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N-반도체층 상부에 활성층, P-반도체층, 오믹컨택층, 반사막과 금속층이 순차적으로 적층되어 있고; 상기 N-반도체층 하부의 측면이 경사져 있고, 그 경사진 측면에 굴곡이 형성되어 있고; 상기 N-반도체층 하부면에 전극단자가 형성되어 있는 구조로 이루어진 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 굴곡은,상기 N-반도체층의 경사진 측면에서 돌출되어, 상호 이격되어 있는 돌출부에 의해 형성된 것이나, 또는 상기 N-반도체층의 경사진 측면이 제거된 홈에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반사막은 Al 또는 Au로 이루어지고, 상기 오믹컨택층은 ITO막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자
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기판 상부에 단일 소자 크기의 복수개의 개구들을 갖고, 하부폭(W1)이 상부폭(W2)보다 큰 마스크 구조물을 형성하는 단계와;상기 마스크 구조물을 감싸며, 상기 기판 상부에 N-반도체층을 형성하고, 상기 N-반도체층 상부에 활성층과 P-반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와;상기 마스크 구조물로부터 수직선상에 존재하는 P-반도체층 상부에 마스크층을 형성하는 단계와;상기 마스크층이 형성되지 않은 상기 P-반도체층 상부에 오믹컨택층과 반사막을 순차적으로 형성하는 단계와;상기 마스크층을 제거하고, 상기 반사막 상부에 금속층을 형성하는 단계와;상기 기판을 상기 N-반도체층으로부터 제거하는 단계와;상기 N-반도체층 하부에 노출된 마스크 구조물을 제거하여, 상기 N-반도체층 하부에 홈을 형성하는 단계와;상기 홈으로 브레이킹(Breaking) 공정을 수행하여, 낱개의 단일 소자들로 분리하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 마스크 구조물의 측면에는,굴곡이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 기판 상부에 마스크 구조물을 형성하는 단계는,상기 기판 상부에 마스크 구조물 형성을 위한 물질층과 포토레지스트층을 형성하는 공정과,상기 마스크로 포토레지스트층을 단일 소자 크기의 복수개의 개구들을 갖는 격자 패턴만 남기고 노광하는 공정과
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제 4 항에 있어서, 상기 마스크 구조물은 단면 형상은,피라미드 형상 또는, 삼각형 형상인 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 금속층을 형성하는 단계에, 상기 금속층 상부에 테입(Tape)을 접착시키는 공정이 더 구비된 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 마스크 구조물의 두께는 10 ~ 20㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 마스크 구조물은 실리콘 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 반사막은 Al 또는 Au로 형성하고, 상기 오믹컨택층은 ITO로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 기판을 제거하는 공정은,LLO(Laser Lift-Off) 공정을 수행하여 제거하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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