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기판 상부에 n-컨택트층, n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 전자 차단층(Electron Blocking Layer : EBL), p-웨이브 가이드층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 p-웨이브 가이드층의 상부에는 p-클래드층으로 이루어지며, 일정한 폭을 가지는 하부 영역과 상기 하부 영역 상부에 형성되고, 상기 하부 영역의 폭보다 넓은 밑면을 가지는 사다리꼴 형상의 상부 영역으로 이루어지는 리지(Ridge)가 형성되어 있고, 상기 p-웨이브 가이드층의 상부에는 상기 리지의 하부 영역을 감싸며 상호 이격된 보호막이 형성되어 있고, 상기 리지의 상부 영역 상부에는 p-컨택트층이 형성되어 있고, 상기 리지의 상부 영역과 상기 p-컨택트층과 상기 보호막의 상부를 감싸며 p-패드 전극이 형성되어 있고, 상기 기판 하부에 n-패드 전극이 형성되어 이루어지며, 상기 p-클래드층은 p-InxAlyGa1-x-yN(0 ≤ x 〈1, 0 ≤ y 〈1, 0 ≤ x+y 〈1)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 기판은 n-GaN 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
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3
기판의 상부에 n-컨택트층, n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 전자 차단층(Electron Blocking Layer : EBL), p-웨이브 가이드층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 p-웨이브 가이드층부터 상기 n-컨택트층의 일부분까지 메사(mesa) 식각 되어 n-컨택트층의 일부가 노출되어 있고, 상기 p-웨이브 가이드층의 상부에는 p-클래드층으로 이루어지며, 일정한 폭을 가지는 하부 영역과 상기 하부 영역 상부에 형성되고, 상기 하부 영역의 폭보다 넓은 밑면을 가지는 사다리꼴 형상의 상부 영역으로 이루어지는 리지(Ridge)가 형성되어 있고, 상기 p-웨이브 가이드층의 상부에는 상기 리지의 하부 영역을 감싸며 상호 이격된 보호막이 형성되어 있고, 상기 리지의 상부 영역 상부에는 p-컨택트층이 형성되어 있고, 상기 리지의 상부 영역과 상기 p-컨택트층과 상기 보호막의 상부를 감싸며 p-패드 전극이 형성되어 있고, 상기 노출된 n-컨택트층 상부에 n-패드 전극이 형성되어 이루어지며, 상기 p-클래드층은 p-InxAlyGa1-x-yN(0 ≤ x 〈1, 0 ≤ y 〈1, 0 ≤ x+y 〈1)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
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제3항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 리지의 하부 영역의 폭은 1 ~ 2㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
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7
기판 상부에 n-컨택트층, n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 전자 차단층, p-웨이브 가이드층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 p-웨이브 가이드층 상부에 보호막을 증착한 후, 상기 보호막을 패터닝하여 중앙 영역에 일정한 폭을 가지는 윈도우(Window)를 형성하는 단계; 상기 윈도우를 통하여 노출된 p-웨이브 가이드층 상부에 p-클래드층을 성장시켜 리지(Ridge)를 형성한 후, 상기 리지 상부에 p-컨택트층을 형성하는 단계; 및 상기 리지와 상기 p-컨택트층과 상기 보호막을 감싸며 p-패드 전극을 형성한 후, 상기 기판 하부에 n-패드 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 리지는, 측면 성장 방법(Lateral Epitaxial Overgrowth : LEO)에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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8
기판 상부에 n-컨택트층, n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 전자 차단층, p-웨이브 가이드층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 p-웨이브 가이드층부터 상기 n-컨택트층의 일부분까지 메사(Mesa)식각하는 단계; 상기 p-웨이브 가이드층 상부에 보호막을 증착한 후, 상기 보호막을 패터닝하여 중앙 영역에 일정한 폭을 가지는 윈도우(Window)를 형성하는 단계; 상기 윈도우를 통하여 노출된 p-웨이브 가이드층 상부에 p-클래드층을 성장시켜 리지(Ridge)를 형성한 후, 상기 리지 상부에 p-컨택트층을 형성하는 단계; 및 상기 리지와 상기 p-컨택트층과 상기 보호막을 감싸며 p-패드 전극을 형성한 후, 상기 메사 식각으로 노출된 n-컨택트층 상부에 n-패드 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 리지는, 측면 성장 방법(Lateral Epitaxial Overgrowth : LEO)에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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9
제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 윈도우를 형성하는 단계와 p-클래드층을 성장시키는 단계 사이에, 상기 윈도우에 p-웨이브 가이드층을 일정한 두께로 채워 넣는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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10
기판 상부에 n-컨택트층, n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 전자 차단층, p-웨이브 가이드층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 p-웨이브 가이드층 상부에 제1 p-클래드층을 형성하는 단계; 상기 제1 p-클래드층 상부에 보호막을 증착한 후, 상기 보호막을 패터닝하여 중앙 영역에 일정한 폭을 가지는 윈도우(Window)를 형성하는 단계; 상기 윈도우를 통하여 노출된 제1 p-클래드층 상부에 제2 p-클래드층을 성장시켜 리지(Ridge)를 형성한 후, 상기 리지 상부에 p-컨택트층을 형성하는 단계; 및 상기 리지와 상기 p-컨택트층과 상기 보호막을 감싸며 p-패드 전극을 형성한 후, 상기 기판 하부에 n-패드 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 리지는, 측면 성장 방법(Lateral Epitaxial Overgrowth : LEO)에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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11
기판 상부에 n-컨택트층, n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 전자 차단층, p-웨이브 가이드층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 p-웨이브 가이드층부터 상기 n-컨택트층의 일부분까지 메사(Mesa)식각하는 단계; 상기 p-웨이브 가이드층 상부에 제1 p-클래드층을 형성하는 단계; 상기 제1 p-클래드층 상부에 보호막을 증착한 후, 상기 보호막을 패터닝하여 중앙 영역에 일정한 폭을 가지는 윈도우(Window)를 형성하는 단계; 상기 윈도우를 통하여 노출된 제1 p-클래드층 상부에 제2 p-클래드층을 성장시켜 리지(Ridge)를 형성한 후, 상기 리지 상부에 p-컨택트층을 형성하는 단계; 및 상기 리지와 상기 p-컨택트층과 상기 보호막을 감싸며 p-패드 전극을 형성한 후, 상기 메사 식각으로 노출된 n-컨택트층 상부에 n-패드 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 리지는, 측면 성장 방법(Lateral Epitaxial Overgrowth : LEO)에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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제7항, 제8항, 제10항, 제11항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 리지는, 상기 윈도우의 폭을 가지는 하부 영역과 상기 하부 영역 상부에 형성되고 상기 하부 영역의 폭보다 넓은 밑면을 가지는 사다리꼴 형상의 상부 영역으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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제7항, 제8항, 제10항, 제11항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 윈도우(Window)의 폭은 1 ~ 2㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 p-웨이브 가이드층 및 상기 p-클래드층은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 법에 의해 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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