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액정표시소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015040479
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요약 본 발명은 액정표시소자 제조방법에 관한 것으로, 특히, 폴리실리콘 액정표시소자의 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 특히, 화소 전극을 형성하는 단계에서, 단위 화소의 표시영역에 형성되는 절연층들을 제거하여 표시영역에 음각의 패턴을 형성하고 상기 음각의 패턴 내에 감광막을 채우고 에이싱하여 소정의 패턴을 형성하는 원리를 사용하여 마스크를 사용하지 않고 화소 전극을 형성함으로써 전체 액정표시소자의 제조공정을 줄이는 효과를 얻는다.폴리실리콘, 액정표시소자, 화소 전극
Int. CL G02F 1/13 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01)
출원번호/일자 1020050110376 (2005.11.17)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1258080-0000 (2013.04.19)
공개번호/일자 10-2007-0052581 (2007.05.22) 문서열기
공고번호/일자 (20130425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.02)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양준영 대한민국 경기도 부천시 원미구
2 이정일 대한민국 서울특별시 금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0662564-42
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0715753-69
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0029997-67
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0234037-19
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0505460-41
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.25 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0505469-51
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0505457-14
13 보정요구서
Request for Amendment
2012.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0083804-60
14 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2012.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0099287-73
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0773974-17
16 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.01.21 수리 (Accepted) 7-1-2013-0002320-89
17 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.03.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2013-0010715-42
18 등록결정서
Decision to grant
2013.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0220167-08
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번호 청구항
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기판 상에 액티브 패턴을 형성하는 단계와;상기 기판상에 상기 액티브 패턴을 절연시키는 제 1 절연층을 형성하는 단계와;상기 제 1 절연층 상에 게이트 라인, 상기 게이트 라인으로부터 분기하는 게이트 전극 및 상기 게이트 라인과 평행한 스토리지 라인을 형성하는 단계와;상기 액티브 패턴 내에 불순물 이온을 주입시켜 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극과 게이트 라인 및 스토리지 라인을 포함한 상기 제1 절연층 상에 제 2 절연층을 형성하는 단계와;상기 제2 절연층 및 제1 절연층에 상기 액티브 패턴 내의 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 노출시키는 컨택홀을 형성하는 단계와;상기 제2 절연층 상에 상기 컨택홀을 통해 상기 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극과 함께 상기 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인을 형성하는 단계와;상기 제2 절연층 상에 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 데이터 라인을 덮는 패시베이션층을 형성하는 단계와;상기 패시베이션층 상에 표시영역을 노출시키되 상기 스토리지 라인 상에 회절노광에 의해 형성되는 제 2 감광막 패턴을 포함하는 제 1 감광막 패턴을 형성하는 단계와;상기 제 1 감광막 패턴을 마스크로 적용하여 상기 표시영역 내의 제 2 절연층 및 패시베이션층을 제거하여 상기 드레인 전극의 일부를 노출시킴은 물론 상기 표시영역 내에 음각 패턴을 형성하는 단계와;상기 제2 감광막 패턴을 포함하는 상기 제 1 감광막 패턴을 에이싱하여 상기 스토리지 라인 상의 상기 제 2 감광막 패턴을 제거하여 상기 스토리지 라인 상의 상기 패시베이션층을 노출시키는 단계와;에이싱된 상기 제 1 감광막 패턴과 상기 음각 패턴을 갖는 상기 표시영역 및 상기 스토리지 라인 상의 노출된 상기 제2 절연층과 패시베이션층 그리고 노출된 상기 드레인 전극을 포함한 기판 전면에 투명전극 물질층을 형성하는 단계와;상기 투명전극 물질층 상에 감광막을 도포하여 상기 표시영역의 상기 음각 패턴을 완전히 채우는 단계와;상기 감광막을 에이싱하여 상기 제1 감광막 패턴 상의 투명전극 물질층을 노출시키는 제 3 감광막 패턴을 형성하는 단계와;상기 제 3 감광막 패턴을 식각 마스크로 적용하여 노출된 상기 투명전극 물질층을 식각하여 화소전극을 형성하는 단계 및;상기 제 1 감광막 패턴 및 제 3 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 표시영역에 형성되는 패시베이션층 및 제 2 절연층을 제거하는 단계에서 상기 스토리지 라인 상의 제 2 절연층 및 패시베이션층은 남겨지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계는상기 액티브 패턴에 고농도 불순물 이온을 주입하는 단계와;상기 액티브 패턴의 채널영역의 양단에 저농도 불순물 이온을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.