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챔버내의 정전척으로 구성된 제 1 스테이지 표면에 소정의 형상이 양각(陽刻) 또는 음각(陰刻)되어 있는 소프트 몰드를 로딩하는 단계; 액상 고분자 물질이 코팅된 기판을 제 2 스테이지에 로딩하는 단계; 상기 제 1, 제 2 스테이지중 최소한 어느 하나를 구동시켜서 상부에 위치한 소프트 몰드와 상기 기판을 얼라인하는 단계; 상기 소프트 몰드와 상기 기판상에 형성된 액상 고분자 물질을 콘택시키는 단계; 상기 챔버내에서 상기 제 1, 제 2 스테이지 사이로 UV 램프를 수평으로 이동시키면서 UV 스캐닝하여 상기 액상 고분자 물질을 경화시켜서 미세 패턴용 마스크를 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제 2 스테이지에 상기 기판을 로딩하기 전에 상기 챔버가 적정 진공도에 도달하도록 펌핑 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법
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제 7 항에 있어서, 상기 소프트 몰드와 상기 액상 고분자 물질을 콘택시키는 공정은,상기 제 2 스테이지를 Z축 방향으로 구동하는 Z축 구동부를 상부로 상승시키거나 상기 제 1 스테이지를 구동시키는 상부 홀더를 하부로 하강시켜서 진행함을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법
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제 7 항에 있어서, 상기 소프트 몰드가 상기 액상 고분자 물질에 콘택되면, 상기 정전척에 0V의 전압을 가하여 상기 제 1 스테이지에서 상기 소프트 몰드(백플래인)를 떼어내는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법
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제 7 항에 있어서, 상기 소프트 몰드와 상기 기판상에 형성된 액상 고분자 물질이 콘택되면 상기 액상 고분자 물질이 상기 소프트 몰드의 음각부에 채워지는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법
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제 7 항에 있어서, 상기에서 UV 램프는 365nm 파장이 메인 피크(main peak)로 조사되는 램프를 사용함을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법
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제 7 항에 있어서, 상기 UV 스캐닝은 상기 챔버가 진공일때 진행하거나 대기압 상태일 때 진행하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 장치를 이용한 미세 패턴 형성방법
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