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플라즈마 애슁 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015038292
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양대전을 적용한 후, 플라즈마 처리가 이루어져 막질을 개선하고, 공정 특성을 개선한 플라즈마 애슁 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 플라즈마 애슁 방법은 원격 플라즈마 소오스와, 챔버와, 상기 챔버 내에 서로 대향된 상하부 전극 및 상기 하부 전극 상에 감광막 및 식각대상막이 차례로 적층된 기판을 포함하여 이루어진 플라즈마 애셔 장비의 플라즈마 애슁 방법에 있어서, 상기 원격 플라즈마 소오스의 플라즈마 가스 발생 동작과 동시에 상기 하부 전극을 양대전하는 단계 및 상기 원격 플라즈마 소오스로부터 유입된 플라즈마 가스 중 양전하를 기판 상부 및 주변으로 밀어내며, 반응성 라디칼을 상기 기판 상의 감광막과 산화시켜 감광막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다. 플라즈마 애셔(Plasma Asher), 양이온 대전, 양의 직류 전압, 양이온
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/302 (2006.01)
CPC G03F 7/427(2013.01)
출원번호/일자 1020050058256 (2005.06.30)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1096703-0000 (2011.12.14)
공개번호/일자 10-2007-0002642 (2007.01.05) 문서열기
공고번호/일자 (20111222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안상언 대한민국 서울 강북구
2 유광종 대한민국 경북 칠곡군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0355493-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0403052-98
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0419864-44
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0754261-01
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0754262-46
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
9 등록결정서
Decision to grant
2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0699710-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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원격 플라즈마 소오스와, 챔버와, 상기 챔버 내에 서로 대향된 상하부 전극과, 상기 상부 전극 하부에 위치하여 상기 상부 전극을 통과하는 플라즈마 가스를 확산하여 하측으로 뿌려주는 샤워 헤드 및 상기 하부 전극 상에 감광막 및 식각대상막이 차례로 적층된 기판을 포함하여 이루어진 플라즈마 애셔 장비의 플라즈마 애슁 방법에 있어서, 상기 원격 플라즈마 소오스의 플라즈마 가스 발생 동작과 동시에 상기 하부 전극에 양의 직류 전압 인가와 함께, 1mA 이하의 전류를 공급하며, 상기 하부 전극을 양대전하는 단계; 및 상기 하부 전극의 양대전에 의해 상기 샤워 헤드로부터 뿌려진 플라즈마 가스 중 양전하를 기판 상부 및 주변으로 밀어내며, 상기 플라즈마 가스 중 반응성 라디칼을 상기 기판 상의 감광막과 산화시켜 감광막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 플라즈마 애슁 방법
2 2
삭제
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제 1항에 있어서, 상기 양의 직류 전압은 1~3kV인 것을 특징으로 하는 플라즈마 애슁 방법
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삭제
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삭제
6 6
감광막 패턴 및 상기 감광막 패턴에 의해 식각이 완료된 식각 대상막이 차례로 적층된 기판을 준비하는 단계; 원격 플라즈마 소오스와, 챔버 및 상기 챔버 내에 서로 대향된 상하부 전극과, 상기 상부 전극을 통과하는 플라즈마 가스를 확산하여 하측으로 뿌려주는 샤워 헤드를 구비한 플라즈마 애셔 장비를 준비하는 단계; 상기 플라즈마 애셔 장비 내의 상기 하부 전극 상에 상기 기판을 장착하는 단계; 상기 원격 플라즈마 소오스의 플라즈마 가스 발생 동작과 동시에 상기 하부 전극에 양(+)전압을 인가하며, 1mA 이하의 전류를 공급하여 상기 하부 전극을 양대전하는 단계; 및 상기 하부 전극의 양대전에 의해, 상기 샤워 헤드로부터 뿌려지는 플라즈마 가스 중 양전하를 기판 상부 및 주변으로 밀어내며, 상기 플라즈마 가스 중 반응성 라디칼을 상기 기판 상의 감광막 패턴과 산화 반응시켜 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 양전압은 직류 전압인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 직류 전압은 1~3kV인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
제 6항에 있어서, 상기 식각 대상막은 금속막, 무기 절연막, 수지막 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.