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기판상에 순차적으로 적층된 버퍼층과, 제1콘택층과, 제1 클래드층 및 제1 도파층을 포함하는 제1 물질층과;상기 제1 물질층 상에 형성되고, 광이 생성되는 활성층과; 상기 활성층 상에 순차적으로 적층된 전자차단층과, 제2도파층 및 제2 클래드층을 포함하는 제2 물질층과;상기 활성층에 대해 수직한 방향으로 돌출되게 상기 제2 클래드층에 형성되며, 광 출사면이 형성된 일단의 폭(W1)이 광 출사방향의 타단의 폭(W2)보다 작게 형성된 리지와;상기 제1콘택층에 형성된 제1전극과;상기 리지 상에 형성된 제2전극과;상기 리지의 일면과 상기 제2전극 사이에 형성되고, 상기 리지의 평면 형상과 동일한 평면 형상을 가지는 제2콘택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제1항에 있어서, 상기 리지의 일단의 폭(W1)은 2㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제4항에 있어서, 상기 리지의 타단의 폭(W2)은 상기 리지의 일단의 폭(W1)보다 크고 10㎛보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제5항에 있어서,상기 리지는 상기 리지의 일단과 타단을 연결하기 위한 경사영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제6항에 있어서,상기 경사영역의 광 출사방향으로의 길이는 100㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 리지는,상기 리지의 일단의 폭(W1)과 동일한 폭을 가지는 제1영역; 및상기 제1영역과 상기 리지의 타단을 연결하기 위한 경사영역;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 리지는,상기 리지의 일단의 폭(W1)과 동일한 폭을 가지는 제1영역;상기 리지의 타단의 폭(W2)과 동일한 폭을 가지는 제2영역; 및상기 제1영역과 상기 제2영역을 연결하기 위한 경사영역;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 리지는,상기 리지의 타단의 폭(W2)과 동일한 폭을 가지는 제2영역; 및상기 리지의 일단과 상기 제2영역을 연결하기 위한 경사영역;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
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