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n-클래드층 상부에 활성층, p-클래드층, p-컨택트층이 적층되어 있고, 상기 p-컨택트층 및 상기 p-클래드층의 일부가 식각되어 리지 구조를 이루는 적층 구조물;상기 p-클래드층과 상기 리지 구조의 측면을 감싸며 형성된 절연막;상기 절연막 상에 형성되며, 상기 활성층에서 발생한 레이저 광의 고차원 모드를 흡수하는 흡수층;상기 흡수층 상에 형성되며, 절연 물질로 이루어지는 보호층 및 상기 보호층 및 상기 p-컨택트층 상에 형성된 p-전극을 포함하고, 상기 보호층은, AlN, SiNx 또는 HfO 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는 반도체 레이저 다이오드
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제1항에 있어서,상기 n-클래드층 하부에 형성되며, 그 일부가 메사 식각되어 상부로부터 노출되어 있는 n-컨택트층;상기 n-컨택트층 하부에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 하부에 형성된 기판; 및상기 메사 식각 되어 노출된 n-컨택트층 상에 형성된 n-전극을 더 포함하는 반도체 레이저 다이오드
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제1항에 있어서,상기 n-클래드층 하부에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 하부에 형성된 기판; 및상기 기판 하부에 형성된 n-전극을 더 포함하는 반도체 레이저 다이오드
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제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연막은, SiO2, Al2O3, AlN, ZrO2 또는 SiNx 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는 반도체 레이저 다이오드
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제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 흡수층은, 실리콘(Si)으로 이루어지는 반도체 레이저 다이오드
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제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호층은, 300 ~ 800 Å 의 두께를 가지는 반도체 레이저 다이오드
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기판 상부에 n-컨택트층, n-클래드층, 활성층, p-클래드층, p-컨택트층을 순차적으로 적층한 후, 상기 p-컨택트층에서 상기 n-컨택트층의 일부분까지 메사 식각하는 단계;상기 p-컨택트층 및 p-클래드층의 일부를 식각하여 리지 구조를 형성하는 단계;상기 p-클래드층과 상기 리지 구조의 측면을 감싸며 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 상기 활성층에서 발생한 레이저 광의 고차원 모드를 흡수하는 흡수층을 형성한 후, 상기 흡수층 상에 절연 물질로 이루어지는 보호층을 형성하는 단계; 및상기 보호층과 상기 p-컨택트층 상에 p-전극을 형성하고, 상기 메사 식각 되어 노출된 n-컨택트층 상에 n-전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 보호층은, AlN, SiNx 또는 HfO 중에서 선택된 어느 하나의 물질을 증착하여 형성하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 흡수층은, 실리콘(Si)을 증착하여 형성하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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