| 요약 |
본 발명은 질화물 반도체 성장 방법에 관한 것으로, 종래 이종 기판 상에 질화물 반도체를 에피텍셜 성장시키기 위해서 사용되는 저온 버퍼층은 저온에서 MOCVD법으로 이종 기판 상에 성장되는 질화물층이라는 한계로 인해 다수의 결함이 발생하며 결정 내에 많은 불순물이 포함되므로, 그 상부에 질화막을 에피텍셜 성장시키는 경우 균열등이 발생하여 높은 수준의 질화물 반도체막을 얻을 수 없게 되는 문제점이 있었다. 이를 해결하기 위해 고온 상에서 저온 버퍼층을 열처리하기도 하지만, 공정 시간이 길어지게 되고 전체 소자를 열처리하므로 에너지 낭비가 심한 문제점이 발생한다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 이종 기판 상에 저온 버퍼막을 형성한 후 저온 상태에서 상기 저온 버퍼막의 표면 일부에 레이저를 조사하여 저온 버퍼막의 표면 일부의 결정화도만 크게 향상시키도록 한 후 그 상부에 질화물 반도체 결정막을 성장시키도록 함으로써, 저온에서 빠른 시간 내에 효과적으로 저온 버퍼막을 열처리하여 고품질 질화물 반도체 결정막을 낮은 비용으로 얻을 수 있도록 하며, 상기 저온 버퍼막의 일부만 결정화시키기 때문에 결정화되지 않은 부분은 지속적으로 기판과 에피막 사이에서 격자 부정합에 의한 응력을 완화시키는 버퍼로 사용할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
|
