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탄소나노튜브 박막의 패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015038085
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판의 소정 영역에 SAM(Self-assembled monolayer treatment) 처리를 하여 원하는 패턴대로 탄소나노입자가 성장하도록 함으로써 별도의 탄소나노입자 박막의 패터닝 공정을 수행하지 않아도 되는 탄소나노튜브 박막의 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 특히 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판 상에 원하는 패턴대로 자기정렬층을 형성하는 단계와, 상기 자기정렬층에 탄소 소스를 제공하여, 상기 자기정렬층을 성장핵으로 원하는 패턴대로 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.선택적 박막형성, 비노광 공정, 탄소나노튜브
Int. CL B82Y 20/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020050054623 (2005.06.23)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1147093-0000 (2012.05.10)
공개번호/일자 10-2006-0134716 (2006.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (20120518) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.09)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진욱 대한민국 경기 의왕시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2005-0335193-25
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0369468-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0215411-92
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번호 청구항
1 1
기판을 제공하는 단계와, 상기 기판 상에 원하는 패턴대로 자기정렬층을 형성하는 단계와, 상기 자기정렬층에 탄소 소스를 제공하여, 상기 자기정렬층을 성장핵으로 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 패턴 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 소정 부위에 자기정렬층을 형성하는 단계는, 소프트 몰드를 제공하는 단계와, 상기 소프트 몰드에 자기정렬층용 물질을 흡수시키는 단계와,상기 기판의 소정 부위에 상기 소프트 몰드를 찍어 기판 상에 자기정렬층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 패턴 형성방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 소프트 몰드는 PDMS(polydimethyl siloxane) 몰드인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 패턴 형성방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 자기정렬층용 물질로 실록산 계통의 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 패턴 형성방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 실록산 계통의 물질로 SiCl3C12H25, Si(Oet)3C12H25를 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 패턴 형성방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 자기정렬층에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계는, 상기 탄소 소스를 제공하는 용액 내에 자기정렬층이 형성되어 있는 기판을 담궈 수행하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 패턴 형성방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 탄소 소스를 제공하는 용액은,나노튜브 성장의 촉매를 생산하는 용질과 탄소 소스(carbon source)를 공급하는 용매로 구성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 패턴 형성방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 자기정렬층에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계에서, 초음파화(Ultrasonication) 과정을 수행하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 박막의 패턴 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.