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박막이 표면에 형성된 기판을 마련하는 단계;상기 박막 상에 패턴의 형태를 결정하는 제1 마스크 막을 인쇄하는 단계;상기 제1 마스크 상에 상기 패턴과 인접한 제2 마스크 막의 가장자리가 노출되게 제2 마스크 막을 인쇄하는 단계;상기 제1 마스크 막에 의하여 노출된 상기 박막의 표면층을 제거하는 단계;상기 제2 마스크 사이로 상기 박막의 표면 및 상기 제2 마스크 막의 가장자리에 나노 입자 수용액을 도포하는 단계; 및상기 나노 입자 수용액의 액체 성분을 제거하여 나노 입자 막 패턴이 형성되게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 박막이 친수성을 가지는 물질로 그리고 상기 제1 및 제2 마스크 막이 소수성을 가지는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 박막이 절연막을 형성하고 그리고 상기 박막 패턴이 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 박막의 표면층 제거 단계는 상기 박막의 표면층이 상기 박막의 두께의 1/4 내지 1/3 정도가 식각되게 하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 박막이 2~3㎛ 의 두께로 형성되고 상기 박막의 표면층이 0
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기판상에 패턴의 형태를 결정하는 제1 마스크 막을 인쇄하는 단계;상기 제1 마스크 막에 상기 패턴과 인접하는 상기 제1 마스크 막의 가장자리가 노출되게 제2 마스크 막을 형성하는 단계;상기 제1 마스크 막에 의하여 노출된 상기 기판의 표면층을 제거하는 단계; 상기 제2 마스크 사이로 노출된 상기 기판의 표면 및 상기 제1 마스크 막의 가장자리에 나노 입자 수용액을 도포하는 단계; 및상기 나노 입자 수용액의 액체 성분을 제거하여 나노 입자 막 패턴이 형성되게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 기판이 친수성을 가지는 물질로 그리고 상기 제1 및 제2 마스크 막이 소수성을 가지는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 박막 패턴이 트랜지스터의 확산 영역 및 소자들을 분리하는 분리막 중 어느 하나를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 17 항에 있어서, 상기 기판의 표면층 제거 단계는 상기 박막의 표면층이 0
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박막이 표면에 형성된 기판을 마련하는 단계;상기 박막 상에 패턴의 형태를 결정하는 제1 마스크 막을 인쇄하는 단계;상기 제1 마스크 상에 상기 패턴과 인접한 제2 마스크 막의 가장자리가 노출되게 제2 마스크 막을 인쇄하는 단계;상기 제2 마스크 사이로 상기 박막의 표면 및 상기 제2 마스크 막의 가장자리에 나노 입자 수용액을 도포하는 단계; 및상기 나노 입자 수용액의 액체 성분을 제거하여 나노 입자 막 패턴이 형성되게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 19 항에 있어서, 상기 박막이 친수성을 가지는 물질로 그리고 상기 제1 및 제2 마스크 막이 소수성을 가지는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 19 항에 있어서, 상기 박막이 절연막을 형성하고 그리고 상기 박막 패턴이 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 19 항에 있어서, 상기 박막의 표면층 제거 단계는 상기 박막의 표면층이 상기 박막의 두께의 1/4 내지 1/3 정도가 식각되게 하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 22 항에 있어서, 상기 박막이 2~3㎛ 의 두께로 형성되고 상기 박막의 표면층이 0
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기판상에 패턴의 형태를 결정하는 제1 마스크 막을 인쇄하는 단계;상기 제1 마스크 막에 상기 패턴과 인접하는 상기 제1 마스크 막의 가장자리가 노출되게 제2 마스크 막을 형성하는 단계;상기 제2 마스크 사이로 노출된 상기 기판의 표면 및 상기 제1 마스크 막의 가장자리에 나노 입자 수용액을 도포하는 단계; 및상기 나노 입자 수용액의 액체 성분을 제거하여 나노 입자 막 패턴이 형성되게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 24 항에 있어서, 상기 기판이 친수성을 가지는 물질로 그리고 상기 제1 및 제2 마스크 막이 소수성을 가지는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 24 항에 있어서, 상기 박막 패턴이 트랜지스터의 확산 영역 및 소자들을 분리하는 분리막 중 어느 하나를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴 제조 방법
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제 26 항에 있어서, 상기 기판의 표면층 제거 단계는 상기 박막의 표면층이 0
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