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레이저 광을 방출시키는 활성층을 구비하고 있고, 광이 방출되는 전면에서 반대편인 후면까지 스트라이프(Stripe) 형상의 리지(Ridge)가 상부 중심 영역에 형성된 레이저 구조물;상기 레이저 구조물 하부에 형성된 하부 전극 및;상기 리지(Ridge) 상부에 형성된 상부 전극을 포함하며 이루어지고,상기 리지(Ridge) 측면의 상기 레이저 구조물 상부에 복수 개의 방열구조물이 돌출되어 있으며, 상기 레이저 구조물의 전면 또는 후면 중 어느 한 면에,반사막이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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제 1항에 있어서,상기 반사막은,SiO2, Al2O3, TiO2, 비정질 실리콘(Amorphous Silicon) 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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제 1항에 있어서,상기 레이저 구조물은,n-클래드(Clad)층, n-웨이브가이드(Waveguide)층, 활성층, 전자방지층(Electron Blocking Layer, EBL), p-웨이브가이드층, p-클래드층이 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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제 1항에 있어서,상기 복수 개의 방열 구조물은,상기 전면과 후면에 인접하는 레이저 구조물 상부의 일부 영역에만 형성되어진 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드
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레이저 광을 방출시키는 활성층을 구비하고 있는 레이저 구조물을 형성하는 단계;식각 공정을 이용하여 상기 레이저 구조물의 상부에 광이 방출되는 전면에서 반대편인 후면까지 스트라이프(Stripe) 형상의 리지(Ridge) 및 복수 개의 방열 구조물이 돌출되도록 형성하는 단계;상기 리지(Ridge) 상부에 상부 전극을 형성하는 단계 및;상기 레이저 구조물 하부에 하부 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 리지(Ridge) 및 복수 개의 방열 구조물이 돌출되도록 형성하는 단계는,상기 레이저 구조물 상부의 전면에 백금(Pt)층을 형성하는 단계;상기 백금(Pt)층 상부에 티탄(Ti)으로 이루어진 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴을 통해 백금(Pt)층과 상기 레이저 구조물의 상부를 식각하여, 상기 레이저 구조물 상부에 리지(Ridge) 및 복수 개의 방열 구조물을 형성시키는 단계 및;상기 백금(Pt)층과 마스크 패턴을 제거하는 단계;로 이루어지는 레이저 다이오드 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 레이저 구조물은,n-클래드(Clad)층, n-웨이브가이드(Waveguide)층, 활성층, 전자방지층(Electron Blocking Layer, EBL), p-웨이브가이드층, p-클래드층이 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법
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