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기판상에 순차적으로 형성된 버퍼층과, 제1콘택층과, 제1클래드층 및 제1도파층을 포함하는 제1물질층;상기 제1물질층 상에 형성되며, 광이 생성되는 활성층;상기 활성층 상에 순차적으로 형성된 제2도파층과, 제2클래드층 및 제2콘택층을 포함하는 제2물질층;상기 제2클래드층을 일부 식각하여 상기 활성층에 대해 수직한 방향으로 돌출되게 형성된 리지;상기 돌출된 리지의 측면, 상기 제2 클래드층의 상면 및 측면 전부 및 메사 구조로 식각된 제1 콘택층을 덮도록 형성된 유전막; 및상기 유전막 상에 형성되며, 상기 리지를 보호하기 위해 상기 활성층에 대해 수직한 방향으로 돌출되게 형성된 돌출부;를 포함하며,상기 기판으로부터 상기 돌출부의 상면까지의 높이(h1)는 상기 기판으로부터 상기 제2콘택층까지의 높이(h2)보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제1항에 있어서, 상기 제2콘택층은,상기 리지의 상면에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제2항에 있어서,상기 제1콘택층의 일부가 노출되도록 식각된 메사 평탄부에 상기 제1콘택층과 전기적으로 연결되도록 형성된 제1전극; 및상기 제2콘택층과 상기 돌출부 상에 상기 제2콘택층과 전기적으로 연결되도록 형성된 제2전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제3항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판이며,상기 활성층은 InGaN층이고,상기 버퍼층은 도핑이 안된 GaN층이며,상기 제1 및 제2콘택층은 각각 n-GaN층 및 p-GaN층이고,상기 제1 및 제2도파층은 각각 n-GaN층 및 p-GaN층이며,상기 제1 및 제2클래드층은 각각 n-AlGaN층 및 p-AlGaN층인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판으로부터 상기 돌출부의 상면까지의 높이를 h1이라고 정의하고, 상기 기판으로부터의 상기 제2콘택층까지의 높이를 h2라고 정의할 때, 다음의 수학식을 만족하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 돌출부와 상기 리지 사이의 거리는 10㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 돌출부는,상기 리지의 일측에 형성되는 제1돌출부; 및상기 리지의 타측에 형성되는 제2돌출부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 돌출부는,절연막과 금속막 중 적어도 어느 하나의 막으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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a) 기판 상에 버퍼층과 제1콘택층과 제1클래드층 및 제1도파층을 포함하는 제1물질층과, 활성층과, 제2도파층과 제2클래드층 및 제2콘택층을 포함하는 제2물질층을 순차적으로 형성하는 단계;b) 상기 제1콘택층의 일부가 노출되도록 식각하여 메사 평탄부를 형성하는 단계;c) 상기 제2클래드층과 상기 제2 콘택층을 일부 식각하여 상기 활성층과 수직된 방향으로 돌출되게 리지를 형성하는 단계;d) 상기 메사 평탄부와 상기 제2콘택층 및 상기 제2클래드층의 상면에 유전막을 형성하고, 상기 제1 및 제2콘택층이 노출되도록 상기 메사 평탄부의 일부와 상기 리지 상면의 유전막을 제거하는 단계;e) 상기 유전막 상에 상기 리지를 보호하기 위한 제1 및 제2돌출부를 상기 활성층에 대해 수직한 방향으로 돌출되게 형성하는 단계; 및f) 상기 제1 및 제2물질층 각각과 전기적으로 연결되도록 제1 및 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 기판으로부터 상기 돌출부의 상면까지의 높이(h1)는 상기 기판으로부터 상기 제2콘택층까지의 높이(h2)보다 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 기판으로부터 상기 돌출부의 상면까지의 높이를 h1이라고 정의하고, 상기 기판으로부터의 상기 제2콘택층까지의 높이를 h2라고 정의할 때, 다음의 수학식을 만족하도록 상기 돌출부를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법
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제10항, 제13항 및 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 돌출부는 상기 돌출부와 상기 리지 사이의 거리가 10㎛ 미만이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 제1 및 제2돌출부는 절연막과 금속막 중 적어도 어느 하나의 막으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 f)단계는,f1) 상기 제1콘택층과 전기적으로 연결되도록 상기 메사 평탄부의 노출된 부분에 상기 제1전극을 형성하는 단계; 및f2) 상기 제2콘택층과 전기적으로 연결되도록 상기 제2콘택층의 상면에 상기 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법
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