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플라즈마 식각 장치용 전극 및 이를 구비하는 플라즈마식각 장치

  • 기술번호 : KST2015038011
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라즈마 식각 장치용 전극 및 이를 구비하는 플라즈마 식각 장치가 제공된다. 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 식각 장치용 전극은, 상면에 기판이 안착되며 엠보스(emboss) 패턴을 갖도록 형성된 용사(溶射)층 및 용사층의 하부에 위치되며 용사층의 엠보스 패턴에 대응되는 엠보스 패턴을 갖도록 형성된 모재(母材)층을 포함한다. 플라즈마 식각, 하부 전극, 용사, 모재, 엠보스 패턴
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/32541(2013.01) H01J 37/32541(2013.01)
출원번호/일자 1020050056254 (2005.06.28)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1102039-0000 (2011.12.27)
공개번호/일자 10-2007-0000694 (2007.01.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최영일 대한민국 충남 아산시
2 박기춘 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0345784-88
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0709525-87
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0397576-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0032480-12
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0422207-49
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0756960-43
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0756963-80
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
12 등록결정서
Decision to grant
2011.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0631831-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상면에 기판이 안착되며 엠보스(emboss) 패턴을 갖도록 형성된 용사(溶射)층; 상기 용사층의 하부에 위치되며 상기 용사층의 엠보스 패턴에 대응되는 엠보스 패턴을 갖도록 형성된 모재(母材)층; 및 상기 용사층과 상기 모재층의 사이에 위치되며, 하부면에 상기 모재층의 엠보스 패턴에 대응되는 엠보스 패턴을 갖도록 형성된 버퍼층을 포함하는 플라즈마 식각 장치용 전극
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 용사층은 전면(全面)에 걸쳐 상기 모재층의 표면을 기준으로 소정의 오차 범위 내에서 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치용 전극
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층은 소정의 오차 범위 내에서 일정한 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치용 전극
5 5
공정 챔버; 상기 공정 챔버의 저면에 배치되어 상면에 기판이 안착되며, 서로 대응되는 엠보스 패턴이 형성된 모재층과 용사층을 구비하는 하부 전극; 상기 공정 챔버의 상부에 배치되어 반응 가스와 고주파 전압에 의해 플라즈마를 형성하는 상부 전극; 및 상기 용사층과 상기 모재층의 사이에 위치되며, 상기 모재층의 엠보스 패턴에 대응되는 엠보스 패턴을 갖도록 형성된 버퍼층을 포함하는 플라즈마 식각 장치
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 용사층은 전면(全面)에 걸쳐 상기 모재층의 표면을 기준으로 소정의 오차 범위 내에서 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.