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반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법

  • 기술번호 : KST2015040094
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요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법에 관한 것으로서, 기판 상부에 형성된 복수의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층 상부의 에지 일부 영역을 제외한 영역에 보호막을 형성하고, 상기 보호막이 형성되지 않은 영역을 스크라이빙한 후, 브레이킹 하여 별개의 반도체 레이저 다이오드로 분리하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층 상부의 에지 일부 영역에만 스크라이빙이 수행되므로 스크라이빙이 최소화되고, 복수의 반도체 레이저 다이오드들이 결정면을 따라 분리되므로 양질의 거울면을 얻을 수 있으며, 상기 에지 일부 영역을 제외한 영역은 보호막으로 보호되므로 스크라이빙 공정 중에 발생하는 분말(Particle) 등에 의한 오염을 최소화 할 수 있게 된다. 스크라이빙, 브레이킹, 에지 모드, 연속 모드, 벽개면, 마일라
Int. CL H01S 5/028 (2006.01)
CPC H01S 5/0286(2013.01) H01S 5/0286(2013.01) H01S 5/0286(2013.01)
출원번호/일자 1020050098447 (2005.10.19)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1118789-0000 (2012.02.14)
공개번호/일자 10-2007-0042617 (2007.04.24) 문서열기
공고번호/일자 (20120320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창남 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, *층 (서초동, 명지빌딩)(나이스국제특허법률사무소)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3 장재용 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **-*, *층(역삼동, 대명빌딩)(휴피아국제특허법률사무소)
4 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
5 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0590125-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0250166-49
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0032518-58
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0280442-75
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0528851-38
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0528852-84
11 등록결정서
Decision to grant
2012.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0060861-22
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
기판상에 복수의 질화물 반도체 레이저 다이오드의 에피층을 형성하는 단계;상기 에피층 상부에서, 에지 부근의 소정의 영역을 노출하고, 그 이외의 영역에 마일라 커버를 형성하는 단계;노출한 영역에 대하여, 스크라이빙을 수행하는 단계; 및상기 기판에 브레이킹 공정을 수행하여, 상기 에피층을 복수의 반도체 레이저 다이오드로 분리하는 단계를 포함하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은, GaN 기판인 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 스크라이빙은, 다이아몬드 스크라이버 또는 레이저를 사용하여 수행하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 브레이킹 공정은, 상기 스크라이빙이 수행된 영역과 대응되는, 상기 기판의 이면에 수행하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법
5 5
삭제
6 6
기판상에 복수의 질화물 반도체 레이저 다이오드의 에피층을 형성하는 단계;상기 에피층 상부에서, 에지 부근의 소정의 영역을 노출하고, 그 이외의 영역에 보호막을 형성하는 단계;노출한 영역에 대하여, 스크라이빙을 수행하는 단계; 및상기 기판에 브레이킹 공정을 수행하여, 상기 에피층을 복수의 반도체 레이저 다이오드로 분리하는 단계를 포함하고, 상기 보호막은, 저 굴절율을 가지는 막과 고 굴절율을 가지는 막을 반복 적층하여 형성하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 복수개의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 형성한 후, 상기 기판의 이면에 연마 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.