맞춤기술찾기

이전대상기술

박막 패턴 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015041126
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 요구된 형태의 패턴을 가지는 박막을 제조하기 적합한 박막 패턴 제조 방법이 개시된다.박막 패턴 제조 방법에서는, 박막이 표면에 형성된 기판상에 패턴의 형태를 결정하는 마스크 막이 인쇄된다. 이 마스크 막에 사이로 노출된 박막의 표면층이 제거된 후, 마스크에 의하여 노출된 박막의 표면에 나노 입자 수용액이 도포된다. 이렇게 도포된 나노 입자 수용액의 액체 성분을 제거됨으로써 나노 입자 막 패턴이 형성된다.이에 따라, 정해진 박막 패턴의 형성 영역의 상부 또는 하부에 잉여의 공간을 마련하여 나노 입자 수용액의 수용 공간이 확장된다. 이 결과, 요구된 폭을 균일하게 유지하는 박막 패턴이 형성될 수 있다.패턴, 박막, 나노, 친수성, 소수성, SAMs, 인쇄
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01)
출원번호/일자 1020050129319 (2005.12.26)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1254825-0000 (2013.04.09)
공개번호/일자 10-2007-0067875 (2007.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20130415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.20)
심사청구항수 18

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이보현 대한민국 서울 성북구
2 채기성 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0760180-90
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0838663-54
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0081929-47
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0295252-82
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.07.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0583928-13
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0583927-78
12 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0711326-63
13 등록결정서
Decision to grant
2013.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0059075-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
박막이 표면에 형성된 기판을 마련하는 단계;상기 박막 상에 패턴의 형태를 결정하는 제1 마스크 막을 인쇄하는 단계;상기 제1 마스크 상에 상기 패턴과 인접한 제2 마스크 막의 가장자리가 노출되게 제2 마스크 막을 인쇄하는 단계;상기 제1 마스크 막에 의하여 노출된 상기 박막의 표면층을 제거하는 단계;상기 제2 마스크 사이로 상기 박막의 표면 및 상기 제2 마스크 막의 가장자리에 나노 입자 수용액을 도포하는 단계; 및상기 나노 입자 수용액의 액체 성분을 제거하여 나노 입자 막 패턴이 형성되게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 박막이 친수성을 가지는 물질로 그리고 상기 제1 및 제2 마스크 막이 소수성을 가지는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 박막이 절연막을 형성하고 그리고 상기 박막 패턴이 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
13 13
제 10 항에 있어서, 상기 박막의 표면층 제거 단계는 상기 박막의 표면층이 상기 박막의 두께의 1/4 내지 1/3 정도가 식각되게 하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 박막이 2~3㎛ 의 두께로 형성되고 상기 박막의 표면층이 0
15 15
기판상에 패턴의 형태를 결정하는 제1 마스크 막을 인쇄하는 단계;상기 제1 마스크 막에 상기 패턴과 인접하는 상기 제1 마스크 막의 가장자리가 노출되게 제2 마스크 막을 형성하는 단계;상기 제1 마스크 막에 의하여 노출된 상기 기판의 표면층을 제거하는 단계; 상기 제2 마스크 사이로 노출된 상기 기판의 표면 및 상기 제1 마스크 막의 가장자리에 나노 입자 수용액을 도포하는 단계; 및상기 나노 입자 수용액의 액체 성분을 제거하여 나노 입자 막 패턴이 형성되게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 기판이 친수성을 가지는 물질로 그리고 상기 제1 및 제2 마스크 막이 소수성을 가지는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
17 17
제 15 항에 있어서, 상기 박막 패턴이 트랜지스터의 확산 영역 및 소자들을 분리하는 분리막 중 어느 하나를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
18 18
제 17 항에 있어서, 상기 기판의 표면층 제거 단계는 상기 박막의 표면층이 0
19 19
박막이 표면에 형성된 기판을 마련하는 단계;상기 박막 상에 패턴의 형태를 결정하는 제1 마스크 막을 인쇄하는 단계;상기 제1 마스크 상에 상기 패턴과 인접한 제2 마스크 막의 가장자리가 노출되게 제2 마스크 막을 인쇄하는 단계;상기 제2 마스크 사이로 상기 박막의 표면 및 상기 제2 마스크 막의 가장자리에 나노 입자 수용액을 도포하는 단계; 및상기 나노 입자 수용액의 액체 성분을 제거하여 나노 입자 막 패턴이 형성되게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
20 20
제 19 항에 있어서, 상기 박막이 친수성을 가지는 물질로 그리고 상기 제1 및 제2 마스크 막이 소수성을 가지는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
21 21
제 19 항에 있어서, 상기 박막이 절연막을 형성하고 그리고 상기 박막 패턴이 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
22 22
제 19 항에 있어서, 상기 박막의 표면층 제거 단계는 상기 박막의 표면층이 상기 박막의 두께의 1/4 내지 1/3 정도가 식각되게 하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
23 23
제 22 항에 있어서, 상기 박막이 2~3㎛ 의 두께로 형성되고 상기 박막의 표면층이 0
24 24
기판상에 패턴의 형태를 결정하는 제1 마스크 막을 인쇄하는 단계;상기 제1 마스크 막에 상기 패턴과 인접하는 상기 제1 마스크 막의 가장자리가 노출되게 제2 마스크 막을 형성하는 단계;상기 제2 마스크 사이로 노출된 상기 기판의 표면 및 상기 제1 마스크 막의 가장자리에 나노 입자 수용액을 도포하는 단계; 및상기 나노 입자 수용액의 액체 성분을 제거하여 나노 입자 막 패턴이 형성되게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
25 25
제 24 항에 있어서, 상기 기판이 친수성을 가지는 물질로 그리고 상기 제1 및 제2 마스크 막이 소수성을 가지는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
26 26
제 24 항에 있어서, 상기 박막 패턴이 트랜지스터의 확산 영역 및 소자들을 분리하는 분리막 중 어느 하나를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
27 27
제 26 항에 있어서, 상기 기판의 표면층 제거 단계는 상기 박막의 표면층이 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.