맞춤기술찾기

이전대상기술

유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015040952
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 절연막과 감광막을 차례로 적층한 후 반투과부를 포함하는 마스크를 이용한 회절 노광 기법으로 노광 후 현상(develope)을 통해 차단부가 적용되어 상기 감광막이 그대로 남은 영역의 제 1 감광막 패턴과, 상기 반투과부가 적용되어 감광막이 상기 제 1 감광막 패턴의 절반 이하로 남은 제 2 감광막 패턴과, 투과부가 적용되어 상기 감광막이 전혀 남지않는 영역을 형성하고, 상기 제 1, 2 감광막 패턴을 마스크로 하여 절연막을 오버 에칭하여 언더컷(undercut) 형상을 갖도록 제 1, 2 버퍼층을 패터닝하여 형성하고, 에싱(ashing)을 통해 상기 제 2 부분의 감광막을 제거하여 제 1, 2 격벽을 패터닝하여 형성함으로써, 유기전계발광표시장치 형성 시 마스크 수를 저감하여 제조 비용을 절감하고 생산성 및 제조 수율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.유기전계발광표시장치, 마스크 저감, 회절 노광, 언더컷
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H05B 33/10 (2006.01)
CPC H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01)
출원번호/일자 1020050122294 (2005.12.13)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1157263-0000 (2012.06.11)
공개번호/일자 10-2007-0062646 (2007.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20120615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.08)
심사청구항수 18

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김경만 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0727010-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0808372-25
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.09.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2011-0079393-72
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
9 등록결정서
Decision to grant
2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0192326-24
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수의 서브픽셀로 정의된 제 1 기판; 상기 제 1 기판 하부에 패터닝되어 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 하부의 소정 영역에 일정 간격 이격되어 패터닝되어 형성된 제 1, 2 보조 전극; 상기 제 1, 2 보조 전극 하부에 언더컷 형상으로 패터닝되어 형성되며 소정 간격 이격된 제 1, 2 버퍼층; 상기 각각의 서브픽셀이 분리되도록 각 서브픽셀을 구획하는 외곽에 형성되며, 상기 제 1, 2 버퍼층 하부의 소정 영역에 패터닝되어 형성된 제 1, 2 격벽; 상기 제 2 버퍼층 하부에 상기 제 2 격벽과 소정 영역 이격되어 패터닝되어 형성된 스페이서; 상기 제 1, 2 격벽 및 스페이서를 포함하는 제 1 전극 하부의 상기 제 1, 2 격벽에 의해 구획된 영역에 형성되며, 적어도 유기발광층을 포함하며 패터닝되어 형성된 유기막층; 상기 유기막층 하부 및 상기 제 1, 2 버퍼층 사이에 형성된 제 2 전극; 및 상기 제 1 기판과 스페이서에 의해 일정 간격으로 이격되어 배치되며, 상기 제 2 전극과 전기적으로 연결된 박막트랜지스터를 구비하는 제 2 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 2 버퍼층은 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 이중층(SiNx/SiO2, SiO2/SiNx)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 2 격벽은 포지티브형 포토레지스트로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 2 버퍼층 및 제 1, 2 격벽은 다각형 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 2 격벽은 발광 영역 사이에 대칭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 2 격벽은 상기 제 1, 2 버퍼층과 접하는 영역에 각각 하나의 예각과 하나의 둔각을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치
7 7
다수의 서브픽셀로 정의된 제 1 기판 상에 제 1 전극을 패터닝하여 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상의 소정 영역에 일정 간격 이격되도록 제 1, 2 보조 전극을 패터닝하여 형성하는 단계; 상기 제 1, 2 보조 전극을 포함한 제 1 기판 전면에 절연막 및 감광막을 차례로 적층하는 단계; 반투과부를 포함한 마스크를 통해 회절 노광 후 현상하여 두께 단차를 갖는 제 1, 2 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1, 2 감광막 패턴 하부의 절연막을 오버 에칭하여 언더컷 형상을 갖으며 일정 간격 이격되도록 제 1, 2 버퍼층을 형성하는 단계; 에싱을 통해 상기 제 2 감광막 패턴을 제거하여 일정 간격 이격되어 대칭되는 제 1, 2 격벽을 패터닝하여 형성하는 단계; 상기 제 2 버퍼층 상에 상기 제 2 격벽과 소정 간격 이격되도록 패터닝하여 스페이서를 형성하는 단계; 상기 버퍼층에 의해 구획된 발광 영역에 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층을 패터닝하여 형성하는 단계; 상기 유기막층, 제 1, 2 격벽 및 스페이서를 포함한 기판 상에 제 2 전극을 패터닝하여 형성하는 단계; 및 박막트랜지스터가 형성된 제 2 기판을 상기 스페이서를 통해 박막트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 상기 제 1 기판과 대향하여 봉지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 이중층(SiNx/SiO2, SiO2/SiNx)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 절연막은 화학기상증착법으로 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 감광막은 포지티브형 포토레지스트로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
11 11
제 7 항에 있어서, 상기 감광막은 스핀 코팅 방식에 의해 도포하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
12 12
제 7 항에 있어서, 상기 제 1, 2 버퍼층 및 제 1, 2 격벽은 반투과부를 포함하는 하나의 마스크를 이용한 일괄 식각으로 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
13 13
제 7 항에 있어서, 상기 마스크는 투과부, 반투과부, 차단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전계발광표시장치의 제조 방법
14 14
제 7 항에 있어서, 반투과부를 포함한 마스크를 통해 회절 노광 후 현상하여 두께 단차를 갖는 제 1, 2 감광막 패턴을 형성하는 단계에 있어서, 상기 감광막 상에 투과부, 반투과부, 차단부를 포함한 마스크를 위치시키는 단계; 상기 마스크 상에 광을 조사하는 단계; 및 상기 감광막을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 감광막을 현상하는 단계는 마스크의 차단부가 적용되어 상기 감광막이 그대로 남은 영역의 제 1 감광막 패턴과, 상기 반투과부가 적용되어 감광막이 상기 제 1 감광막 패턴의 절반 이하로 남은 영역의 제 2 감광막 패턴과, 투과부가 적용되어 상기 감광막이 전혀 남지않는 영역을 갖는 감광막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
16 16
제 7 항에 있어서, 상기 제 1, 2 버퍼층은 상기 제 1, 2 감광막 패턴 하부의 절연막을 습식 식각 또는 건식 식각으로 패터닝하여 언더컷을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
17 17
제 7 항에 있어서, 상기 제 1, 2 격벽은 발광 영역 사이에 대칭으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
18 18
제 7 항에 있어서, 상기 제 1, 2 격벽은 상기 제 1, 2 버퍼층과 접하는 영역에 각각 하나의 예각과 하나의 둔각을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.