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수직형 발광소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015039429
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직형 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 사파이어 기판 제거시 높은 레이저 에너지의 영향으로 소자에 발생할 수 있는 결함을 줄이기 위해, 단위 소자 크기의 돌출부가 다수 개 상호 이격되어 형성되어 있는 기판 상부 또는 버퍼층(Buffer Layer) 상부에, 발광소자 에피층을 온도, 압력 등을 조절하여 측면 성장속도를 높이는 조건으로 성장시켜, 소자 사이에 보이드(Void)가 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다.따라서, 소자 결함을 줄이기 위한 종래의 아이솔레이션(Isolation) 식각 공정으로 인해 파생되는 문제점을 근본적으로 해결할 수 있고, 전위(Dislocation)등의 결함을 보이드(Void) 상부의 소자 모서리(Edge)에 해당하는 영역으로 모아서, 소자영역의 에피층 결정질을 보다 향상시킬 수 있으며, 공정을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다.수직형, 발광소자, 질화갈륨, 패터닝, 에피층, 돌출부
Int. CL H01L 33/02 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020050089995 (2005.09.27)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0622818-0000 (2006.09.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하준석 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0542559-32
2 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2006.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0271571-36
3 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2006.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0273268-53
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0506568-91
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
기판 상부에 상호 이격된 복수개의 돌출부들을 형성하는 단계;상기 복수개의 돌출부들 상부에 버퍼층(Buffer Layer)을 각각 형성하는 단계;상기 각각의 버퍼층 상부에 발광소자 에피층(LED Epi-Layer)을 측면 성장(Lateral Growth)시켜서, 이웃하는 돌출부 상부에서 성장되는 에피층이 서로 합체가 되도록 형성하는 단계;상기 합체된 발광소자 에피층 상부에 전도성의 지지막을 형성하는 단계;상기 기판과 버퍼층을 제거하고, 버퍼층이 제거되어 노출된 발광소자 에피층 하부에 전극을 형성하는 단계;및상기 복수개의 돌출부들 각각이 존재했던 발광소자 에피층 영역들을 낱개로 분리하여 발광소자를 획득하는 단계;를 포함하는 수직형 발광소자 제조방법
2 2
기판 상부에 버퍼층(Buffer Layer)을 형성하는 단계;상기 버퍼층을 식각하여 상호 이격된 복수개의 돌출부들을 상기 기판 상부에 형성하는 단계;상기 복수개의 돌출부들 각각의 상부에 발광소자 에피층(LED Epi-Layer)을 측면 성장(Lateral Growth) 성장시켜서, 이웃하는 돌출부 상부에서 성장되는 에피층이 서로 합체가 되도록 형성하는 단계;상기 합체된 발광소자 에피층 상부에 전도성의 지지막을 형성하는 단계;상기 기판과 버퍼층을 제거하고, 버퍼층이 제거되어 노출된 발광소자 에피층 하부에 전극을 형성하는 단계;및상기 복수개의 돌출부들 각각이 존재했던 발광소자 에피층 영역들을 낱개로 분리하여 발광소자를 획득하는 단계;를 포함하는 수직형 발광소자 제조방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 기판은,사파이어(Al2O3) 기판인 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 복수개의 돌출부들은,상기 기판을 건식 식각(Dry Etching)하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법
5 5
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 복수개의 돌출부들 각각은,단일 소자 크기인 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법
6 6
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 발광소자 에피층은,n-GaN층, 활성층, p-GaN층을 구비하는 질화갈륨(GaN)계 발광소자 에피층인 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법
7 7
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 전도성의 지지막은,구리(Cu)로 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법
8 8
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 기판을 제거하는 단계는,레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO)를 통해 이루어지는 것을 특징으로하는 수직형 발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.