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입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기

  • 기술번호 : KST2015042100
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기에 관한 것으로서, 반응관을 기준으로 하여 내부영역과 외부영역으로 구획되는 바, 상기 내부영역에서는 실리콘입자 층이 형성되고, 실리콘 석출반응이 진행되며, 외부영역에서는 반응관과 반응기 셀 사이의 공간으로 이루어지며, 불활성가스 분위기로 유지되어 그 내부영역과 외부영역 사이의 압력 차이가 1 bar 이내에서 낮게 유지될 수 있도록 함으로써, 높은 압력에서의 실리콘 석출 반응에서도 반응관의 물리적 안정성을 유지하면서 입자형태의 다결정실리콘을 안정적으로 제조할 수 있는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기에 관한 것이다. 다결정실리콘, 유동층반응기, 석출, 반응관, 압력, 입자
Int. CL H01L 21/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060011493 (2006.02.07)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0756310-0000 (2007.08.31)
공개번호/일자 10-2007-0080306 (2007.08.10) 문서열기
공고번호/일자 (20070907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.07)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김희영 대한민국 대전 유성구
2 윤경구 대한민국 대전 유성구
3 박용기 대한민국 대전 유성구
4 최원춘 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0088880-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0001132-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0049124-25
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.03.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0225962-07
6 의견서
Written Opinion
2007.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0225963-42
7 등록결정서
Decision to grant
2007.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0378719-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
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2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
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2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
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2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
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2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
12 출원인정보변경(경정)신고서
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2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
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번호 청구항
1 1
입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기에 있어서,반응관과;상기 반응관을 에워싸는 반응기 셀과;상기 반응기 셀 내부 공간에서 반응관을 통해 각각 구획되어지되, 실리콘입자 층이 형성되고 실리콘 석출반응이 일어나는 내부영역 및, 상기 실리콘입자 층이 형성되지 않고 실리콘 석출반응이 일어나지 않는 외부영역과;상기 실리콘입자 층에 특정 가스를 공급하는 가스주입수단과;상기 내부영역에서 제조된 다결정실리콘 입자를 배출하며, 상기 실리콘입자 층을 통과하는 배출가스를 배출하는 생성물배출수단과;상기 외부영역을 불활성가스 분위기로 유지할 수 있게 하기 위한 불활성가스 연결부와;상기 내부영역 및 외부영역에서의 압력을 각각 측정 또는 조절 또는 측정 및 조절을 하기 위한 압력제어수단과; 상기 외부영역에서의 압력(Po)과 상기 내부영역에서의 압력(Pi)의 차이가 0 bar ≤ |Po - Pi|≤ 1 bar 범위 내에서 유지될 수 있도록 하는 압력차조절수단을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
2 2
청구항 1에 있어서,상기 가스주입수단은 상기 실리콘입자 층에 유동가스를 공급하는 유동가스 주입부와, 상기 실리콘입자 층에 실리콘원소가 함유된 반응가스를 공급하는 반응가스 주입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
3 3
