 p형 갈륨나이트라이드층;상기 p형 갈륨나이트라이드층 상에 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 p형 오믹 전극; 및상기 p형 갈륨나이트라이드층과 상기 p형 오믹 전극의 계면에는 게터(getter) 금속 물질과 질소(N)가 결합된 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드계 광소자
2 2
제1항에 있어서,상기 게터 금속 물질은 Ti, Zr, Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드계 광소자
3 3
제1항에 있어서,상기 게터 금속 물질의 농도는 1
4 4
기판 상에 p형 갈륨나이트라이드층을 형성하는 단계;상기 p형 갈륨나이트라이드층 상에 게터(getter) 금속 물질을 형성하는 단계;상기 게터 금속 물질이 형성된 상기 p형 갈륨나이트라이드층 상에 ITO(Indium Tin Oxide) 전극막을 형성하는 단계; 상기 ITO 전극막을 열처리하여 p형 오믹 전극을 형성하는 단계; 및상기 p형 갈륨나이트라이드층과 상기 p형 오믹 전극 사이에 열처리 공정에 의해 상기 p형 갈륨나이트라이드층의 갈륨나이트라이드 분해(decomposition) 현상으로 발생된 질소(N)와 상기 게터(getter) 금속 물질의 화합물을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드계 광소자의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 게터 금속 물질을 형성하는 단계에서, 상기 게터 금속 물질은 Ti, Zr, Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드계 광소자의 제조 방법
6 6
제4항에 있어서,상기 게터 금속 물질을 형성하는 단계에서, 상기 게터 금속 물질은 스퍼터링(sputtering) 증착 공정, 화학 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Deposition) 공정 또는 이온 주입(Ion Implantation) 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이계 광소자의 제조 방법
7 7
제4항에 있어서,상기 게터 금속 물질을 형성하는 단계에서, 상기 게터 금속 물질의 농도는 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.