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질화물 반도체 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015039187
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요약 본 발명은 질화물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 종래 p-GaN 성장을 위해 질소 전구체로 암모니아를 사용하고 캐리어 가스로 H2를 사용하여 고온에서 GaN:Mg를 성장시키는 경우, 고온 환경에서 생성되는 수소에 의해 성장층 내부에 형성된 Mg-H에 의해 해당 층이 비활성화 되므로 해당 층을 p형으로 활성화하기 위해 고온에서 오랜 시간동안 열처리를 실시하여 Mg-H 결합을 해리시킬 수 밖에 없어, 수율이 낮아지고 Mg가 외부로 확산되어 활성화 효율이 낮아지며 열처리 중 Mg가 산화되어 후속 금속층과의 접합 특성이 악화 되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 질소 전구체로 암모니아를 사용하고 캐리어 가스로 H2를 사용하여 고온에서 GaN:Mg를 성장시킨 후, 그 상부에 보호막을 형성하고, Mg-H 해리 에너지 이상의 광 에너지를 가지는 엑시머 레이저를 상기 GaN:Mg층에 조사하는 것으로 성장 공정 중에 발생된 Mg-H 결합을 끊어 해당 층을 p형으로 활성화시키고 상기 보호막을 제거함으로써, Mg의 손실을 최소화하면서 저온에서 빠르고 정확하게 p형 GaN층을 활성화시킬 수 있어 수율이 높아지고 특성이 향상되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020050083868 (2005.09.08)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0664039-0000 (2006.12.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종권 대한민국 서울 광진구
2 김태형 대한민국 경기 군포시
3 주민호 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2005-0503855-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0054082-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0522406-89
5 의견서
Written Opinion
2006.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0811814-58
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.11.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0811816-49
7 등록결정서
Decision to grant
2006.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0708469-51
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
소정의 질화물 층들이 형성된 기판 상부에 암모니아(NH3)와 H2 가스를 이용하여 고온에서 Mg를 분순물로 포함하는 GaN층을 성장시키는 단계와;상기 성장된 GaN:Mg층의 상부에 보호층을 증착하는 단계와,상기 보호층을 통해 상기 형성된 GaN:Mg 층에 엑시머 레이저를 조사하여 상기 단계에서 형성된 Mg-H의 결합을 끊어 p형으로 활성화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 엑시머 레이저는 Mg-H의 해리 에너지보다 높은 광에너지를 가지는 것을 사용하며, 질소 분위기에서 레이저 조사를 실시하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 엑시머 레이저는 펄스 방식으로 조사하며 스캔 방식으로 이동 조사하는 것으로 모든 영역의 GaN:Mg층을 활성화시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 엑시머 레이저 조사가 완료된 후 상기 보호층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 엑시머 레이저는 200~400nm 사이의 파장을 갖는 기체를 이용하여 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.