| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
n-클래드층 상부에 활성층, p-클래드층, p-컨택트층이 적층되어 있고, 상기 p-컨택트층 및 상기 p-클래드층의 일부가 식각되어 리지 구조를 이루는 적층 구조물;상기 p-클래드층과 상기 리지 구조의 측면에 절연층과 흡수층이 반복적으로 적층되어 형성된 다층막 구조; 상기 다층막 구조 및 상기 p-컨택트층 상에 형성된 p-전극;상기 n-클래드층 하부에 형성되며, 그 일부가 메사식각 되어 상부로부터 노출되어 있는 n-컨택트층;상기 n-컨택트층 하부에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 하부에 형성된 기판; 및상기 메사식각 되어 노출된 n-컨택트층 상에 형성된 n-전극을 포함하는 반도체 레이저 다이오드
|
| 3 |
3
n-클래드층 상부에 활성층, p-클래드층, p-컨택트층이 적층되어 있고, 상기 p-컨택트층 및 상기 p-클래드층의 일부가 식각되어 리지 구조를 이루는 적층 구조물;상기 p-클래드층과 상기 리지 구조의 측면에 절연층과 흡수층이 반복적으로 적층되어 형성된 다층막 구조;상기 다층막 구조 및 상기 p-컨택트층 상에 형성된 p-전극;상기 n-클래드층 하부에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 하부에 형성된 기판; 및상기 기판 하부에 형성된 n-전극을 포함하는 반도체 레이저 다이오드
|
| 4 |
4
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 절연층은, SiO2, Al2O3, AlN, ZrO2, SiNx 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는 반도체 레이저 다이오드
|
| 5 |
5
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 흡수층은, 실리콘(Si)으로 이루어지는 반도체 레이저 다이오드
|
| 6 |
6
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 다층막 구조는, 1000 ~ 2000 Å의 두께를 가지는 반도체 레이저 다이오드
|
| 7 |
7
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 다층막 구조와 p-전극 사이에, 절연 물질로 이루어지는 보호층을 더 포함하는 반도체 레이저 다이오드
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 보호층은, SiO2, Al2O3, AlN, ZrO2, SiNx, HfO, TiO2 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는 반도체 레이저 다이오드
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 보호층은, 100 ~ 1000 Å의 두께를 가지는 반도체 레이저 다이오드
|
| 10 |
10
기판 상부에 n-컨택트층, n-클래드층, 활성층, p-클래드층, p-컨택트층을 순차적으로 적층한 후, 상기 p-컨택트층에서 상기 n-컨택트층의 일부분까지 메사 식각하는 단계;상기 p-컨택트층 및 p-클래드층의 일부를 식각하여 리지 구조를 형성하는 단계;상기 p-클래드층과 상기 리지 구조의 측면에 절연층과 흡수층을 반복적으로 적층하여 다층막 구조를 형성하는 단계; 및상기 다층막 구조와 상기 p-컨택트층 상에 p-전극을 형성하고, 상기 메사 식각 되어 노출된 n-컨택트층 상에 n-전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 다층막 구조를 형성하는 단계와 상기 p-전극 및 n-전극을 형성하는 단계 사이에, 상기 다층막 구조의 상부에 절연 물질로 이루어지는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
|
| 12 |
12
제10항에 있어서, 상기 절연층은, SiO2, Al2O3, AlN, ZrO2, SiNx 중에서 선택된 어느 하나의 물질을 증착하여 형성하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
|
| 13 |
13
제10항에 있어서, 상기 흡수층은, 실리콘(Si)을 증착하여 형성하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
|
