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기판 상에 실리콘 산화막과 포토 레지스트를 순차적으로 형성하는 단계; 나노 파우더를 용매에 섞어 상기 포토 레지스트 상에 도포한 후, 상기 용매를 제거하는 단계; 상기 나노 파우더 상부에 지그를 장착한 후, 상기 포토 레지스트와 상기 지그 사이로 레이저를 조사하여 상기 포토 레지스트에 나노 스케일의 패턴을 형성하는 단계; 상기 나노 스케일의 패턴이 형성된 포토 레지스트를 마스크로 하여 상기 실리콘 산화막을 식각하는 단계; 및 상기 식각된 실리콘 산화막을 마스크로 하여 상기 기판을 식각하여 상기 기판에 나노 스케일의 패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 패턴된 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 나노 파우더는 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au), 세라믹(Ceramics) 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴된 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 산화막과 상기 기판의 식각은 ICP/RIE(Inductively Coupled Plasma/Reactive Ion Etching) 방식으로 식각하는 것을 특징으로 하는 패턴된 기판의 제조방법
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나노 스케일의 패턴이 형성된 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층, p형 질화물 반도체층, 도전성 지지막을 순차적으로 적층하여 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 기판을 상기 발광 구조물로부터 분리시키는 단계; 상기 n형 질화물 반도체층 하부에 포토 레지스트를 형성하는 단계; 나노 파우더를 용매에 섞어 상기 포토 레지스트 상에 도포한 후, 상기 용매를 제거하는 단계; 상기 나노 파우더 하부에 지그를 장착한 후, 상기 포토 레지스트와 상기 지그 사이에 레이저를 조사하여 상기 포토 레지스트에 나노 스케일의 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 나노 스케일의 패턴이 형성된 포토 레지스트를 마스크로 하여 상기 n형 질화물 반도체층을 식각하여 상기 n형 질화물 반도체층에 나노 스케일의 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 패턴된 기판을 이용한 발광 다이오드의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 발광 구조물은 상기 p형 질화물 반도체층 상부에 오믹층과 반사막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴된 기판을 이용한 발광 다이오드의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 오믹층은 ITO(Indium-Tin Oxide) 또는 니켈(Ni)/금(Au)의 금속 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴된 기판을 이용한 발광 다이오드의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 반사막은 Ag, Al, Au, Ni, Ti 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 또는 상기 금속 중에서 선택된 2 이상의 금속들의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴된 기판을 이용한 발광 다이오드의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 나노 파우더는 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au), 세라믹(Ceramics) 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴된 기판을 이용한 발광 다이오드의 제조방법
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