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기판 상에 레이저 빔을 조사하기 위한 레이저 장치;프로세스 챔버 내부에 형성되며 가스를 분출하기 위한 가스방출부를 구비한 가스 탱크;상기 가스 탱크에 상기 가스를 주입하는 가스공급부; 및상기 가스 탱크의 일측에 구비되어 상기 가스공급부로부터 주입된 가스의 온도를 탈수소화를 위한 온도로 제어하는 보조 가스 탱크를 포함하고,상기 레이저 빔은 상기 가스가 분출되는 상기 가스방출부를 관통하여 조사되어 박막의 탈수소화와 결정화가 동시에 수행되는 프로세스 챔버를 구비하는 레이저 결정화 장비
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제 1 항에 있어서,상기 가스는 N2 인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비
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제 2 항에 있어서,상기 가스 탱크에 공급되는 가스의 온도는 400℃ 내지 700℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비
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제 1 항에 있어서,상기 가스공급부는 제1 온도의 가스를 공급하는 제1 가스공급부와 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 가스를 주입하는 제2 가스공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비
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제1항에 있어서,상기 가스 탱크와 보조 가스 탱크 사이에 게이트 밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비
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제1항에 있어서,상기 가스 탱크와 상기 보조 가스 탱크의 일측면에 제1, 2 온도측정기를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비
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제 1 항에 있어서, 상기 가스 탱크는 일측면에 가스 농도 측정기를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비
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제 1 항에 있어서, 상기 가스 탱크의 바닥면과 기판 사이의 바닥면의 거리는 10mm 이하인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비
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제 1 항에 있어서, 상기 가스 탱크의 바닥면의 양측면에 제1 보조차단막을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비
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제 9 항에 있어서, 상기 기판의 양측면에 일정 간격 이격된 제2 보조차단막을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비
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제 1 항에 있어서, 상기 가스 탱크의 상부면에 씰링 윈도우를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비
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프로세스 챔버를 열고 X-Y 스테이지 상에 비정질 실리콘막이 형성된 기판을 위치시키는 단계;N2를 가스공급부로부터 가스주입관을 통해 보조 가스 탱크로 공급하는 단계;상기 보조 가스 탱크에서 상기 N2의 온도를 탈수소화를 위한 온도로 제어하는 단계;상기 보조 가스 탱크에서 온도 제어된 N2를 가스방출부를 통해 상기 기판으로 분출하고, 레이저 장치에서 발생한 레이저 빔을 씰링 윈도우를 거쳐 가스방출부를 통해 상기 기판에 조사하는 단계를 포함하고,상기 N2의 분출과 레이저 빔의 조사에 의해 탈수소화와 결정화가 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비의 구동방법
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제 13 항에 있어서,상기 가스공급부는 제1 온도의 가스를 공급하는 제1 가스공급부와 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 가스를 공급하는 제2 가스공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비의 구동방법
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제 13 항에 있어서,상기 가스 분출과 레이저 조사는 안정화 시간을 설정하여 상기 기판이 먼저 가열된 후 레이저 조사가 시작될 수 있도록 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장비의 구동방법
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기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계; 및제1항 내지 제12항의 어느 한 항에 의한 상기 레이저 결정화 장비를 이용하여 상기 비정질 실리콘막을 동일한 프로세스 챔버에서 동시에 탈수소화 및 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막의 제조방법
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기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계;제1항 내지 제12항의 어느 한 항에 의한 상기 레이저 결정화 장비를 이용하여 상기 비정질 실리콘막을 동일한 프로세스 챔버에서 동시에 수행하여 탈수소화 및 결정화하는 단계;상기 결정화된 폴리실리콘막을 마스크를 이용하여 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계;상기 액티브층을 포함한 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 증착하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 패터닝하여 형성하는 단계;상기 액티브층에 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 불순물을 주입하여 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 단계; 및상기 기판을 열처리를 통해 활성화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
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기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계;제1항 내지 제12항의 어느 한 항에 의한 상기 레이저 결정화 장비를 이용하여 상기 비정질 실리콘막을 동일한 프로세스 챔버에서 동시에 수행하여 탈수소화 및 결정화하는 단계;상기 결정화된 폴리실리콘막을 마스크를 이용하여 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계;상기 액티브층을 포함한 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 증착하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 패터닝하여 형성하는 단계;상기 액티브층에 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 불순물을 주입하여 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 단계; 상기 기판을 열처리를 통해 활성화하는 단계; 상기 게이트 전극 상에 상기 소스 영역 및 드레인 영역의 표면 일부를 노출시키는 콘택홀을 포함하는 층간절연막을 형성하는 단계;상기 층간절연막 상에 콘택홀을 통해 상기 소스 영역에 드레인 영역과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 상기 드레인 전극의 표면 일부를 노출시키는 비아홀을 포함하는 보호층을 형성하는 단계; 및상기 보호층 상에 비아홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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