청구항 1에 있어서,상기 생성물배출수단은 상기 내부영역에서 제조된 다결정실리콘 입자를 상기 내부영역으로부터 상기 유동층반응기 외부로 배출하는 입자배출부와, 상기 실리콘입자 층을 통과하는 유동가스, 미반응 반응가스, 반응 생성물 가스를 포함하는 배출가스를 상기 반응기 외부로 배출하는 배출가스 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 압력제어수단은 상기 내부영역에 공간상으로 노출되는 내부영역 연결부, 상기 유동가스 주입부, 반응가스 주입부, 상기 입자배출부, 또는 상기 배출가스 연결부 중에서 한가지 이상 선택하여 상기 내부영역과 공간상으로 연결되는 내부압력 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 압력제어수단은 상기 외부영역에 공간상으로 노출되는 반응기 셀에 설치된 외부영역 연결부, 또는 상기 불활성가스 연결부 중에서 한가지 이상 선택하여 상기 외부영역과 공간상으로 연결되는 외부압력 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 불활성가스는 수소, 질소, 아르곤, 헬륨 중에서 선택된 하나 이상을 사용하는 것임을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 반응관은 그 재질을 구성하는 성분이 석영, 실리카, 질화규소, 질화보론, 탄화규소, 흑연, 실리콘, 유리질 탄소 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것임을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 반응관은 그 벽면의 두께 방향으로 상기 반응관의 재질을 구성하는 성분층이 단층 또는 복층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 내부영역 또는 외부영역 또는 내부영역 및 외부영역에 단수 또는 복수의 가열기를 설치하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 가열기는 상기 반응기 셀에 설치된 전기에너지 공급부와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
11 11
청구항 1 또는 청구항 10에 있어서, 상기 가열기는 상기 실리콘입자 층 내부에 설치되는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 가열기는 상기 실리콘입자 층 내부로 투입되는 상기 반응가스 주입부의 출구보다 낮게 위치되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
13 13
청구항 1에 있어서, 상기 압력제어수단은 상기 압력차조절수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
14 14
청구항 1 또는 청구항 13에 있어서,상기 외부영역에서의 압력(Po)과 내부영역에서의 압력(Pi)은 1 ~ 15 bar 범위 내에 포함되는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 외부영역에서의 압력(Po)은 상기 내부영역에서 측정될 수 있는 최대의 압력값과 최저의 압력값 사이에서 유지 가능한 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
16 16
청구항 1에 있어서,상기 압력제어수단은 공간상의 연결에 필요한 연결관 또는 피팅(fitting)류와; 수동식, 반자동식 또는 자동식의 밸브류와; 디지털 또는 아날로그 방식의 압력계 또는 차압계와; 압력지시기 또는 기록기와; 신호전환기 또는 연산기능을 갖춘 제어기의 구성 요소들 중에서 한 가지 이상 선택하여 구성된 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
17 17
청구항 1 또는 청구항 16에 있어서 상기 압력제어수단은 기계적으로 또는 시그널회로적으로 상호 연결하여 구성된 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
18 18
청구항 17에 있어서 상기 압력제어수단은 중앙제어시스템, 분산제어시스템, 국부적 제어시스템과 같은 제어수단과 부분적 또는 복합적으로 연결하여 구성된 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
19 19
청구항 17에 있어서, 상기 압력제어수단은 유량, 온도, 가스성분, 입자농도 중에서 선택된 변수의 측정과 제어에 필요한 수단을 부분적 또는 복합적으로 연결하여 구성한 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
20 20
청구항 17에 있어서,상기 압력제어수단은 입자 분리용 필터, 스크러버, 압력 완충용 용기 중에서 선택된 하나를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
21 21
청구항 1에 있어서, 상기 압력차조절수단은 연결관, 수동밸브, 자동밸브, 압력계, 압력지시기, 신호전환기, 연산기능을 갖춘 제어기, 입자 분리용 필터 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
22 22
청구항 1 또는 청구항 13에 있어서, 상기 내부압력(Pi)과 상기 외부압력(Po)은 0 bar ≤ |Po* - Pi*|≤ 1 bar 인 조건을 만족하는 값인 Pi* 및 Po* 로 각각 제어될 수 있도록 상기 내부압력 제어부와 상기 외부압력 제어부가 압력차조절수단을 각각 포함하여 구성한 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
23 23
청구항 1 또는 청구항 13에 있어서,상기 내부압력 제어부 및 상기 외부압력 제어부는 상호 연결되어 상기 내부압력과 상기 외부압력의 압력차 값 △P =|Po - Pi|가 측정되어지되, 상기 압력차조절수단은 상기 압력차 값이 1 bar 이내 범위에서 유지 가능하도록 상기 내부압력 제어부 및 상기 외부압력 제어부를 수동, 반자동 또는 자동으로 조절하여 구성하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
24 24
청구항 1 또는 청구항 21에 있어서, 상기 압력차조절수단은 상기 내부압력 제어부에 포함되는 연결관과 상기 외부압력 제어부에 포함되는 연결관을 공간상으로 상호 연결시키는 평형관을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
25 25
청구항 24에 있어서, 상기 평형관은 체크밸브, 압력균등화 밸브, 3-way 밸브, 입자분리용 필터, 댐핑 용기, 충진층, 피스톤, 제3의 유체, 분리막을 이용하는 압력보상장치 중에서 선택된 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
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