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반도체 공정을 통하여 기판상에 집적된 소자로서, 안테나를 통하여 유입되는 정전기로부터 내부 소자를 보호하는 정전방지부;안테나단과 연결되어 다중 대역의 RF신호 경로를 분리하고, 상기 다중 대역 RF신호를 스위칭하여 선택적으로 송수신시키는 스위칭부;상기 스위칭부와 연결되어 해당 대역의 RF신호를 필터링하는 하나 이상의 대역통과필터로 구성되는 필터부; 및상기 스위칭부 또는 상기 필터부로부터 상기 기판까지 연결되는 전극단자부를 포함하며,상기 전극단자부는,상기 기판의 상면에 형성되고, 상기 정전방지부, 상기 스위칭부 및 상기 필터부와 재분포 패턴에 의하여 통전되는 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나 스위치 모듈
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제 1항에 있어서, 상기 정전방지부, 스위칭부, 필터부는CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 공정 또는 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 공정을 통하여 기판 상에 집적되는 소자인 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나 스위치 모듈
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제 1항에 있어서, 상기 스위칭부는SP5T(Single-Pole Five-Throw) RF 스위치 회로로 구비되는 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나 스위치 모듈
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제 1항에 있어서,상기 RF신호는 GSM(Global Systems for Mobile communication) 신호, DCS(Digital Cellular Switch) 신호, PCS(Personal Communication Service) 신호를 포함하는 신호로서,상기 전극단자부는 GSM Rx 단자, GSM Tx 단자, DCS Rx 단자, PCS Rx 단자, DCS/PCS Tx 단자 중 적어도 두 개 이상의 전극단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나 스위치 모듈
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제 4항에 있어서, 상기 필터부는상기 GSM Tx 단자 또는 DCS/PCS Tx 단자 사이에 연결되는 저대역 통과 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나 스위치 모듈
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제 1항에 있어서, 상기 전극단자부는CSP(Chip Scaled Package) 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나 스위치 모듈
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제 1항에 있어서, 상기 전극단자부는칩패드, 솔더접합패드, 재분포(Re-routing)금속패턴 중 어느 하나 이상의 통전수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나 스위치 모듈
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제 8항에 있어서, 상기 전극단자부는상기 솔더접합패드 위로 접합용 솔더볼이 형성되는 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나 스위치 모듈
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제 1항에 있어서, 상기 스위칭부는RF스위칭회로 및 제어 논리 회로를 포함하고, 상기 RF스위칭회로 및 상기 제어 논리 회로는 반도체 공정을 통하여 상기 기판상에 각각 집적되는 것을 특징으로 하는 다중대역 안테나 스위치 모듈
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