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적어도 하나의 화소 영역을 갖는 제 1 및 제 2 기판;상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 형성된 전해질층;상기 제 1 기판의 화소 영역마다 형성된 박막트랜지스터;상기 박막트랜지스터를 포함한 제 1 기판의 전면에 형성되며, 요철패턴을 갖는 보호막;상기 보호막에 형성된 콘택홀을 통해 상기 박막트랜지스터에 접속되며, 상기 화소 영역에 대응하는 보호막상에 형성된 제 1 전극; 및,상기 전해질층과 제 1 전극 사이에 위치하도록 제 1 전극상에 형성된 전기변색층을 포함하여 구성되며;상기 보호막은 흰색 안료가 첨가된 유기막인 것을 특징으로 하는 전기변색소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 투명 전도 물질(ITO; Indium Tin Oxide) 인 것을 특징으로 하는 전기변색소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 기판의 전면에 형성된 제 2 전극; 및,상기 제 2 전극상에 형성된 이온 저장층을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 전기변색소자
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제 4 항에 있어서,제 2 기판과 상기 제 2 전극 사이에 형성되는 블랙매트릭스층을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 전기변색소자
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제 5 항에 있어서,상기 블랙매트릭스층은 상기 화소 영역을 제외한 부분 및 상기 박막트랜지스터가 형성된 부분을 가리도록 형성된 것을 특징으로 하는 전기변색소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극의 표면이 요철패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 전기변색소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 표면 및 전기변색층의 표면이 요철패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 전기변색소자
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적어도 하나의 화소 영역을 갖는 제 1 및 제 2 기판;상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 형성된 전해질층;상기 제 1 기판의 화소 영역마다 형성된 박막트랜지스터;상기 박막트랜지스터를 포함한 제 1 기판의 전면에 형성되며, 흰색 안료가 첨가된 유기막으로 구성되어 흰색을 나타내는 보호막;상기 보호막에 형성된 콘택홀을 통해 상기 박막트랜지스터에 접속되며, 상기 화소 영역에 대응하는 보호막상에 형성된 제 1 전극; 및,상기 전해질층과 제 1 전극 사이에 위치하도록 제 1 전극상에 형성된 전기변색층을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 전기변색소자
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제 9 항에 있어서,상기 보호막의 표면이 요철패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 전기변색소자
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 전극은 투명 전도 물질(ITO; Indium Tin Oxide) 인 것을 특징으로 하는 전기변색소자
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제 9 항에 있어서,상기 제 2 기판의 전면에 형성된 제 2 전극; 및,상기 제 2 전극상에 형성된 이온 저장층을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 전기변색소자
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제 12 항에 있어서,제 2 기판과 상기 제 2 전극 사이에 형성되는 블랙매트릭스층을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 전기변색소자
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제 13 항에 있어서,상기 블랙매트릭스층은 상기 화소 영역을 제외한 부분 및 상기 박막트랜지스터가 형성된 부분을 가리도록 형성된 것을 특징으로 하는 전기변색소자
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 전극의 표면이 요철패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 전기변색소자
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 전극 표면 및 전기변색층의 표면이 요철패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 전기변색소자
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적어도 하나의 화소 영역을 갖는 기판을 준비하는 단계;상기 화소 영역에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;흰색 안료가 첨가된 유기막을 사용하여, 상기 박막트랜지스터를 포함한 기판의 전면에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막의 표면에 요철패턴을 형성하는 단계;상기 보호막에 상기 박막트랜지스터의 소스전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계;상기 콘택홀을 통해 상기 소스전극에 연결되도록 상기 보호막상에 전극을 형성하는 단계; 및,상기 전극상에 전기변색층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 전기변색소자의 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 전극은 투명 전도 물질(ITO; Indium Tin Oxide) 인 것을 특징으로 하는 전기변색소자의 제조방법
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적어도 하나의 화소 영역을 갖는 기판을 준비하는 단계;상기 화소 영역에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;흰색 안료가 첨가된 유기막을 사용하여, 상기 박막트랜지스터를 포함한 기판의 전면에 흰색을 나타내는 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막에 상기 박막트랜지스터의 소스전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계;상기 콘택홀을 통해 상기 소스전극에 연결되도록 상기 보호막상에 전극을 형성하는 단계; 및,상기 전극상에 전기변색층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 전기변색소자의 제조방법
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제 20 항에 있어서,상기 보호막의 표면이 요철패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 전기변색소자의 제조방법
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제 20 항에 있어서,상기 전극은 투명 전도 물질(ITO; Indium Tin Oxide) 인 것을 특징으로 하는 전기변색소자의 제조방법
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