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고출력 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015039395
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광소자 내부에서 발생된 광의 발광소자 측면 투과율을 높여, 광 출력 효율을 향상시킨 고출력 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 아이솔레이션(Isolation) 공정 또는 메사(Mesa) 식각 공정시, 굴곡 패턴을 갖는 마스크를 이용해 발광소자의 측벽에 돌출부를 형성한 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 수평형과 수직형 발광소자는 물론, 차후에 개발될 어떠한 발광소자에도 적용할 수 있고, 기존 공정을 크게 바꾸지 않으면서 간단한 공정의 변화를 통해 광 출력 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.측벽, 패턴, 발광소자, 마스크, 아이솔레이션, 돌출부, 굴곡
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/02 (2014.01)
CPC H01L 33/20(2013.01)H01L 33/20(2013.01)H01L 33/20(2013.01)H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020050089989 (2005.09.27)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0622817-0000 (2006.09.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 발송
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.27)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이현재 대한민국 경기도 용인시
2 배덕규 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0542528-27
2 대리인해임신고서
Report on Dismissal of Agent		 2006.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0537721-50
3 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0506567-45
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n-반도체층, 활성층, p-반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물을 포함하는 발광소자에 있어서,상기 발광구조물에서 발산하는 광의 전반사를 줄이기 위해서, 상기 발광구조물 측면에 돌출부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고출력 발광소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 발광구조물은,상기 p-반도체층에서 n-반도체층 일부까지 메사(Mesa) 식각된 발광구조물인 것을 특징으로 하는 고출력 발광소자
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 발광구조물은,질화갈륨(GaN) 반도체를 이용한 발광구조물인 것을 특징으로 하는 고출력 발광소자
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 돌출부는,상기 발광구조물의 적어도 일 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 고출력 발광소자
5 5
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 돌출부는,횡단면이 연속적인 삼각형 형상인 것을 특징으로 하는 고출력 발광소자
6 6
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 돌출부는,횡단면이 연속적인 반원형 형상인 것을 특징으로 하는 고출력 발광소자
7 7
기판 상부에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상부에 n-반도체층, 활성층, p-반도체층으로 이루어지는 발광구조물을 증착하는 단계;상기 발광구조물 상부에 측면 굴곡이 있는 마스크층을 형성하는 단계;및상기 마스크층을 통해 식각하여, 상기 버퍼층과 발광구조물의 측면에 돌출부를 형성하는 단계;를 포함하는 고출력 발광소자 제조방법
8 8
제 7항에 있어서,측면 굴곡이 있는 마스크층을 이용하여, 상기 p-반도체층에서 n-반도체층 일부까지 메사(Mesa) 식각하여, 상기 발광구조물의 식각된 측면에 돌출부를 형성하는 단계;를 더 포함하는 고출력 발광소자 제조방법
9 9
제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 기판은,사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 고출력 발광소자 제조방법
10 10
제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 발광구조물은,질화갈륨(GaN) 반도체를 이용한 발광구조물인 것을 특징으로 하는 고출력 발광소자 제조방법
11 11
제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 굴곡은,상기 발광구조물 측면 둘레에 연속적으로 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 고출력 발광소자 제조방법
12 12
제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 굴곡은,삼각형 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 고출력 발광소자 제조방법
13 13
제 7항 또는 제 8항에 있어서,상기 굴곡은,반원형 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 고출력 발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.