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고품질 질화갈륨 기판의 제조 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015040383
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요약 본 발명은 질화갈륨(GaN) 기판의 제조에 관한 것으로, HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 장치에서 질화갈륨 기판을 제조할 때, 직류 전원을 통해 국부적인 온도를 제어할 수 있는 펠티어 소자(Peltier Device)를 이용하여, 챔버 내부를 고온으로 가열시 사파이어 기판을 냉각시키고, 챔버 내부를 상온으로 냉각시 사파이어 기판을 가열시킴으로써, 사파이어(Al2O3) 기판과 질화갈륨 기판의 열적 변형력(Thermal Stress)을 줄이고, 휨(Bending) 및 균열(Crack)과 같은 결함 현상을 최소화시키는 효과가 있는 고품질 질화갈륨 기판의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.질화갈륨, 열팽창, 휨, 균열, 고품질, 펠티어소자, 열전소자
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC C23C 16/4586(2013.01) C23C 16/4586(2013.01) C23C 16/4586(2013.01) C23C 16/4586(2013.01)
출원번호/일자 1020050113075 (2005.11.24)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1142228-0000 (2012.04.25)
공개번호/일자 10-2007-0054937 (2007.05.30) 문서열기
공고번호/일자 (20120507) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.12)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규호 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 권현자 대한민국 경기도 안양시 만안구
3 이정수 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창남 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, *층 (서초동, 명지빌딩)(나이스국제특허법률사무소)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3 장재용 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **-*, *층(역삼동, 대명빌딩)(휴피아국제특허법률사무소)
4 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
5 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0680048-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0448022-16
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0072681-19
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0539391-31
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0910124-70
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0910149-11
11 등록결정서
Decision to grant
2012.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0227245-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
외부와 밀폐되어 화학 반응하기 위한 내부공간을 갖는 챔버, 상기 챔버의 일측면에 위치하여, 상기 챔버 내부로 NH3 가스를 주입하는 제 1 가스 공급관, 상기 챔버의 일측면에 위치하며, 상기 챔버 내부로 GaCl 가스를 주입하는 제 2 가스 공급관 및 상기 챔버 내에서 화학 반응하고 남은 가스를 배출시키기 위해 챔버의 타 측면에 형성시킨 가스 배출관을 구비하는 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치에 있어서, 상기 챔버 내의 하부에 구비되며, 사파이어 기판을 올려놓기 위한, 세라믹 재질의 서셉터;상기 사파이어 기판을 냉각시키거나 가열시키기 위해 상기 서셉터 내의 상부에 장착된 펠티어 소자; 및상기 서셉터와 상기 챔버의 외부를 연결하여, 상기 펠티어 소자에 직류전원을 공급하는 전선을 보호하는, 세라믹 재질의 보호관을 포함하는 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 펠티어 소자는, Fe1-xSi2Mnx와 Fe1-xSiCox의 규화물계 열전 반도체 소자를 이용한 것을 특징으로 하는 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치
3 3
제 1항에 있어서,상기 펠티어 소자는,상호 이격된 제 1 및 제 2 전극;제 1 전극 상부에 형성된 N타입 열전 반도체와;제 2 전극 상부에 형성된 P타입 열전 반도체및;상기 N타입 열전 반도체와 P타입 열전 반도체의 상부에 전기적으로 연결시키기 위해 형성되어있는 도체 연결부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고품질 질화갈륨 기판 제조 장치
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5 5
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6 6
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7 7
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8 8
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.