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유기 전계발광소자 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015041432
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 반도체층 형성시 커패시터 하부전극을 동시에 형성하여 마스크를 사용횟수를 줄임으로써 제조원가를 절감하고 공정 시간을 줄이고자 하는 유기 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상기 유기 전계발광소자는 기판 상에 형성되어 소스/드레인 영역을 포함하는 반도체층과, 상기 반도체층과 일체형으로 동일층에 구비되는 커패시터 하부전극과, 상기 반도체층 및 커패시터 하부전극을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 반도체층 및 커패시터 하부전극 상부의 게이트 절연막 상에 각각 형성되는 게이트 전극 및 커패시터 상부전극과, 상기 게이트 전극에 절연되어 상기 소스/드레인 영역에 콘택되는 소스/드레인 전극과, 상기 소스/드레인 전극에 절연되어 상기 드레인 전극에 콘택되는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극에 형성된 정공수송층, 유기발광층 및 전자수송층과, 상기 유기발광층 상부에 형성되는 제 2 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 유기 전계발광소자, 노광마스크
Int. CL	H05B 33/10 (2006.01) H05B 33/00 (2006.01)
CPC	H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01)
출원번호/일자	1020050134993 (2005.12.30)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-1212153-0000 (2012.12.07)
공개번호/일자	10-2007-0071490 (2007.07.04) 문서열기
공고번호/일자	(20121213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.12.21)
심사청구항수	9

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	홍순광	대한민국	대구광역시 북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	심창섭	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 *, 현대빌딩 층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2005.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2005-0782910-28
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2010.12.21	수리 (Accepted)	1-1-2010-0842960-59
5	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2011.09.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
7	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2011.10.20	수리 (Accepted)	9-1-2011-0084641-18
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
9	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.04.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0254280-55
10	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.06.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0509000-56
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.06.26	수리 (Accepted)	1-1-2012-0509001-02
12	등록결정서 Decision to grant	2012.11.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0702317-98

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 형성되어 소스/드레인 영역을 포함하는 반도체층과,상기 반도체층과 일체형으로 동일층에 형성되는 커패시터 하부전극과,상기 반도체층 및 커패시터 하부전극을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막과,상기 반도체층 및 커패시터 하부전극 상부의 게이트 절연막 상에 각각 형성되는 게이트 전극 및 커패시터 상부전극과,상기 게이트 전극에 절연되어 상기 소스/드레인 영역에 콘택되는 소스/드레인 전극과,상기 소스/드레인 전극과 동일층에 형성된 패드전극과,상기 드레인 전극에 콘택되는 제 1 전극과,상기 제 1 전극과 동일층에 형성되어 상기 패드전극을 커버하는 산화방지막과,상기 제 1 전극 상에 형성된 정공수송층, 유기발광층 및 전자수송층과,상기 전자수송층 상부에 형성되는 제 2 전극을 구비하고,상기 제 1 전극 및 상기 산화방지막은 반사특성을 갖는 금속층과, 상기 금속층 상에 형성된 ITO(Indium Tin Oxide)층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 소스/드레인 영역은 p형 또는 n형 소스/드레인 영역인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 커패시터 하부전극은 상기 반도체층의 연장부에 스토리지 도핑하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스/드레인 전극은 스위칭 박막트랜지스터이거나 또는 구동 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
5	5 기판 상에 서로 일체형인 반도체층 및 커패시터 하부전극을 형성하는 단계와,상기 커패시터 하부전극을 스토리지 도핑하는 단계와,상기 반도체층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와,상기 게이트 절연막 상에 게이트 배선, 게이트 전극 및 커패시터 상부전극을 형성하는 단계와,상기 게이트 전극을 마스크로 하여 상기 반도체층에 불순물을 주입하여 소스/드레인 영역을 형성하는 단계와,상기 게이트 배선에 교차하는 데이터 배선과, 상기 게이트 전극과 절연되고 상기 소스/드레인 영역에 콘택되는 소스/드레인 전극과, 패드전극을 형성하는 단계와,상기 드레인 전극에 콘택되는 제 1 전극과, 상기 패드전극을 커버하는 산화방지막을 형성하는 단계와,상기 제 1 전극 상에 정공수송층, 유기발광층 및 전자수송층을 형성하는 단계와,상기 전자수송층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제 1 전극 및 상기 산화방지막은 반사특성을 갖는 금속층과, 상기 금속층 상에 형성된 ITO(Indium Tin Oxide)층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 반도체층을 다결정 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법
7	7 제 5 항에 있어서, 상기 커패시터 하부전극은 상기 반도체층을 연장하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법
8	8 제 5 항에 있어서, 상기 반도체층에 불순물을 주입하여 소스/드레인 영역을 형성하는 단계에서,n형 불순물을 주입하거나 또는 p형 불순물을 주입하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법
9	9 제 5 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 산화막 또는 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1212153-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20051230 출원 번호 : 1020050134993 공고 연월일 : 20121213 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121120 청구범위의 항수 : 9 유별 : H05B 33/00 발명의 명칭 : 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	396,000 원	2012년 12월 10일	납입
제 4 년분	금 액	238,000 원	2015년 11월 30일	납입
제 5 년분	금 액	238,000 원	2016년 11월 18일	납입
제 6 년분	금 액	238,000 원	2017년 11월 16일	납입
제 7 년분	금 액	442,000 원	2018년 11월 14일	납입
제 8 년분	금 액	442,000 원	2019년 11월 13일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2005.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2005-0782910-28
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2010.12.21	수리 (Accepted)	1-1-2010-0842960-59
5	선행기술조사의뢰서	2011.09.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
7	선행기술조사보고서	2011.10.20	수리 (Accepted)	9-1-2011-0084641-18
8	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
9	의견제출통지서	2012.04.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0254280-55
10	[명세서등 보정]보정서	2012.06.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0509000-56
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.06.26	수리 (Accepted)	1-1-2012-0509001-02
12	등록결정서	2012.11.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0702317-98


기술번호	KST2015041432
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	유기 전계발광소자 및 그 제조방법
기술개요	본 발명은 반도체층 형성시 커패시터 하부전극을 동시에 형성하여 마스크를 사용횟수를 줄임으로써 제조원가를 절감하고 공정 시간을 줄이고자 하는 유기 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상기 유기 전계발광소자는 기판 상에 형성되어 소스/드레인 영역을 포함하는 반도체층과, 상기 반도체층과 일체형으로 동일층에 구비되는 커패시터 하부전극과, 상기 반도체층 및 커패시터 하부전극을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 반도체층 및 커패시터 하부전극 상부의 게이트 절연막 상에 각각 형성되는 게이트 전극 및 커패시터 상부전극과, 상기 게이트 전극에 절연되어 상기 소스/드레인 영역에 콘택되는 소스/드레인 전극과, 상기 소스/드레인 전극에 절연되어 상기 드레인 전극에 콘택되는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극에 형성된 정공수송층, 유기발광층 및 전자수송층과, 상기 유기발광층 상부에 형성되는 제 2 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 유기 전계발광소자, 노광마스크
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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