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유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015041615
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로, 유기 전계 발광 표시 장치는 쉐도우 마스크를 통한 유기발광층의 형성시에, 상기 쉐도우 마스크의 브리지를 제거하여 유기 발광층을 적어도 2 개의 발광영역에 동시에 형성하고, 상기 유기 발광층을 델타형으로 배열하도록 형성함에 따라, 개구율을 더욱 향상시킬수 있는 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.쉐도우 마스크, 개구율, 브리지, 유기 전계 발광 표시 장치
Int. CL H05B 33/26 (2006.01) H05B 33/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020050134249 (2005.12.29)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1221184-0000 (2013.01.04)
공개번호/일자 10-2007-0071080 (2007.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20130207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.24)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안태준 대한민국 서울특별시 성동구
2 이홍구 대한민국 경기도 군포시 산본로 ***, 충무*차아파트 *
3 유준석 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0780582-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0858358-02
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0089596-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0255440-32
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0517741-02
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0517742-47
12 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0698579-45
13 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0702315-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스트라이프(stripe)형으로 배열된 다수의 서브픽셀을 구비하는 기판;상기 각 서브픽셀에 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터;상기 박막트랜지스터를 포함하는 기판상에 형성된 보호막;상기 보호막 상에 상기 각 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 수직으로 이웃한 적어도 2 개가 쌍을 이루어 델타(delta)형으로 배열되는 제 1 전극들;상기 제 1 전극들 상에 배치된 유기발광층; 및상기 유기발광층상에 형성된 제 2 전극을 포함하며,한쌍을 이루는 상기 제 1 전극들에 각각 배치된 유기발광층들은 연장되어 일체로 형성되어, 상기 한쌍의 제 1 전극들과 각각 연결되는 서브픽셀들은 하나의 상 기 유기발광층을 공유하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 박막트랜지스터를 포함하는 보호막 상에 형성된 평탄화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극의 외곽에 형성되어 발광영역을 한정하는 뱅크를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 유기발광층은 델타(delta)형으로 배치된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 서브픽셀의 면적과 동일한 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 유기발광층 사이에 정공주입층 및 정공수송층 중 적어도 어느 하나가 더 개재된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
7 7
제 1 항에 있어서,상기 유기발광층과 상기 제 2 전극 사이에 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나가 더 개재된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
8 8
기판;상기 제 1 기판상에 형성된 제 1 전극;상기 제 1 전극상에 다수의 발광영역을 구획하는 외곽부에 위치하되, 수직하게 이웃한 적어도 2 개의 발광영역이 한쌍을 이루도록 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성된 세퍼레이터(separator);상기 제 1 전극상에 위치하며, 인접한 적어도 2 개의 발광영역과 상기 2 개의 발광 영역 사이에 배치된 상기 세퍼레이터 상부에 걸쳐 형성된 동일한 유기발광층;상기 유기발광층상에 위치하며, 상기 세퍼레이터에 의해 각 발광영역으로 분리된 제 2 전극; 및상기 기판과 이격되어 배치되며, 다수개의 서브픽셀을 구비하고 상기 제 2 전극과 전기적으로 연결되며 상기 각 서브픽셀에 구비된 박막트랜지스터가 형성된 상부기판;을 포함하며,상기 적어도 2 개의 발광영역에 걸쳐 형성된 동일한 유기발광층은 델타(delta)형으로 배치되며 상기 세퍼레이터에 의해 각 발광영역으로 분리된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
9 9
제 8 항에 있어서,상기 한쌍을 이루는 적어도 2 개의 발광영역은 상기 버퍼층에 의해 델타형으로 배열하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
10 10
제 8 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 유기발광층 사이에 정공주입층 및 정공수송층 중 적어도 어느 하나가 더 개재된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
11 11
제 8 항에 있어서,상기 유기발광층과 상기 제 2 전극 사이에 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나가 더 개재된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
12 12
삭제
13 13
제 8 항에 있어서,상기 각 서브픽셀은 스트라이프(stripe)형으로 배열된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
14 14
제 8 항에 있어서,상기 한쌍을 이루는 적어도 2 개의 발광영역은 상기 서브픽셀에 대해 델타형으로 배열되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
15 15
제 8 항에 있어서,상기 제 2 전극은 상기 서브픽셀의 면적과 동일하게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치
16 16
스트라이프(stripe)형으로 배열된 다수의 서브픽셀로 정의되며, 상기 각 서브픽셀에 구비된 박막트랜지스터가 형성된 기판을 제공하는 단계;상기 박막트랜지스터를 포함하는 기판상에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막 상에 상기 각 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 수직으로 이웃한 적어도 2 개가 쌍을 이루어 델타(delta)형으로 배열되는 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극들 상에 연장하여 유기발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기발광층상에 형성된 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,한쌍을 이루는 상기 제 1 전극들에 각각 배치된 상기 유기발광층들은 연장되어 일체로 형성되어, 상기 한쌍의 제 1 전극들과 각각 연결되는 서브픽셀들은 하나의 상기 유기발광층을 공유하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 서브픽셀의 면적과 동일하게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법
18 18
제 16 항에 있어서,상기 한쌍을 이루는 제 1 전극들 상에 연장하여 유기발광층을 형성하는 단계에서,상기 유기발광층은 상기 2 개의 서브픽셀에 대응된 개구부를 구비하는 쉐도우 마스크를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법
19 19
기판을 제공하는 단계;상기 기판상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극상에 위치하되, 다수의 발광영역을 구획하는 외곽부에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층상에 세퍼레이터를 형성하는 단계;상기 제 1 전극상에 위치하며, 인접한 적어도 2 개의 발광영역과 상기 2 개의 발광영역 상부에 걸쳐 유기발광층을 동시에 증착하는 단계;상기 유기발광층상에 위치하며, 상기 세퍼레이터에 의해 각 발광영역으로 분리된 제 2 전극을 형성하는 단계; 및상기 기판 상에 다수개의 서브픽셀을 구비하고 상기 각 서브픽셀에 구비된 박막트랜지스터가 형성된 상부기판을 합착하는 단계를 포함하며,상기 적어도 2 개의 발광영역에 걸쳐 형성된 유기발광층은 델타(delta)형으로 배치되고, 상기 유기발광층은 상기 세퍼레이터에 의해 각 상기 발광영역으로 분리된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 제 1 전극상에 위치하며, 인접한 적어도 2 개의 발광영역에 걸쳐 유기발광층을 동시에 증착하는 단계에서상기 유기발광층은 상기 적어도 2 개의 발광영역에 대응된 개구부를 구비하는 쉐도우 마스크를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법
21 21
제 20 항에 있어서,상기 버퍼층에 의해 서로 이웃한 적어도 2 개의 발광영역은 쌍을 이루며, 상기 한쌍을 이루는 적어도 2 개의 발광영역은 델타형으로 배열하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.