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발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015039856
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 양극 산화(Anodic oxidation) 방법으로 산화시킨 절연성 영역으로 전도성 서브마운트 기판을 양분(兩分)하고, 이 양분된 영역 중 한 영역에 발광 소자를 실장하고, 양분된 다른 한 영역에 발광 소자와 전기적으로 연결한 패키지를 구현함으로써, 패키지 구조를 단순화시키고, 제조 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.또한, 본 발명은 알루미늄 서브마운트 기판을 통하여 실장된 고출력 발광 소자에 고 전류를 안정적으로 공급하여 고 신뢰성의 패키지를 구현할 수 있는 효과가 있다.게다가, 본 발명은 발광 소자에서 방출되는 열 전달 경로를 짧게하여 열 방출효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.발광소자, 패키지, 산화막, 알루미늄, 기판, 홈
Int. CL H01L 33/48 (2014.01) H01L 33/62 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020050093767 (2005.10.06)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0699161-0000 (2007.03.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.06)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송기창 대한민국 경기도 의왕시
2 박칠근 대한민국 경기도 용인시
3 부종욱 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2005-0564696-94
2 대리인해임신고서
Report on Dismissal of Agent		 2006.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0538088-24
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.10.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0065441-31
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0622245-47
6 의견서
Written Opinion		 2006.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0965003-69
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0965020-35
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0134368-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연성 영역에 의해 제 1과 2 영역으로 양분되며, 상기 제 1 영역 상부에 홈이 형성된 전도성 서브마운트 기판과; 하부전극과 상부전극을 구비하고, 상기 제 1 영역에 형성된 홈 내부에 실장되어 상기 하부전극이 상기 제 1 영역과 전기적으로 연결되는 발광 소자와; 상기 전도성 서브마운트 기판의 제 2 영역 상부에 형성된 전극패드와; 상기 전극패드와 상기 발광 소자의 상부전극을 전기적으로 연결하는 도전체를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 절연성 영역은, 상기 제 1과 2 영역 각각이 전기적으로 독립되도록, 상기 제 1과 2 영역 사이의 상기 전도성 서브마운트 기판 영역을 산화시켜 형성된 산화된 영역인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 산화된 영역은, 상기 제 1과 2 영역 사이의 상기 전도성 서브마운트 기판 영역에 홈을 형성하고, 이 홈의 양측면과 바닥면을 산화시켜 만들어진 영역인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 서브마운트 기판의 제 1 영역과 제 2 영역 각각의 하부에 솔더가 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
5 5
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 서브마운트 기판의 제 1 영역 상부에 형성된 홈 내부면에,전도성 반사막이 더 형성되어 있고, 이 전도성 반사막 상부에 발광 소자가 본딩되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
6 6
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 서브마운트 기판의 제 1 영역 상부에 형성된 홈 내부면에,비전도성 반사막이 더 형성되어 있고, 상기 비전도성 반사막에는 홈 바닥면의 일부가 도출되는 개구가 형성되어 있고, 상기 비전도성 반사막의 개구에 의해 노출된 홈 바닥면에 발광 소자가 본딩되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
7 7
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 서브마운트 기판은 두께는,100 ~ 1000㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
8 8
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 서브마운트 기판의 재질은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 전도성 반사막은, 상기 전도성 서브마운트 기판과 접착력이 우수한 접착층과;상기 발광 소자의 광을 효율적으로 반사시킬 수 있도록 반사 효율이 우수한 미러(Mirror)층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 접착층과 미러층 사이에는,상기 접착층의 물질이 미러층으로 확산되어 반사 효율이 저하되는 것을 방지하는 배리어층(Barrier layer)이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 전도성 서브마운트 기판이 알루미늄 시트인 경우, 상기 전도성 반사막은,상기 접착층으로 Ti층이고, 상기 배리어층으로 Pt층이고,상기 미러층으로 Ag층인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
12 12
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광 소자가 실장된 홈 내부에는,상기 발광 소자를 감싸며 형광체, 실리콘 젤과 투광성이 우수한 에폭시 중 어느 하나가 더 충진되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 발광 소자에서 방출된 광의 분포를 제어하기 위하여,렌즈를 상기 전도성 서브마운트 기판에 더 본딩되어 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
14 14
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 영역에 형성된 홈의 측면은 경사져 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
15 15
전도성 서브마운트 기판의 상부에 두 상부 영역으로 양분(兩分)하는 제 1 홈을 형성하고, 양분된 한 상부영역 내측에 제 2 홈을 형성하는 단계와;상기 제 1 홈을 제외하고, 상기 전도성 서브마운트 기판 상부에 산화 억제층을 형성하는 단계와;상기 산화 억제층에 의해 노출된 제 1 홈 내부면의 전도성 서브마운트 기판을 산화시켜 형성된 산화막으로 상기 전도성 서브마운트 기판을 상기 제 2 홈이 있는 제 1 영역과 제 2 영역으로 양분하는 단계와;상기 산화 억제층을 제거하고, 상기 제 2 영역 상부에 전극패드를 형성하는 단계와;상기 제 2 홈에 발광 소자를 본딩하여 상기 발광 소자의 하부에 형성된 금속패드를 상기 제 1 영역에 전기적으로 연결시키고, 상기 발광 소자의 상부에 형성된 금속패드와 상기 제 2 영역의 전극패드를 와이어 본딩하는 단계를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지의 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 산화 공정은,전해액(Electrolytes)을 이용한 양극 산화(Anodic oxidation) 방법을 수행하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 전해액에 산화막의 두께 및 강도를 증가시키기 위하여 유황산(Sulfuric acid)를 첨가하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법
18 18
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 산화 억제층은, 폴리머(Polymer) 계열의 물질 또는 금속 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법
19 19
제 15 항에 있어서, 상기 전극패드를 형성하는 공정과 발광 소자 본딩하는 공정 사이에, 상기 전도성 서브마운트 기판의 제 2 홈 내부면에 전도성 반사막을 형성하는 공정을 더 수행하고,상기 전도성 반사막 상부에는 발광 소자를 본딩하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법
20 20
전도성 서브마운트 기판의 상부에, 임의의 두 영역과, 이 두 영역을 양분(兩分)하는 제 1 홈과, 양분된 한 영역 내측에 형성된 제 2 홈으로 이루어진 단일 패키지 영역을 복수개 형성하는 단계와;상기 각각의 단일 패키지 영역의 제 1 홈을 제외하고, 상기 전도성 서브마운트 기판 상부에 산화 억제층을 형성하는 단계와;상기 산화 억제층에 의해 노출된 제 1 홈 내부면의 전도성 서브마운트 기판을 산화시켜 형성된 산화막으로 각각의 단일 패키지 영역을 상기 제 2 홈이 있는 제 1 영역과 제 2 영역으로 양분하는 단계와;상기 산화 억제층을 제거하고, 상기 각각의 단일 패키지 영역의 제 2 영역 상부에 전극패드를 형성하고, 상기 제 2 홈 내부면에 전도성 반사막을 형성하는 단계와;상기 각각의 단일 패키지 영역에 있는 제 1 영역과 제 2 영역 하부 각각에 솔더를 형성하는 단계와;상기 각각의 단일 패키지 영역에 있는 제 2 홈에 발광 소자를 본딩하고, 상기 발광 소자의 상부에 형성된 금속패드와 상기 제 2 영역의 전극패드를 와이어 본딩하는 단계와;상기 각각의 단일 패키지 영역을 분리시키는 단계를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.