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측면형 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015038040
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 측면형 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘을 미세 가공하여 패키지의 서브 마운트 구조물을 제작하고, 한 번의 사진 식각 공정을 통하여 상기 서브 마운트 구조물 상에 인쇄 회로 기판 및 발광 다이오드와 전기적으로 접속하기 위한 전극들을 형성한 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 실리콘을 미세 가공하여 측면형 발광 다이오드 패키지의 서브 마운트 구조물을 형성함으로써, 패키지를 소형화할 수 있으며 원가 절감의 효과를 가져올 수 있다. 그리고, 한 번의 사진 식각 공정을 통하여 서브 마운트 구조물상에 인쇄 회로 기판 및 발광 다이오드와 전기적으로 접속하기 위한 전극을 형성함으로써, 와이어 본딩이 필요 없어 부품 수를 줄일 수 있고, 제조 공정을 줄일 수 있다. 측면형 발광 다이오드, 경사 증착, 포토 레지스트
Int. CL H01L 33/62 (2014.01)
CPC H01L 33/48(2013.01)H01L 33/48(2013.01)H01L 33/48(2013.01)H01L 33/48(2013.01)H01L 33/48(2013.01)H01L 33/48(2013.01)
출원번호/일자 1020050054112 (2005.06.22)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0600404-0000 (2006.07.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060718) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.06.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선호 대한민국 서울특별시 영등포구
2 송기창 대한민국 경기도 의왕시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창남 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, *층 (서초동, 명지빌딩)(나이스국제특허법률사무소)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3 장재용 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **-*, *층(역삼동, 대명빌딩)(휴피아국제특허법률사무소)
4 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
5 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0332226-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0037664-15
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0375888-56
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부에 돌출부를 가지는 서브 마운트 구조물; 상기 서브 마운트 구조물의 일 측면에 상호 이격되어 형성된 제1 전극과 제2 전극; 상기 제1 전극 및 제2 전극에서 각각 연장되어 상기 서브 마우트 구조물의 돌출되지 않은 하부에 형성된 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극; 상기 제1 전극과 제2 전극 상부에 각각 형성된 솔더 패턴; 및 상기 솔더 패턴을 통해 상기 제1 전극 및 제2 전극과 접합된 발광 다이오드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 측면형 발광 다이오드 패키지
2 2
제1항에 있어서, 상기 서브 마운트의 돌출부를 지지대로하여 상기 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극과 전기적으로 본딩되는 인쇄 회로 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 측면형 발광 다이오드 패키지
3 3
기판 상부에 주기적으로 상호 이격된 돌출부를 형성하는 단계; 상기 기판 상부에 상기 돌출부를 감싸며 절연막과 포토 레지스트를 순차적으로 형성하는 단계; 상기 포토 레지스트를 선택적으로 식각하여 상기 돌출부의 상부에 상호 이격된 제1 전극 및 제2 전극의 형성을 위한 패턴과 상기 돌출부의 일 측면에 상기 제1 전극 및 제2 전극의 형성을 위한 패턴과 각각 연장되어 있는 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극의 형성을 위한 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판을 일정 각도를 갖도록 위치시킨 후, 금속을 증착하는 단계; 리프트 오프(Lift-Off) 공정으로 남아 있는 포토 레지스트를 제거하여 상기 돌출부의 상부에 상호 이격된 제1 전극 및 제2 전극과 상기 돌출부의 일 측면에 상기 제1 전극 및 제2 전극과 각각 연장되어 있는 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 및 제2 전극 상에 각각 솔더 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극이 형성되지 않은 돌출부의 측면 각각의 기판 영역을 절단하여 복수개의 서브 마운트 구조물들로 분리시키는 단계; 및 상기 분리된 각각의 서브 마운트 구조물에 발광 다이오드를 접합하는 단계로 이루어지는 측면형 발광 다이오드 패키지의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 포토 레지스트는 음성 포토 레지스트인 것을 특징으로 하는 측면형 발광 다이오드 패키지의 제조방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 금속의 증착은 직진성을 가지는 전자선 증착기를 이용하는 것을 특징으로 하는 측면형 발광 다이오드 패키지의 제조방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 측면형 발광 다이오드 패키지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.