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박막 트랜지스터, 이를 구비하는 액정표시장치 및 이의제조 방법

  • 기술번호 : KST2015041709
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 게이트 전극을 덮도록 형성된 게이트 절연층 및 게이트 절연층상에 게이트 전극과 오버랩되도록 요철형 몰드를 이용한 방식에 의해 형성된 나노 물질층을 포함하는 것을 제공한다.게이트 절연층, 요철형 몰드, 나노 물질층
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01)
출원번호/일자 1020050136157 (2005.12.30)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1197767-0000 (2012.10.30)
공개번호/일자 10-2007-0072168 (2007.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20121106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박미경 대한민국 경기 안양시 동안구
2 채기성 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0786551-23
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0709553-55
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0850776-97
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0030017-84
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0239351-02
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0496110-75
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0496111-10
13 등록결정서
Decision to grant
2012.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0512205-26
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번호 청구항
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(a) 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계와;(b) 상기 게이트 전극을 덮도록 게이트 절연층을 형성하는 단계 및(c) 상기 게이트 절연층상에 상기 게이트 전극과 오버랩되도록 요철형 몰드를 이용한 방식을 이용하여 나노 물질층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 나노 물질층을 형성하는 단계는,상기 요철형 몰드중 하나의 몰드인 제 1 몰드를 요철형으로 형성하는 단계와;상기 제 1 몰드의 요철형 부위에 액상형 프리폴리머(Liquid prepolymer)의 재료를 도포하는 단계와;상기 제 1 몰드와 대응되게 제 2 몰드를 요철형으로 형성하는 단계와;상기 제 2 몰드의 요철형 부위에 상기 나노 물질을 용매에 분산시켜 적하하고 압착시키는 단계와;상기 압착된 나노 물질을 구비한 상기 제 2 몰드를 상기 게이트 절연층 상부에 접촉시켜 상기 나노 물질을 형성시키는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 요철형 몰드의 형상은 톱니형 또는 원형중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 액상형 프리폴리머의 재료는 PDMS 또는 PU중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
10 10
제 7항에 있어서,상기 용매는 에탄올 또는 이소프로필알콜중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 나노 물질층 상부에 상기 게이트 전극과 적어도 일부가 오버랩되도록 소스 전극과 드레인 전극이 서로 대향되게 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 나노 물질층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 형성되는 채널의 방향과 동일한 방향성을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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국가 R&D 정보가 없습니다.