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레벨 쉬프터 및 이를 이용한 액정표시장치

  • 기술번호 : KST2015041512
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 소자 특성 변화에 따른 오동작을 예방할 수 있는 레벨 쉬프터와 이를 이용한 액정표시장치에 관한 것이다.이 레벨 쉬프터는 입력 전압, 출력 전압, 고전위 전압 및 저전위 전압을 공급받아 상기 입력 전압 및 상기 출력 전압의 논리치와 상반되는 바이어스 전압을 제1 바이어스 노드에 공급하는 바이어스 전압 발생부와; 상기 제1 바이어스 노드 상의 전압에 응답하여 상기 출력 전압으로 상기 고전위 전압을 공급하기 위한 풀-업 트랜지스터와; 외부 전압원으로부터 직접 제2 바이어스 전압이 공급되는 제2 바이어스 노드 상의 전압에 응답하여 상기 출력 전압으로 상기 저전위 전압을 공급하기 위한 풀-다운 트랜지스터를 구비하고, 상기 입력 전압으로 상기 저전위 전압이 공급되면 상기 저전위 전압을 상기 출력 전압으로 출력하고, 상기 입력 전압으로 상기 고전위 전압과 다른 전위를 가지는 제2 고전위 전압이 공급되면 상기 고전위 전압을 상기 출력 전압으로 출력한다.
Int. CL G09G 3/20 (2006.01) G02F 1/133 (2006.01) G09G 3/36 (2006.01) H03K 19/0175 (2006.01)
CPC G09G 3/3611(2013.01) G09G 3/3611(2013.01) G09G 3/3611(2013.01) G09G 3/3611(2013.01)
출원번호/일자 1020050133612 (2005.12.29)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1232511-0000 (2013.02.05)
공개번호/일자 10-2007-0070761 (2007.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20130212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.24)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유재성 대한민국 서울특별시 영등포구
2 유준석 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0778768-91
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0608107-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0858730-84
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0023303-73
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0386377-92
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0691495-01
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0691496-46
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0698579-45
14 등록결정서
Decision to grant
2012.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0725359-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력 전압, 출력 전압, 고전위 전압 및 저전위 전압을 공급받아 상기 입력 전압 및 상기 출력 전압의 논리치와 상반되는 바이어스 전압을 제1 바이어스 노드에 공급하는 바이어스 전압 발생부와;상기 제1 바이어스 노드 상의 전압에 응답하여 상기 출력 전압으로 상기 고전위 전압을 공급하기 위한 풀-업 트랜지스터와; 외부 전압원으로부터 직접 제2 바이어스 전압이 공급되는 제2 바이어스 노드 상의 전압에 응답하여 상기 출력 전압으로 상기 저전위 전압을 공급하기 위한 풀-다운 트랜지스터를 구비하고, 상기 입력 전압으로 상기 저전위 전압이 공급되면 상기 저전위 전압을 상기 출력 전압으로 출력하고,상기 입력 전압으로 상기 고전위 전압과 다른 전위를 가지는 제2 고전위 전압이 공급되면 상기 고전위 전압을 상기 출력 전압으로 출력하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 풀-업 트랜지스터는 p형 트랜지스터로 형성되고,상기 풀-다운 트랜지스터는 n형 트랜지스터로 형성되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
3 3
제 2 항에 있어서,상기 풀-업 트랜지스터는 상기 제1 바이어스 노드에 게이트단자, 상기 고전위 전압이 공급되는 고전위 단자에 소스단자, 그리고 상기 출력 노드에 드레인단자가 접속되고,상기 풀-다운 트랜지스터는 상기 제2 바이어스 노드에 게이트단자, 상기 출력 노드에 소스단자, 그리고 상기 입력 노드에 드레인단자가 접속되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
4 4
