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반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015041915
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요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상부에 n형 클래드층, n형 웨이브 가이드층, 활성층, p형 웨이브 가이드층, p형 클래드층이 순차적으로 형성되어 있고, 상기 p형 클래드층 상부에 p-패드 전극이 형성되어 있고, 상기 기판 하부에 TCO(Transparent Conductive Oxide)로 이루어진 n-패드 전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 질화물 기판 하부에 n-패드 전극을 TCO(Transparent Conductive Oxide)와 같이 투명 전도성이 있으며 질화물 기판과 오믹 접촉을 이루는 물질로 형성함으로써, 기존의 스크라이빙 공정을 수행하기 위한 마스크 공정을 별도로 수행할 필요가 없어 제조 공정이 단순해지고 제조 수율을 향상시킬 수 있다. 반도체 레이저 다이오드, 프리 스탠딩 기판, 스크라이빙, TCO
Int. CL H01S 5/02 (2006.01) H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/3205(2013.01) H01S 5/3205(2013.01) H01S 5/3205(2013.01)
출원번호/일자 1020060006204 (2006.01.20)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1136230-0000 (2012.04.05)
공개번호/일자 10-2007-0076825 (2007.07.25) 문서열기
공고번호/일자 (20120417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박찬호 대한민국 인천광역시 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0044027-52
2 대리인해임신고서
Report on Dismissal of Agent
2006.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0544276-08
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0470657-59
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0051137-56
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0419405-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0683740-15
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0683739-79
12 등록결정서
Decision to grant
2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0189790-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화물 기판 상부에 순차적으로 형성된 n형 클래드층, n형 웨이브 가이드층, 활성층, p형 웨이브 가이드층, p형 클래드층; 상기 p형 클래드층 상부에 형성된 p-패드 전극;상기 기판 하부에 형성된 알루미늄이 도핑된 ZnO로 이루어진 n-패드 전극; 및상기 p형 클래드층과 상기 p-패드 전극 사이에 형성된 반사 특성이 있는 오믹층을 포함하는 반도체 레이저 다이오드
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삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
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질화물 기판 상부에 n형 클래드층, n형 웨이브 가이드층, 활성층, p형 웨이브 가이드층, p형 클래드층을 순차적으로 적층하는 단계;상기 p형 클래드층 상부에 p-패드 전극을 형성하는 단계;상기 질화물 기판 하부를 래핑 및 폴리싱 공정을 통하여 연마하는 단계;상기 질화물 기판 하부에 알루미늄이 도핑된 ZnO로 이루어진 n-패드 전극을 형성하는 단계; 및상기 n-패드 전극 하부에 스크라이빙 공정을 수행하여 별개의 레이저 다이오드로 분리하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
6 6
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7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.