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식각용액과 이를 이용한 전극 및 배선형성방법

  • 기술번호 : KST2015038108
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요약 본 발명은 전자소자를 형성함에 있어, ITO층과 금속층(구리층)이 적층된 전극 및 배선을 형성하기 위한 식각용액과 이를 이용한 식각방법에 관한 것이다.본 발명은 적층된 ITO층과 금속층(구리층)을 동시에 식각하기 위한 식각용액으로, 17.5~20.5wt%의 질산(HNO3)와, 0.5~1.5wt%의 과산화수소(H2O2)와, 1.0~2.0wt%의 ATZ과, 0.25~0.75wt%의 2M, 0.01~0.1wt%의 Mol-A, 0.5~1wt%의 MBTA를 포함한 식각액을 사용한다.전술한 식각액으로 ITO층과 금속층(구리층)이 적층된 층을 동시에 패턴하게 되면, 식각율이 증가하고 상기 ITO잔사가 남지 않아 식각장비의 처리량 증가로 생산성이 향상되는 장점이 있다.
Int. CL C23F 1/18 (2006.01)
CPC C23F 1/16(2013.01) C23F 1/16(2013.01) C23F 1/16(2013.01) C23F 1/16(2013.01) C23F 1/16(2013.01) C23F 1/16(2013.01)
출원번호/일자 1020050057086 (2005.06.29)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1187268-0000 (2012.09.25)
공개번호/일자 10-2007-0001530 (2007.01.04) 문서열기
공고번호/일자 (20121002) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.24)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류순성 대한민국 경기도 군포시 고산로***번길 **, 금강APT *
2 권오남 대한민국 경기 용인시
3 남승희 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0350845-93
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0406823-08
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0109705-01
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0321824-07
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0321826-98
10 등록결정서
Decision to grant
2012.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0565384-11
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번호 청구항
1 1
17
2 2
제 1 항에 있어서,상기 킬레이트제는 에틸렌 디아민 테트라 아세테이트와 에틸렌 디아민을 포함하는 킬레이트제 그룹 중 선택된 하나인 배선 형성용 식각용액
3 3
상기 제 1 항에 의한 식각용액을 이용한 신호 배선 형성방법은, 기판을 준비하는 단계와;상기 기판의 상부에 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 증착하여, ITO층을 형성하는 단계와;상기 ITO층상에 구리(Cu)를 증착하여 구리층을 형성하는 단계와;상기 ITO층과 구리층의 상부에 감광층을 형성하고 노광하여 소정의 패턴을 형성하는 단계와;상기 감광패턴의 주변으로 노출된 구리층과 하부 ITO층을 상기 식각용액을 이용하여 일괄 식각하여, 구리층과 ITO층이 적층된 신호배선을 형성하는 단계를포함하는 ITO/구리 일괄식각용액을 이용한 신호배선 형성방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 킬레이트제는 에틸렌 디아민 테트라 아세테이트와 에틸렌 디아민을 포함하는 킬레이트제 그룹 중 선택된 하나인 ITO/구리 일괄식각용액을 이용한 신호배선 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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