제 3 항에 있어서,상기 바이어스 전압 발생부는,직렬로 연결된 제1 및 제2 p형 트랜지스터와 병렬로 연결된 제1 및 제2 n형 트랜지스터를 포함하고,상기 제2 p형 트랜지스터는 상기 제1 및 제2 n형 트랜지스터와 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제1 p형 트랜지스터는 상기 입력 노드에 게이트단자, 상기 고전위 단자에 소스단자가 접속되고, 상기 제2 p형 트랜지스터는 상기 제1 p형 트랜지스터의 드레인단자에 소스단자, 상기 출력 노드에 게이트단자, 상기 제1 바이어스 노드에 드레인단자가 접속되고,상기 제1 n형 트랜지스터는 상기 입력 노드에 게이트단자, 상기 제1 바이어스 노드에 소스단자, 상기 저전위 전압이 공급되는 저전위 단자에 드레인단자가 접속되고,상기 제2 n형 트랜지스터는 상기 출력 노드에 게이트단자, 상기 제1 바이어스 노드에 소스단자, 상기 저전위 단자에 드레인단자가 접속되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
6 6
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나에 있어서,상기 외부 전압원은 직류 전압원인 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
7 7
제 6 항에 있어서,상기 제2 바이어스 전압은,상기 저전위 전압과의 전압차가 상기 풀-다운 트랜지스터의 문턱전압 이상이 되도록 설정되며,상기 제2 고전위 전압과의 전압차가 상기 풀-다운 트랜지스터의 문턱전압 미만이 되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
8 8
액정화소어레이들과 상기 액정화소어레이들을 구동하기 위한 구동회로들이 형성된 패널과;상기 패널의 구동회로에 필요한 구동신호를 발생하는 외부 구동회로와;상기 외부 구동회로의 전압을 상기 패널 내의 구동회로의 동작에 필요한 전압레벨로 변환하여 변환된 상기 외부 구동회로의 전압을 상기 패널 내의 구동회로에 공급하는 레벨 쉬프터를 구비하고;상기 레벨 쉬프터는 입력 전압, 출력 전압, 고전위 전압 및 저전위 전압을 공급받아 상기 입력 전압 및 상기 출력 전압의 논리치와 상반되는 바이어스 전압을 제1 바이어스 노드에 공급하는 바이어스 전압 발생부와, 상기 제1 바이어스 노드 상의 전압에 응답하여 상기 출력 전압으로 상기 고전위 전압을 공급하기 위한 풀-업 트랜지스터와, 외부 전압원으로부터 직접 제2 바이어스 전압이 공급되는 제2 바이어스 노드 상의 전압에 응답하여 상기 출력 전압으로 상기 저전위 전압을 공급하기 위한 풀-다운 트랜지스터를 구비하고, 상기 입력 전압으로 상기 저전위 전압이 공급되면 상기 저전위 전압을 상기 출력 전압으로 출력하고, 상기 입력 전압으로 상기 고전위 전압과 다른 전위를 가지는 제2 고전위 전압이 공급되면 상기 고전위 전압을 상기 출력 전압으로 출력하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
9 9
제 8 항에 있어서,상기 풀-업 트랜지스터는 p형 트랜지스터로 형성되고,상기 풀-다운 트랜지스터는 n형 트랜지스터로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
10 10
제 9 항에 있어서,상기 풀-업 트랜지스터는 상기 제1 바이어스 노드에 게이트단자, 상기 고전위 전압이 공급되는 고전위 단자에 소스단자, 그리고 상기 출력 노드에 드레인단자가 접속되고,상기 풀-다운 트랜지스터는 상기 제2 바이어스 노드에 게이트단자, 상기 출력 노드에 소스단자, 그리고 상기 입력 노드에 드레인단자가 접속되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
11 11
제 10 항에 있어서,상기 바이어스 전압 발생부는,직렬로 연결된 제1 및 제2 p형 트랜지스터와 병렬로 연결된 제1 및 제2 n형 트랜지스터를 포함하고,상기 제2 p형 트랜지스터는 상기 제1 및 제2 n형 트랜지스터와 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
12 12
제 11 항에 있어서,상기 제1 p형 트랜지스터는 상기 입력 노드에 게이트단자, 상기 고전위 단자에 소스단자가 접속되고, 상기 제2 p형 트랜지스터는 상기 제1 p형 트랜지스터의 드레인단자에 소스단자, 상기 출력 노드에 게이트단자, 상기 제1 바이어스 노드에 드레인단자가 접속되고,상기 제1 n형 트랜지스터는 상기 입력 노드에 게이트단자, 상기 제1 바이어스 노드에 소스단자, 상기 저전위 전압이 공급되는 저전위 단자에 드레인단자가 접속되고,상기 제2 n형 트랜지스터는 상기 출력 노드에 게이트단자, 상기 제1 바이어스 노드에 소스단자, 상기 저전위 단자에 드레인단자가 접속되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
13 13
제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 하나에 있어서,상기 외부 전압원은 직류 전압원인 것을 특징으로 하는 액정표시장치
14 14
제 13 항에 있어서,상기 제2 바이어스 전압은,상기 저전위 전압과의 전압차가 상기 풀-다운 트랜지스터의 문턱전압 이상이 되도록 설정되며,상기 제2 고전위 전압과의 전압차가 상기 풀-다운 트랜지스터의 문턱전압 미만이 되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
15 15
제 14 항에 있어서,상기 트랜지스터들은 폴리실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.