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보호막을 형성하기 위해 플라스틱 기판을 챔버 내에 배치하는 단계;상기 보호막을 구성하는 원소를 포함하는 전구체들을 상기 챔버에 주입하는 단계;상기 전구체들간의 표면화학반응을 통하여 원자층 증착법으로 20 내지 220℃ 의 온도에서 무기절연막의 보호막을 형성하는 단계; 및상기 보호막이 형성된 상기 플라스틱 기판 상에 평판 디스플레이 소자를 제조하는 단계를 포함하되,상기 무기절연막의 보호막은 상기 플라스틱 기판의 상, 하 및 측면에 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 평판 디스플레이 소자는 기판 상에 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극을 포함하여 제조된 기판을 통과하여 발광하는 유기발광소자이고, 상기 무기절연막에 유기절연막을 부가하여 2중층 또는 이러한 적층구조를 1 내지 5회 반복하여 적층한 다적층구조로 플라스틱 기판의 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 평판 디스플레이 소자는 기판 상에 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극을 포함하여 제조된 탑에미션 방식의 유기발광소자이고, 상기 무기절연막에 유기절연막 및/또는 보호막용 금속막을 부가하여 2중층, 3중층 또는 이러한 적층구조를 1 내지 5회 반복하여 적층한 다적층구조로 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 무기 절연막은 알루미늄옥사이드, 징크옥사이드, 타이타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 지르코늄옥사이드, 하프늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 알루미늄옥시나이트라이드 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 보호막 형성방법
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제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 유기 절연막은 TCVDPF(Thermal Chemical-Vapor-Deposition Polymer)박막인 것을 특징으로 하는 보호막 형성방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 무기절연막은 트레블링 웨이브 리액터 증착법, 리모트 플라즈마 원자층 증착법, 다이렉트 플라즈마 원자층 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성 방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 무기절연막은 알루미늄옥사이드이고, 상기 전구체들은 알루미늄 전구체, 산소의 전구체를 포함하여 형성되며, 알루미늄 전구체는 트리메틸알루미늄 또는 트리에틸알루미늄이고, 산소 전구체는 오존, 산소, 플라즈마 또는 물인 것을 특징으로 하는 보호막 형성방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 무기절연막은 알루미늄나이트라이드이고, 상기 전구체들은 알루미늄 전구체, 질소의 전구체를 포함하여 형성되며, 알루미늄 전구체는 트리메틸알루미늄 또는 트리에틸알루미늄이고, 질소 전구체는 암모니아 플라즈마 혹은 질소 플라즈마인 것을 특징으로 하는 보호막 형성방법
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