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상호 이격되어 있는 제 1 및 제 2 전극 메탈;상기 제 1 전극 메탈 상부에 전기적으로 연결되도록 본딩되어 있는 발광소자;상기 제 2 전극 메탈 상부에 본딩되어 있는 제너 다이오드;상기 발광소자와 제 2 전극 메탈, 상기 제너 다이오드와 제 1 및 제 2 전극 메탈을 전기적으로 연결시키는 전도성 와이어(Conductive Wire)들;상기 제 1 및 제 2 전극 메탈의 상부에 상기 발광소자와 제너 다이오드의 측면 둘레를 둘러싸며 형성되어 있는 링 형상의 구조물과;상기 링 형상의 구조물 내부의 상기 발광소자, 제너 다이오드 및 전도성 와이어를 감싸며 채워진 충진제를 포함하는 발광소자 패키지
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제 1항에 있어서,상기 링 형상의 구조물은,상기 제 1 전극 메탈 또는 제 2 전극 메탈과 접하는 부분은 절연 물질로 이루어져 있으며, 나머지 부분은 실리콘 재질인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지
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제 1항에 있어서,상기 링 형상 구조물의 내측면에는,상기 발광소자의 측면에서 방출되는 광이 효율적으로 반사되고, 발광효율이 향상되도록, 반사막이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지
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제 1항에 있어서,상기 충진제는,형광체, 실리콘 젤, 에폭시 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지
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제 1항에 있어서,상기 제 1 전극 메탈과 제 2 전극 메탈 사이에,절연물질이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지
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6
상호 이격되어 있는 제 1 및 제 2 전극 메탈 상부에 링 형상의 구조물을 형성하는 단계;상기 링 형상의 구조물 내부의 제 1 전극 메탈 상부에 발광소자를 전기적으로 연결되도록 본딩(Bonding)하고, 제 2 전극 메탈 상부에 제너 다이오드를 본딩하는 단계;상기 발광소자와 제 2 전극 메탈, 상기 제너 다이오드와 제 1 및 제 2 전극 메탈을 전도성 와이어(Conductive Wire)로 전기적으로 연결하는 단계;및상기 링 형상의 구조물 내부의 상기 발광소자, 제너 다이오드 및 전도성 와이어를 감싸도록 충진제를 채우는 단계;를 포함하는 발광소자 패키지 제조방법
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7
제 6항에 있어서,상호 이격되어 있는 제 1 및 제 2 전극 메탈 상부에 링 형상의 구조물을 형성하는 단계는,기판 하부에 상호 이격된 두 영역을 일정 깊이로 식각하는 단계;상기 기판의 상, 하부 전면에 절연막을 형성하는 단계;상기 기판 하부에 이격되어 식각된 두 영역에 각각 제 1 전극 메탈과 제 2 전극 메탈을 형성하는 단계;및상기 제 1 및 제 2 전극 메탈 상부에 일부가 남아있고, 개구를 가지며, 개구의 내부에 제 1 및 제 2 전극 메탈이 노출되는 링 형상의 구조물이 형성되도록, 상기 기판과 절연막을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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8
제 6항에 있어서,상호 이격되어 있는 제 1 및 제 2 전극 메탈 상부에 링 형상의 구조물을 형성하는 단계는,상기 기판 하부에 상호 이격된 두 영역을 식각하여 돌출부를 형성하는 단계;상기 기판 상, 하부에 절연막을 형성하되, 상기 돌출부 형상을 따라서 일정 두께로 절연막을 형성하는 단계;상기 기판 하부에서 상기 돌출부 형상을 따라서 상기 절연막 하부에 일정한 두께로 시드 메탈을 형성하는 단계;상기 돌출부 하부 영역의 시드 메탈을 제거하여 상호 이격된 두 개의 시드 메탈들을 형성하는 단계;상기 두 개의 시드 메탈 하부에 상기 기판의 식각된 두께보다 두껍게 전극 메탈을 형성하는 단계 및;상기 전극 메탈을 상기 돌출부 또는 돌출부 하부의 절연막이 노출될 때까지 연마(Polishing)하여, 전기적으로 연결되지 않는 제 1 전극 메탈과 제 2 전극 메탈을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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제 6항에 있어서,상호 이격되어 있는 제 1 및 제 2 전극 메탈 상부에 링 형상의 구조물을 형성하는 단계는,상기 기판 하부에 상호 이격된 두 영역을 식각하여 돌출부를 형성하는 단계;상기 기판 상, 하부에 절연막을 형성하되, 상기 돌출부 형상을 따라서 일정 두께로 절연막을 형성하는 단계;상기 기판 하부에서 상기 돌출부 형상을 따라서 상기 절연막 하부에 일정한 두께로 시드 메탈을 형성하는 단계;상기 돌출부 하부 영역의 시드 메탈을 제거하여 상호 이격된 두 개의 시드 메탈들을 형성하는 단계 및;상기 두 개의 시드 메탈들 각각의 면에 상기 기판의 식각된 깊이보다 얇은 두께로 제 1 및 제 2 전극 메탈을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 기판은,실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 기판의 두께는,200㎛ ~ 1000㎛ 인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 기판의 식각은,Deep RIE(Reactive Ion Etching) 장비를 이용한 건식 식각(Dry Etching) 또는 식각 용액을 통한 습식 식각(Wet Etching)을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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13
제 7항에 있어서,상기 절연막은,실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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14
제 7항에 있어서,상기 기판의 상, 하부 전면에 절연막을 형성한 후, 제 1 및 제 2 전극 메탈을 형성하기 전에,상기 절연막과의 우수한 접착(Adhesion)을 위해서, 상기 기판 하부의 식각된 영역에 형성시킨 절연막 하부에 시드 메탈(Seed Metal)을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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15
제 14항에 있어서,상기 시드 메탈은,크롬(Cr)/금(Au), 티타늄(Ti)/금(Au), 크롬(Cr)/구리(Cu), 티타늄(Ti)/구리( Cu)의 이중층 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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16
제 6항에 있어서,상기 충진제는,형광체, 실리콘 젤, 에폭시 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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17
제 6항에 있어서,상기 상호 이격되어 있는 제 1 및 제 2 전극 메탈 상부에 링 형상의 구조물을 형성하고, 상기 발광소자와 제너 다이오드를 본딩하기 전에,광 출력 향상을 위해서, 상기 링 형상의 구조물 내측면에 반사막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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18
제 17항에 있어서,상기 반사막은,접착층(Adhesion Layer), 장벽층(Barrier Layer), 거울층(Mirror Layer)으로 이루어지고, 상기 접착층(Adhesion Layer)은 티타늄(Ti) 또는 크롬(Cr), 장벽층(Barrier Layer)은 백금(Pt) 또는 니켈(Ni), 거울층(Mirror Layer)은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법
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