| 1 |
1
기판 상에 일정 간격 이격되는 두 개의 금속패턴을 형성하는 단계;상기 두 개의 금속패턴의 소정 영역에 나노 물질이 분산된 용액을 도포하는 단계;상기 두 개의 금속패턴 중 적어도 어느 하나에 전압을 인가하는 단계; 및상기 도포된 나노 물질 분산 용액을 건조시켜 나노 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 나노 물질은 자성체인 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 나노 물질은 나노 선 또는 나노 튜브인 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 나노 물질은 실리콘(Si), 질화갈륨(GaN), 산화아연(ZnO), 실리카(Silica), 알루미나(Alumina) 중 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 나노 패턴은 상기 두 개의 금속패턴 사이에 나노 물질이 장방향으로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 나노 패턴은 상기 나노 물질의 전기적인 분극을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 금속패턴은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 알루미늄합금(AlNd)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종으로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서, 상기 나노 물질 분산 용액은 잉크젯 프린팅, 스핀 코팅, 딥 코팅 또는 닥터 블레이드 방법 중 선택되는 어느 하나의 방식을 수행하여 도포하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서, 상기 나노 물질 분산 용액은 물, 에탄올, 메탄올 또는 이소프로필알콜 중 선택되는 1종의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,상기 건조는 빛이나 열을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성 방법
|
| 11 |
11
기판 상에 소스 전극을 포함한 데이터 라인 및 상기 데이터 라인과 소정 간격 이격된 드레인 라인을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 라인의 소정 영역에 나노 물질 분산 용액을 도포하는 단계;상기 데이터 라인 및 드레인 라인 중 적어도 어느 하나에 전압을 인가하는 단계;상기 도포된 나노 물질 분산 용액을 건조시켜 나노 패턴 활성층을 형성하는 단계;상기 드레인 라인을 패터닝하여 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 나노 패턴 활성층을 포함한 기판 전면에 걸쳐 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연막 상에 상기 데이터 라인과 교차하는 게이트 라인 및 상기 게이트 라인과 연결되며 상기 나노 패턴 활성층과 대응되는 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서,상기 나노 물질은 자성체인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
|
| 13 |
13
제 11 항에 있어서,상기 나노 물질은 나노 선 또는 나노 튜브인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
|
| 14 |
14
제 11 항에 있어서,상기 나노 물질은 실리콘(Si)인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
|
| 15 |
15
제 11 항에 있어서,상기 나노 패턴 활성층은 실리콘(Si)인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
|
| 16 |
16
제 11 항에 있어서,상기 나노 패턴 활성층은 상기 소스전극 및 드레인 전극 사이에 나노 물질이 장방향으로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
|
| 17 |
17
제 11 항에 있어서,상기 나노 패턴 활성층은 상기 나노 물질의 전기적인 분극을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
|
| 18 |
18
제 11 항에 있어서,상기 소스 전극, 데이터 라인 및 드레인 라인은 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐 몰리브덴(MoW), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 알루미늄합금(AlNd)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
|
| 19 |
19
제 11 항에 있어서,상기 데이터 라인 및 드레인 라인는 전기 단자 기능을 하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
|
| 20 |
20
제 11 항에 있어서, 상기 나노 물질 분산 용액은 잉크젯 프린팅, 스핀 코팅, 딥 코팅 또는 닥터 블레이드 방법 중 선택되는 어느 하나의 방식을 수행하여 도포하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
|
| 21 |
21
제 11 항에 있어서, 상기 나노 물질 분산 용액은 물, 에탄올, 메탄올 또는 이소프로필알콜 중 선택되는 1종의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
|
| 22 |
22
제 11 항에 있어서,상기 건조는 빛이나 열을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
|
| 23 |
23
기판 상에 소스 전극, 나노 패턴 활성층, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하는 박막트랜지스터와 화소 전극을 형성하는 것을 포함하는 액정표시장치의 제조 방법에 있어서,상기 박막트랜지스터는 제 11 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 의한 박막트랜지스터의 제조 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
|
