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버퍼층이 형성된 기판 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘막 상에 이온화된 비활성원소를 주입하는 단계;상기 이온화된 비활성원소가 주입된 비정질 실리콘막을 결정화하여 폴리실리콘막을 형성하는 단계;상기 폴리실리콘막을 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계;상기 액티브층 상에 게이트 전극을 패터닝하여 형성하는 단계;상기 액티브층에 상기 게이트 전극을 마스크로 하여 불순물을 주입하여 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 드레인 영역 사이에 채널 영역을 정의하는 단계; 및상기 게이트 전극 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 이온화된 비활성원소는 헬륨(He), 아르곤(Ar), 크롬(Kr) 또는 크세논(Xe) 중에서 선택되는 1종이며, 상기 주입되는 비활성원소들은 상기 버퍼층과 비정질 실리콘막 경계에 접촉 트랩(interface trapping) 상태를 유지하면서 위치하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 이온화된 비활성원소는 헬륨(He), 아르곤(Ar), 크롬(Kr) 또는 크세논(Xe) 중에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 이온화된 비활성원소 주입 시 가속 전압은 10 ~ 100KeV 범위인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 결정화는 600℃ 내지 800℃에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법
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버퍼층이 형성된 기판 비정질 실리콘막을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘막 상에 이온화된 비활성원소를 주입하는 단계;상기 이온화된 비활성원소가 주입된 비정질 실리콘막을 결정화하여 폴리실리콘막을 형성하는 단계;상기 폴리실리콘막을 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계;상기 액티브층 상에 게이트 전극을 패터닝하여 형성하는 단계;상기 액티브층에 상기 게이트 전극을 마스크로 하여 불순물을 주입하여 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 드레인 영역 사이에 채널 영역을 정의하는 단계; 상기 게이트 전극 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계; 및 상기 유기막층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 이온화된 비활성원소는 헬륨(He), 아르곤(Ar), 크롬(Kr) 또는 크세논(Xe) 중에서 선택되는 1종이며, 상기 주입되는 비활성원소들은 상기 버퍼층과 비정질 실리콘막 경계에 접촉 트랩(interface trapping) 상태를 유지하면서 위치하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 이온화된 비활성원소의 도즈 량은 1x1013 ~ 1x1015ions/㎠ 범위인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 이온화된 비활성원소 주입 시 가속 전압은 10 ~ 100KeV 범위인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 결정화는 600℃ 내지 800℃에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법
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